Результат пошуку "gc16" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MC9S12GC16CPBE | NXP Semiconductors | 16-bit Microcontrollers - MCU GOLDFISH - EPP |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NX5032GC-16MHZ-STD-CSK-6 | NDK | Кварцовий резонатор smd; F = 16 МГц; C, пФ = 8; ESR, Ом = 50; Стаб. ч-ти, ppm = 15; Тексп, °C = -10...+75; Точн. част., ppm = 15; 5.0x3.2mm(SMD-4) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RX3G07BBGC16 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RX3G07BBGC16 | ROHM Semiconductor | MOSFET RX3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching. |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RX3G18BBGC16 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RX3G18BBGC16 | ROHM Semiconductor | MOSFET RX3G18BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching. |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RX3L07BBGC16 | ROHM Semiconductor | MOSFET RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching. |
на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RX3L07BBGC16 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RX3L18BBGC16 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RX3L18BBGC16 | ROHM Semiconductor | MOSFET RX3L18BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching. |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
100ZLJ270MGC16X20 | Rubycon | Конденсатор електролітичний радіальний низькоімпедансний; С, мкФ = 270; Uном, В = 100; Точн, % = 20; Ir = 975 мА; Rm, мм = 7,5; Габ. розм, мм = 16 x 22; Імпеданс, мОм = 48; Тексп, °С = -40...+105; Термін експл., г @ T,°C = 10000 @ 105; 16x22mm |
на замовлення 41 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
780054GC162 |
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
78054GC-169 | NEC |
на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
99SC416780CGC16 | BGA-196 |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
D70236AGC16 | NEC |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPF8452AGC160-3 | ALTERA | PGA |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPF8452AGC160-4 | ALTERA |
на замовлення 286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPF8452AGC160-4 | ALTERA | 09+ . |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPF8452GC160-3\20 | ALTERA | 09+ . |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPF8452GC160-3\20 | ALTERA |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPM7192EGC160-10 | ALTERA | 03+ |
на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12 | ALTERA | BGA |
на замовлення 441 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12 | ALTERA | 03+ |
на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12 | ALTERA | CPGA |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12 | ALTERA | 09+ PGA |
на замовлення 745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12 | ALT |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12 | ALTERA | 2000 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12 | ALTERA |
на замовлення 462 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12CM |
на замовлення 456 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12EM | ALTERA | 09+ . |
на замовлення 745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12EM | ALTERA |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPM7192EGC160-12GM | Altera |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPM7192EGC160-15 | ALTERA | PGA |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-15 | ALTERA | 09+ . |
на замовлення 865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC160-20 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
EPM7192EGC16012 | ALTERA | 09+ . |
на замовлення 745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192EGC16020 | ALTERA |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPM7192GC160- | Altera |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPM7192GC160-12EM |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
EPM7192GC160-15 | ALTERA | PGA |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7192GC160-20 | ALTERA |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
EPM7192GC160-3 | ALTERA | 00+ PGA160 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
EPM7256EGC160-12 |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
EPM7256EGC160-12EM |
на замовлення 802 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
F951C107MGC 16V100UF-CF9 | NICHICON |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
F951C107MGC16V100UF-CF95 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
F951C476MGC 16V47UF-CF95 | NICHICON |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
