Результат пошуку "SPD30" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 495
Мінімальне замовлення: 904
Мінімальне замовлення: 547
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 73
Мінімальне замовлення: 67
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 109
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 20
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 22023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30N08S2-22 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06P G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2 |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06P G | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06P G | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2307 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2 |
на замовлення 4299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD30P06PGBTMA1 | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SPD300AB |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD301 |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD30N03 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03L | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03L | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03S2L-07 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03S2L-07 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03S2L-10 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03S2L-10 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03S2L-10 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03S2L-20 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N03S2L-20 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD30N06-15 | infineon | 09+ |
на замовлення 30018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2- |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-08 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-13 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-15 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-15 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-15 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-23 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-23 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-23 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2-40 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L-13 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L-13 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L-13 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L-13 | INFINEON |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L-23 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L-23 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L-23 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L-23A |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L13 | INFINEON |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
SPD30N06S2L23 | INFINEON |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
SPD30N06SE-15 |
на замовлення 382 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD30N08S2-22 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N08S2-22 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N08S2L-21 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N08S2L-21 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SPD30N08S2L21 | INFINEON |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
SPD30P06PG | Infineon technologies |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
MMSPD301M |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SPD30P06P Код товару: 149969 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
SPD300208Y1K | Tripp Lite |
Description: SPD TYPE 1 300V MCOV 1 POLE Packaging: Bulk Features: Thermally Protected Mounting Type: Chassis Mount Type: Type 1 Operating Temperature: -40°C ~ 50°C Approval Agency: cURus, UL Form: Base + Module Number of Poles: 1 Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 300V Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA Current - Discharge (Max) (8/20µS): 400 kA Current - Short Circuit Rating (SCCR): 200 kA |
товар відсутній |
SPD30N03S2L07GBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
495+ | 41.04 грн |
SPD30N03S2L20GBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 22023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
904+ | 22.2 грн |
SPD30N08S2-22 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
547+ | 37 грн |
SPD30P06P G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2
MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.22 грн |
10+ | 103.13 грн |
100+ | 86.35 грн |
250+ | 81.04 грн |
500+ | 70.41 грн |
2500+ | 54.6 грн |
5000+ | 52.54 грн |
SPD30P06P G |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
73+ | 160.84 грн |
76+ | 154.72 грн |
100+ | 149.47 грн |
250+ | 139.76 грн |
500+ | 125.88 грн |
1000+ | 117.89 грн |
2500+ | 115.29 грн |
SPD30P06P G |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
67+ | 175.47 грн |
69+ | 168.78 грн |
100+ | 163.06 грн |
250+ | 152.46 грн |
500+ | 137.33 грн |
1000+ | 128.61 грн |
2500+ | 125.77 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.34 грн |
5+ | 85.11 грн |
13+ | 64.35 грн |
35+ | 60.89 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.61 грн |
5+ | 106.06 грн |
13+ | 77.22 грн |
35+ | 73.07 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 74.52 грн |
500+ | 60.75 грн |
1000+ | 48.03 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2
MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.22 грн |
10+ | 95.49 грн |
100+ | 69.75 грн |
250+ | 68.42 грн |
500+ | 58.32 грн |
1000+ | 49.95 грн |
2500+ | 46.03 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.97 грн |
10+ | 91.82 грн |
100+ | 73.08 грн |
500+ | 58.03 грн |
1000+ | 49.24 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
109+ | 107.69 грн |
115+ | 101.87 грн |
132+ | 88.78 грн |
200+ | 81.68 грн |
500+ | 75.36 грн |
1000+ | 66.45 грн |
2000+ | 63.12 грн |
2500+ | 62.96 грн |
5000+ | 61.7 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 51.76 грн |
5000+ | 47.97 грн |
12500+ | 46.38 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 97.62 грн |
50+ | 86.44 грн |
100+ | 74.52 грн |
500+ | 60.75 грн |
1000+ | 48.03 грн |
SPD30P06PGBTMA1 |
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 48.96 грн |
SPD30N03L |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-07 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-07 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-10 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-10 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-20 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-20 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N06S2-15 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N06S2-15 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N06S2-23 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N06S2-23 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N06S2L-13 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N06S2L-13 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N06S2L-23 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N06S2L-23 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N08S2-22 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N08S2-22 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N08S2L-21 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N08S2L-21 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD300208Y1K |
Виробник: Tripp Lite
Description: SPD TYPE 1 300V MCOV 1 POLE
Packaging: Bulk
Features: Thermally Protected
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Type 1
Operating Temperature: -40°C ~ 50°C
Approval Agency: cURus, UL
Form: Base + Module
Number of Poles: 1
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 300V
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 400 kA
Current - Short Circuit Rating (SCCR): 200 kA
Description: SPD TYPE 1 300V MCOV 1 POLE
Packaging: Bulk
Features: Thermally Protected
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Type 1
Operating Temperature: -40°C ~ 50°C
Approval Agency: cURus, UL
Form: Base + Module
Number of Poles: 1
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 300V
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 400 kA
Current - Short Circuit Rating (SCCR): 200 kA
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]