Результат пошуку "irl2" : 94
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRL2203NSPBF Код товару: 1761 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
|
|
IRL2505SPBF Код товару: 18630 |
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 55 V Idd,A: 104 A Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130 |
товар відсутній
|
|
 |
IRL2703PBF Код товару: 114363 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
|
|
IRL2203NLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2203NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2203NS | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2203NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 116A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2203NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 116A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2203NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2203NSTRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2505 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2505LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2505PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
| IRL2505STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 74A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||
|
|
IRL2505STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2703 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2703PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2703SPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910S | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
| IRL2910SHR | IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
|
|
IRL2910SPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910SPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910SPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
| IRL2505STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 74A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
| IRL2505SPBF Код товару: 18630 |
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
товар відсутній
| IRL2203NLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
| IRL2203NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRL2203NS |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRL2203NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
| IRL2203NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
| IRL2203NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRL2203NSTRRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRL2505 | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRL2505LPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
| IRL2505PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRL2505STRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRL2505STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRL2703 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRL2703PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRL2703SPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
| IRL2910 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRL2910LPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
| IRL2910S |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRL2910SHR |
|
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRL2910SPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
| IRL2910SPBF |
|
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
| IRL2910SPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
| IRL2910STRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
| IRL2910STRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
| IRL2910STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRL2910STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRL2505STRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2