Результат пошуку "irf3205" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205PBF IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

IR/Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5582 шт
5335 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
139 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 127 шт
93 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 424 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.13 грн
10+77.69 грн
25+66.50 грн
30+31.60 грн
81+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.15 грн
10+96.81 грн
25+79.80 грн
30+37.92 грн
81+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
10000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+55.75 грн
14+53.19 грн
100+52.65 грн
500+50.26 грн
1000+42.76 грн
3000+38.27 грн
10000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+50.14 грн
247+49.64 грн
500+49.14 грн
1000+43.54 грн
3000+37.59 грн
10000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+79.53 грн
500+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.25 грн
10+103.52 грн
100+63.90 грн
500+53.42 грн
1000+43.71 грн
5000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.66 грн
25+63.85 грн
100+53.78 грн
500+48.41 грн
1000+43.80 грн
2000+41.22 грн
5000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 16173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.10 грн
50+55.45 грн
100+54.56 грн
500+45.64 грн
1000+41.90 грн
2000+38.75 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL Infineon N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.34 грн
10+92.98 грн
22+43.34 грн
50+43.26 грн
59+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+138.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.21 грн
10+115.86 грн
22+52.00 грн
50+51.91 грн
59+49.17 грн
1600+47.65 грн
2400+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.26 грн
10+118.30 грн
100+72.16 грн
500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.41 грн
1600+54.19 грн
2400+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.79 грн
250+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.18 грн
22400+65.95 грн
33600+61.36 грн
44800+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.65 грн
10+117.95 грн
50+101.83 грн
100+78.79 грн
250+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+108.70 грн
169+72.66 грн
200+67.59 грн
1600+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.13 грн
1600+51.09 грн
2400+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+94.56 грн
500+85.11 грн
1000+78.49 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.89 грн
10+119.65 грн
100+96.73 грн
500+72.65 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.55 грн
6+75.64 грн
10+66.97 грн
17+55.16 грн
47+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.86 грн
4+94.26 грн
10+80.37 грн
17+66.19 грн
47+62.40 грн
500+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.04 грн
12+76.20 грн
100+72.30 грн
500+58.54 грн
1000+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies irf3205z.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.01 грн
50+71.75 грн
100+64.37 грн
500+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+90.68 грн
10+76.34 грн
100+67.35 грн
250+49.78 грн
500+45.63 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.54 грн
100+48.78 грн
250+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+71.98 грн
194+63.50 грн
252+48.67 грн
500+46.46 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+85.66 грн
500+77.10 грн
1000+71.10 грн
10000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+85.66 грн
500+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS Infineon irf3205z.pdf N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.19 грн
10+69.34 грн
20+47.28 грн
54+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.03 грн
10+86.41 грн
20+56.73 грн
54+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.05 грн
2400+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.19 грн
10+74.62 грн
100+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.55 грн
10+92.21 грн
100+64.22 грн
500+53.18 грн
800+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+65.10 грн
190+64.54 грн
192+63.97 грн
250+61.14 грн
500+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+70.36 грн
11+69.75 грн
25+69.15 грн
100+66.09 грн
250+60.65 грн
500+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.87 грн
2400+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.65 грн
10+104.37 грн
50+91.64 грн
100+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.86 грн
1600+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5582 шт
5335 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
139 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 127 шт
93 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 424 шт
319 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.13 грн
10+77.69 грн
25+66.50 грн
30+31.60 грн
81+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.15 грн
10+96.81 грн
25+79.80 грн
30+37.92 грн
81+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
10000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+55.75 грн
14+53.19 грн
100+52.65 грн
500+50.26 грн
1000+42.76 грн
3000+38.27 грн
10000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.14 грн
247+49.64 грн
500+49.14 грн
1000+43.54 грн
3000+37.59 грн
10000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.25 грн
10+103.52 грн
100+63.90 грн
500+53.42 грн
1000+43.71 грн
5000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.66 грн
25+63.85 грн
100+53.78 грн
500+48.41 грн
1000+43.80 грн
2000+41.22 грн
5000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 16173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.10 грн
50+55.45 грн
100+54.56 грн
500+45.64 грн
1000+41.90 грн
2000+38.75 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.34 грн
10+92.98 грн
22+43.34 грн
50+43.26 грн
59+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.21 грн
10+115.86 грн
22+52.00 грн
50+51.91 грн
59+49.17 грн
1600+47.65 грн
2400+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.26 грн
10+118.30 грн
100+72.16 грн
500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.41 грн
1600+54.19 грн
2400+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.79 грн
250+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.18 грн
22400+65.95 грн
33600+61.36 грн
44800+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.65 грн
10+117.95 грн
50+101.83 грн
100+78.79 грн
250+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+108.70 грн
169+72.66 грн
200+67.59 грн
1600+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 164800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+54.13 грн
1600+51.09 грн
2400+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
328+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+94.56 грн
500+85.11 грн
1000+78.49 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.89 грн
10+119.65 грн
100+96.73 грн
500+72.65 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.55 грн
6+75.64 грн
10+66.97 грн
17+55.16 грн
47+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.86 грн
4+94.26 грн
10+80.37 грн
17+66.19 грн
47+62.40 грн
500+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.04 грн
12+76.20 грн
100+72.30 грн
500+58.54 грн
1000+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.01 грн
50+71.75 грн
100+64.37 грн
500+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+90.68 грн
10+76.34 грн
100+67.35 грн
250+49.78 грн
500+45.63 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.54 грн
100+48.78 грн
250+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+71.98 грн
194+63.50 грн
252+48.67 грн
500+46.46 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
358+85.66 грн
500+77.10 грн
1000+71.10 грн
10000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
358+85.66 грн
500+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS irf3205z.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.19 грн
10+69.34 грн
20+47.28 грн
54+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.03 грн
10+86.41 грн
20+56.73 грн
54+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.05 грн
2400+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.19 грн
10+74.62 грн
100+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.55 грн
10+92.21 грн
100+64.22 грн
500+53.18 грн
800+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+65.10 грн
190+64.54 грн
192+63.97 грн
250+61.14 грн
500+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+70.36 грн
11+69.75 грн
25+69.15 грн
100+66.09 грн
250+60.65 грн
500+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.87 грн
2400+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.65 грн
10+104.37 грн
50+91.64 грн
100+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+54.86 грн
1600+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]