Результат пошуку "IRLL024N" : 24
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1323
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1323
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 432
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 546
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLL024NPBF Код товару: 114736
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: SOT-223 Uds,V: 55 V Idd,A: 3 А Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 510/10,4 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 192 шт
137 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 39 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRLL024NTR | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL024N smd TIRLL024 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4.4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.4nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLL024NTRPBF | Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4.4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.4nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 5207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 5680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
Транзистор польовий IRLL024N 3.1A 55V N-ch SOT-223 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 52915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN6A08GTA | Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 4174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024N Код товару: 48944
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: SOT-223 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF Код товару: 92254
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|
IRLL024NPBF Код товару: 114736
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 55 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/10,4
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 55 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/10,4
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 192 шт
137 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.20 грн |
IRLL024NTR |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL024N smd TIRLL024
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL024N smd TIRLL024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.29 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 57.52 грн |
11+ | 37.95 грн |
50+ | 18.81 грн |
137+ | 17.86 грн |
1000+ | 17.38 грн |
2500+ | 17.14 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.41 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.03 грн |
10+ | 47.29 грн |
50+ | 22.58 грн |
137+ | 21.43 грн |
1000+ | 20.85 грн |
2500+ | 20.57 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 13.55 грн |
5000+ | 13.01 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 64.29 грн |
10+ | 43.13 грн |
25+ | 34.59 грн |
100+ | 27.86 грн |
500+ | 21.74 грн |
1000+ | 19.67 грн |
2500+ | 14.46 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 66.28 грн |
50+ | 42.24 грн |
100+ | 32.37 грн |
500+ | 23.28 грн |
1000+ | 19.35 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1323+ | 23.17 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 12.58 грн |
5000+ | 12.08 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 32.37 грн |
500+ | 23.28 грн |
1000+ | 19.35 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 15.44 грн |
5000+ | 14.17 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 16.75 грн |
5000+ | 15.37 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1323+ | 23.17 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
432+ | 28.43 грн |
450+ | 27.29 грн |
500+ | 26.30 грн |
1000+ | 24.53 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
546+ | 22.48 грн |
710+ | 17.28 грн |
Транзистор польовий IRLL024N 3.1A 55V N-ch SOT-223 |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 33.86 грн |
STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
на замовлення 52915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 100.89 грн |
10+ | 67.59 грн |
100+ | 45.77 грн |
500+ | 36.51 грн |
1000+ | 33.37 грн |
2000+ | 31.38 грн |
4000+ | 27.47 грн |
ZXMN6A08GTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
на замовлення 4174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.13 грн |
10+ | 51.84 грн |
100+ | 29.46 грн |
500+ | 22.81 грн |
1000+ | 19.90 грн |
2000+ | 17.53 грн |
5000+ | 17.45 грн |
IRLL024N Код товару: 48944
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.00 грн |
IRLL024NTRPBF Код товару: 92254
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12.50 грн |
10+ | 9.40 грн |
100+ | 7.60 грн |