Результат пошуку "mje150" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MJE15035G MJE15035G ONSEMI MJE15035G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.19 грн
10+ 81.37 грн
12+ 70.93 грн
32+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15035G MJE15035G ONSEMI MJE15035G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+116.13 грн
10+ 97.64 грн
12+ 85.12 грн
32+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035G MJE15035G onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.27 грн
50+ 79.92 грн
100+ 63.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035G MJE15035G onsemi MJE15034_D-2316116.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.6 грн
10+ 87.52 грн
100+ 60.35 грн
500+ 52.21 грн
800+ 41.66 грн
2400+ 40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035G MJE15035G ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.57 грн
10+ 91.37 грн
100+ 69.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.36 грн
10+ 87.48 грн
100+ 68.73 грн
500+ 56.56 грн
800+ 40.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+94.21 грн
159+ 74.01 грн
500+ 63.17 грн
800+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 125
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+81.92 грн
174+ 67.6 грн
500+ 59.46 грн
800+ 46.4 грн
Мінімальне замовлення: 143
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.77 грн
10+ 76.17 грн
100+ 62.86 грн
500+ 53.32 грн
800+ 39.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15003 ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15004 ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15028 mje15028-d.pdf
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15029 mje15028-d.pdf
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15030MJE15031
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15032 MJE15033 ON TO220 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15032MJE15033
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15034 mje15034-d.pdf
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15034MJE15035
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15035 mje15034-d.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15028 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 126210 		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE15029 (транзистори біполярніе PNP)
Код товару: 126212 		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJE15030 (транзистор біполярний NPN) MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36906 		Iscsemi mje15028-d-datasheet.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
товар відсутній
MJE15030G
Код товару: 154352 		mje15028-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE15030G
Код товару: 180441 		mje15028-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE15031G
Код товару: 180445 		mje15028-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJE15031G MJE15031G
Код товару: 45656 		mje15028-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJE15035 MJE15035
Код товару: 67258 		ON mje15034-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 350 V
Uкб, В: 350 V
Iк, А: 4 A
товар відсутній
MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJE15028 MJE15028 onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS NPN 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15029 MJE15029 onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15029G MJE15029G onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15029G MJE15029G ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15030 MJE15030 onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15031 MJE15031 onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15031G MJE15031G ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15031G MJE15031G ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15031G MJE15031G onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15032 MJE15032 onsemi mje15032-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15032 MJE15032 ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15033 MJE15033 onsemi mje15032-d.pdf Description: TRANS PNP 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15033 MJE15033 ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15033G MJE15033G ONSEMI MJE15033.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.46 грн
10+ 91.8 грн
12+ 81.78 грн
33+ 77.61 грн
250+ 75.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15033G MJE15033G ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15033G MJE15033G ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15034 MJE15034 ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15034 MJE15034 onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS NPN 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE15034G MJE15034G ONSEMI MJE15035G.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+86.66 грн
10+ 72.6 грн
16+ 63.42 грн
43+ 59.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15034G MJE15034G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
MJE15034G MJE15034G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
MJE15035 MJE15035 ON Semiconductor 5mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15035 MJE15035 onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
MJE15035G MJE15035G.pdf
MJE15035G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.19 грн
10+ 81.37 грн
12+ 70.93 грн
32+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15035G MJE15035G.pdf
MJE15035G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.13 грн
10+ 97.64 грн
12+ 85.12 грн
32+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.27 грн
50+ 79.92 грн
100+ 63.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035G MJE15034_D-2316116.pdf
MJE15035G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.6 грн
10+ 87.52 грн
100+ 60.35 грн
500+ 52.21 грн
800+ 41.66 грн
2400+ 40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035G ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE15035G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.57 грн
10+ 91.37 грн
100+ 69.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+108.36 грн
10+ 87.48 грн
100+ 68.73 грн
500+ 56.56 грн
800+ 40.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+94.21 грн
159+ 74.01 грн
500+ 63.17 грн
800+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 125
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+81.92 грн
174+ 67.6 грн
500+ 59.46 грн
800+ 46.4 грн
Мінімальне замовлення: 143
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+89.77 грн
10+ 76.17 грн
100+ 62.86 грн
500+ 53.32 грн
800+ 39.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15003
Виробник: ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15004
Виробник: ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15028 mje15028-d.pdf
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15029 mje15028-d.pdf
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15030MJE15031
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15032 MJE15033
Виробник: ON
TO220 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15032MJE15033
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15034 mje15034-d.pdf
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15034MJE15035
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15035 mje15034-d.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15028 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 126210
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE15029 (транзистори біполярніе PNP)
Код товару: 126212
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36906		 mje15028-d-datasheet.pdf
MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Iscsemi
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
товар відсутній
MJE15030G
Код товару: 154352		 mje15028-d.pdf
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE15030G
Код товару: 180441		 mje15028-d.pdf
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE15031G
Код товару: 180445		 mje15028-d.pdf
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJE15031G
Код товару: 45656		 mje15028-d.pdf
MJE15031G
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJE15035
Код товару: 67258		 mje15034-d.pdf
MJE15035
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 350 V
Uкб, В: 350 V
Iк, А: 4 A
товар відсутній
MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJE15028 mje15028-d.pdf
MJE15028
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15029 mje15028-d.pdf
MJE15029
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15029G mje15028-d.pdf
MJE15029G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15029G mje15028-d.pdf
MJE15029G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15030 mje15028-d.pdf
MJE15030
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15031 mje15028-d.pdf
MJE15031
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15031G mje15028-d.pdf
MJE15031G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15031G mje15028-d.pdf
MJE15031G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15031G mje15028-d.pdf
MJE15031G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15032 mje15032-d.pdf
MJE15032
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15032 mje15032-d.pdf
MJE15032
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G mje15032-d.pdf
MJE15032G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G mje15032-d.pdf
MJE15032G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15033 mje15032-d.pdf
MJE15033
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15033 mje15032-d.pdf
MJE15033
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15033G MJE15033.PDF
MJE15033G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.46 грн
10+ 91.8 грн
12+ 81.78 грн
33+ 77.61 грн
250+ 75.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15033G mje15032-d.pdf
MJE15033G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15033G mje15032-d.pdf
MJE15033G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15034 mje15034-d.pdf
MJE15034
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15034 mje15034-d.pdf
MJE15034
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE15034G MJE15035G.pdf
MJE15034G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+86.66 грн
10+ 72.6 грн
16+ 63.42 грн
43+ 59.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15034G mje15034-d.pdf
MJE15034G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
MJE15034G mje15034-d.pdf
MJE15034G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
MJE15035 5mje15034-d.pdf
MJE15035
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15035 mje15034-d.pdf
MJE15035
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]