Результат пошуку "IRLR024N" : 43

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF
Код товару: 22061
Додати до обраних Обраний товар

IR irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 8013 шт
7842 шт - склад
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
60 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+15.00 грн
10+12.50 грн
100+11.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N-HXY HXY MOSFET Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N HXY MOSFET TIRLR024n HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTR JGSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR JGSEMI TIRLR024n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTR JGSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR JGSEMI TIRLR024n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N TIRLR024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF International Rectifier HiRel Products irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d IRLR024NTRLPBF
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
747+40.94 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 747
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF INFINEON 107914.pdf Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.14 грн
50+67.53 грн
100+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF INFINEON 107914.pdf Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.25 грн
10+40.02 грн
50+31.70 грн
51+18.18 грн
100+18.10 грн
139+17.17 грн
1000+16.78 грн
2000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.30 грн
10+49.87 грн
50+38.04 грн
51+21.82 грн
100+21.73 грн
139+20.61 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.31 грн
10+41.35 грн
25+32.00 грн
100+26.18 грн
500+21.18 грн
1000+19.17 грн
2000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
695+17.61 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 695
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.94 грн
4000+15.34 грн
6000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 8870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.10 грн
10+38.62 грн
100+27.07 грн
500+20.45 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.74 грн
22+28.54 грн
34+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.22 грн
13+49.33 грн
100+34.55 грн
500+26.82 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N IR description TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N IR description 07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N IRF description N/A
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N IR description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N IR description 09+ SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF International Rectifier/Infineon irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description N-канальний ПТ; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Udss, В = 55; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25; Qg, нКл = 15; Rds = 65 мОм; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 5 В; DPAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF International Rectifier Corporation irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description DPAK=TO-252
на замовлення 600 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRR IR IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf TO-252
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024N AUIRLR024N International Rectifier INFN-S-A0002298685-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024NTRL AUIRLR024NTRL International Rectifier INFN-S-A0002298685-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N IRLR024N
Код товару: 1527
Додати до обраних Обраний товар

IR description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+8.90 грн
100+7.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF IRLR024NPBF
Код товару: 113439
Додати до обраних Обраний товар

IR irlr024npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+6.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF IRLR024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF IRLR024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRL IRLR024NTRL Infineon Technologies IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRR IRLR024NTRR Infineon Technologies IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRRPBF IRLR024NTRRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d IRLR024NTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024N AUIRLR024N Infineon Technologies auirlr024n.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb194b155f Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024NTRL AUIRLR024NTRL Infineon Technologies auirlr024n.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb194b155f Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024 IRLR024 Vishay Siliconix sihlr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF
Код товару: 22061
Додати до обраних Обраний товар

description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 8013 шт
7842 шт - склад
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
60 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+15.00 грн
10+12.50 грн
100+11.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N-HXY
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N HXY MOSFET TIRLR024n HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTR
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR JGSEMI TIRLR024n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTR
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR JGSEMI TIRLR024n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTR
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N TIRLR024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRLR024NTRLPBF
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
747+40.94 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 747
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF 107914.pdf
IRLR024NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.14 грн
50+67.53 грн
100+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF 107914.pdf
IRLR024NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.25 грн
10+40.02 грн
50+31.70 грн
51+18.18 грн
100+18.10 грн
139+17.17 грн
1000+16.78 грн
2000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.30 грн
10+49.87 грн
50+38.04 грн
51+21.82 грн
100+21.73 грн
139+20.61 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.31 грн
10+41.35 грн
25+32.00 грн
100+26.18 грн
500+21.18 грн
1000+19.17 грн
2000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
695+17.61 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 695
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.94 грн
4000+15.34 грн
6000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 8870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.10 грн
10+38.62 грн
100+27.07 грн
500+20.45 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+35.74 грн
22+28.54 грн
34+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.22 грн
13+49.33 грн
100+34.55 грн
500+26.82 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N description
Виробник: IR
TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N description
Виробник: IR
07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N description
Виробник: IRF
N/A
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N description
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N description
Виробник: IR
09+ SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Udss, В = 55; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25; Qg, нКл = 15; Rds = 65 мОм; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 5 В; DPAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
Виробник: International Rectifier Corporation
DPAK=TO-252
на замовлення 600 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRR IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Виробник: IR
TO-252
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024N INFN-S-A0002298685-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRLR024N
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
377+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024NTRL INFN-S-A0002298685-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRLR024NTRL
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
377+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024N
Код товару: 1527
Додати до обраних Обраний товар

description
IRLR024N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+8.90 грн
100+7.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF
Код товару: 113439
Додати до обраних Обраний товар

irlr024npbf-datasheet.pdf
IRLR024NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+6.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRL IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLR024NTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRR IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLR024NTRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRRPBF irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR024NTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024N auirlr024n.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb194b155f
AUIRLR024N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR024NTRL auirlr024n.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bb194b155f
AUIRLR024NTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024 sihlr024.pdf
IRLR024
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.