Результат пошуку "irf3205" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205PBF IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

IR/Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5736 шт
5434 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
93 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
150 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 129 шт
114 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 424 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.17 грн
10+63.56 грн
30+31.16 грн
81+29.53 грн
250+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.40 грн
10+79.20 грн
30+37.39 грн
81+35.43 грн
250+35.34 грн
10000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.33 грн
500+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 17174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.13 грн
10+98.65 грн
25+54.75 грн
100+53.04 грн
500+47.74 грн
1000+42.37 грн
2000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
10000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+42.19 грн
500+41.84 грн
1000+38.88 грн
3000+34.72 грн
10000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.64 грн
10+102.09 грн
100+63.01 грн
500+52.68 грн
1000+43.11 грн
5000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL Infineon N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.62 грн
10+97.44 грн
22+42.74 грн
59+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+138.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.74 грн
10+121.42 грн
22+51.28 грн
59+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+165.52 грн
111+110.89 грн
200+102.74 грн
800+75.95 грн
1600+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.70 грн
250+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 159200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.21 грн
10+116.31 грн
50+100.41 грн
100+77.70 грн
250+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 8318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.31 грн
10+114.09 грн
100+69.82 грн
500+64.97 грн
800+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 159200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.92 грн
1600+44.97 грн
2400+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.78 грн
10+117.99 грн
100+95.39 грн
500+71.64 грн
1000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+94.34 грн
500+84.90 грн
1000+78.30 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.41 грн
10+62.94 грн
17+54.39 грн
46+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.50 грн
10+78.43 грн
17+65.27 грн
46+61.54 грн
500+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.19 грн
12+51.49 грн
100+48.36 грн
250+42.18 грн
500+38.75 грн
1000+36.90 грн
2000+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.33 грн
12+75.14 грн
100+71.29 грн
500+57.73 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.58 грн
14+44.31 грн
100+43.19 грн
250+38.50 грн
500+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+85.45 грн
500+76.91 грн
1000+70.93 грн
10000+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+85.45 грн
500+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS Infineon irf3205z.pdf N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.62 грн
10+97.90 грн
20+47.40 грн
54+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.74 грн
10+122.00 грн
20+56.88 грн
54+53.15 грн
1600+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.60 грн
10+102.92 грн
50+90.37 грн
100+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.22 грн
10+89.21 грн
100+62.06 грн
250+61.46 грн
500+61.39 грн
800+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205NSTRLPBF IR 09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF/IR IR 08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5736 шт
5434 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
93 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
150 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 129 шт
114 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 424 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+39.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.17 грн
10+63.56 грн
30+31.16 грн
81+29.53 грн
250+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.40 грн
10+79.20 грн
30+37.39 грн
81+35.43 грн
250+35.34 грн
10000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.33 грн
500+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 17174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.13 грн
10+98.65 грн
25+54.75 грн
100+53.04 грн
500+47.74 грн
1000+42.37 грн
2000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
10000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.19 грн
500+41.84 грн
1000+38.88 грн
3000+34.72 грн
10000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.64 грн
10+102.09 грн
100+63.01 грн
500+52.68 грн
1000+43.11 грн
5000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.33 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.62 грн
10+97.44 грн
22+42.74 грн
59+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.74 грн
10+121.42 грн
22+51.28 грн
59+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+165.52 грн
111+110.89 грн
200+102.74 грн
800+75.95 грн
1600+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.70 грн
250+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 159200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.21 грн
10+116.31 грн
50+100.41 грн
100+77.70 грн
250+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 8318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.31 грн
10+114.09 грн
100+69.82 грн
500+64.97 грн
800+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 159200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.92 грн
1600+44.97 грн
2400+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.78 грн
10+117.99 грн
100+95.39 грн
500+71.64 грн
1000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+94.34 грн
500+84.90 грн
1000+78.30 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.41 грн
10+62.94 грн
17+54.39 грн
46+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.50 грн
10+78.43 грн
17+65.27 грн
46+61.54 грн
500+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.19 грн
12+51.49 грн
100+48.36 грн
250+42.18 грн
500+38.75 грн
1000+36.90 грн
2000+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.33 грн
12+75.14 грн
100+71.29 грн
500+57.73 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+47.58 грн
14+44.31 грн
100+43.19 грн
250+38.50 грн
500+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
358+85.45 грн
500+76.91 грн
1000+70.93 грн
10000+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
358+85.45 грн
500+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
220+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS irf3205z.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.62 грн
10+97.90 грн
20+47.40 грн
54+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.74 грн
10+122.00 грн
20+56.88 грн
54+53.15 грн
1600+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.60 грн
10+102.92 грн
50+90.37 грн
100+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.22 грн
10+89.21 грн
100+62.06 грн
250+61.46 грн
500+61.39 грн
800+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205NSTRLPBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]