F951C476MGC 16V47UF-CF95 | NICHICON |
на замовлення 3704 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
F951C476MGC16V47UF-CF95 | NICHICON |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
K4J55323QF-GC16 | SAMSUNG | BGA |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K4J55323QF-GC16 | SAMSUNG | 05+ |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
LDC30B030GC1600B | MURATA |
на замовлення 890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
LDC30B030GC1600B-200 |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MC9S12GC16CFAE |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MC9S12GC16CFUE | FREESCALE |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MC9S12GC16CPBE | Freescale |
на замовлення 6420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
RS8250EBGC16 | MNDSPEED |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SC439589CGC16 | MOTO | BGA |
на замовлення 898 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SOGC-1603 | VISHAY | 01+ |
на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SOGC-1645-S5 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
MC9S12GC16CPBE |
Виробник: NXP Semiconductors
16-bit Microcontrollers - MCU GOLDFISH - EPP
16-bit Microcontrollers - MCU GOLDFISH - EPP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 961.92 грн |
10+ | 762.38 грн |
100+ | 590.17 грн |
250+ | 585.5 грн |
500+ | 514.06 грн |
800+ | 513.39 грн |
NX5032GC-16MHZ-STD-CSK-6 |
Виробник: NDK
Кварцовий резонатор smd; F = 16 МГц; C, пФ = 8; ESR, Ом = 50; Стаб. ч-ти, ppm = 15; Тексп, °C = -10...+75; Точн. част., ppm = 15; 5.0x3.2mm(SMD-4)
Кварцовий резонатор smd; F = 16 МГц; C, пФ = 8; ESR, Ом = 50; Стаб. ч-ти, ppm = 15; Тексп, °C = -10...+75; Точн. част., ppm = 15; 5.0x3.2mm(SMD-4)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 69.33 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 42.06 грн |
RX3G07BBGC16 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 241.21 грн |
50+ | 184.09 грн |
100+ | 157.79 грн |
500+ | 131.63 грн |
RX3G07BBGC16 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RX3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.
MOSFET RX3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 258.59 грн |
10+ | 214.2 грн |
25+ | 175.58 грн |
100+ | 150.88 грн |
250+ | 142.2 грн |
500+ | 134.86 грн |
1000+ | 113.49 грн |
RX3G18BBGC16 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V
Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 496.86 грн |
50+ | 381.74 грн |
100+ | 341.55 грн |
500+ | 282.82 грн |
RX3G18BBGC16 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RX3G18BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
MOSFET RX3G18BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 532.76 грн |
10+ | 449.9 грн |
25+ | 354.5 грн |
100+ | 325.8 грн |
250+ | 306.43 грн |
500+ | 295.08 грн |
1000+ | 250.35 грн |
RX3L07BBGC16 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
MOSFET RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.37 грн |
10+ | 214.97 грн |
25+ | 176.25 грн |
100+ | 151.55 грн |
250+ | 142.87 грн |
500+ | 134.86 грн |
1000+ | 114.16 грн |
RX3L07BBGC16 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 241.93 грн |
50+ | 184.78 грн |
100+ | 158.38 грн |
500+ | 132.12 грн |
RX3L18BBGC16 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Description: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 499.75 грн |
50+ | 384.24 грн |
100+ | 343.79 грн |
500+ | 284.67 грн |
RX3L18BBGC16 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RX3L18BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
MOSFET RX3L18BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 535.87 грн |
10+ | 452.98 грн |
25+ | 357.17 грн |
100+ | 327.8 грн |
250+ | 308.44 грн |
500+ | 297.09 грн |
1000+ | 251.69 грн |
100ZLJ270MGC16X20 |
Виробник: Rubycon
Конденсатор електролітичний радіальний низькоімпедансний; С, мкФ = 270; Uном, В = 100; Точн, % = 20; Ir = 975 мА; Rm, мм = 7,5; Габ. розм, мм = 16 x 22; Імпеданс, мОм = 48; Тексп, °С = -40...+105; Термін експл., г @ T,°C = 10000 @ 105; 16x22mm
Конденсатор електролітичний радіальний низькоімпедансний; С, мкФ = 270; Uном, В = 100; Точн, % = 20; Ir = 975 мА; Rm, мм = 7,5; Габ. розм, мм = 16 x 22; Імпеданс, мОм = 48; Тексп, °С = -40...+105; Термін експл., г @ T,°C = 10000 @ 105; 16x22mm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 138.98 грн |
F951C476MGC 16V47UF-CF95 |
Виробник: NICHICON
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)F951C476MGC 16V47UF-CF95 |
Виробник: NICHICON
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)