Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > Всі товари виробника SMC DIODE SOLUTIONS (7346) > Сторінка 104 з 123
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S3D20065F | SMC DIODE SOLUTIONS |  S3D20065F-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 80 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S3D20065H | SMC DIODE SOLUTIONS |  S3D20065H-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 26 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S3D30065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |  S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 25 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S3D30065H | SMC DIODE SOLUTIONS |  S3D30065H-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 25 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S3D40065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 16 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S3D40065D-A | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Technology: SiC Max. load current: 40A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 138 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S3D40065H2-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 22 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S3D50065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 209A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 19 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3D50065F | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 209A Kind of package: tube Max. load current: 68A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 45 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S3D50065H | SMC DIODE SOLUTIONS |  S3D50065H-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 25 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S3D60065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC Max. off-state voltage: 650V Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Case: TO247-2; TO247AC Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 50µA Power dissipation: 484W Max. forward voltage: 2V Max. load current: 128A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 17 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|  +1 | S3M0016120B | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 576W Drain current: 75A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 732W Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 732W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 287nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0025120B | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 394W Drain current: 52A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 30 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0025120D | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 517W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0025120T | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 517W Case: TOLL Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 175nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 20 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0040120B | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 333W Case: T2PAK Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 35 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0040120D | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 143nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 130W Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 291 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0040120K | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 17 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0040120N | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 483W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...20V Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S3M0040120T | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TOLL Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S4D02120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 157 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S4D02120F | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.5V Max. forward impulse current: 25A Kind of package: tube Max. load current: 14A Power dissipation: 26W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 129 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S4D02120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes | на замовлення 8 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S4D02120T | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SOD123F Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.5V Max. forward impulse current: 12A Kind of package: reel; tape Technology: SiC Power dissipation: 6.5W Max. load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 37 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S4D04120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Load current: 4A Max. forward impulse current: 46A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 89 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S4D05120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes | на замовлення 26 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S4D05120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Load current: 5A Max. forward impulse current: 46A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 100 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S4D08120A | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ufmax: 3V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 64A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 47 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S4D10120D | SMC DIODE SOLUTIONS |  S4D10120D-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 40 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S4D10120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS |  S4D10120G0TR-SMC SMD Schottky diodes | на замовлення 30 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S4D20120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S4D30120F | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 246A Kind of package: tube Max. load current: 68A Power dissipation: 191W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 18 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S4D30120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape Case: D2PAK Mounting: SMD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 40 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S4D30120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape Power dissipation: 441W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 3V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.3kA Max. load current: 94A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 15 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S4D30120H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2,TO247AC Case: TO247-2; TO247AC Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 25µA Max. forward voltage: 3V Load current: 30A Max. load current: 88A Power dissipation: 441W Max. forward impulse current: 233A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 15 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S4D40120F | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D40120F-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 40 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S4D60120D | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D60120D-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 8 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S4D80120S2 | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 41Ax2; SOT227B; screw Case: SOT227B Features of semiconductor devices: Schottky Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 41A x2 Max. load current: 82A Max. forward impulse current: 245A Kind of package: bulk Semiconductor structure: double independent Type of semiconductor module: diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 18 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S5D05170A | SMC DIODE SOLUTIONS | S5D05170A-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 55 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S5D05170H | SMC DIODE SOLUTIONS | S5D05170H-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 25 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S5D10170A2 | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO220AC; Ir: 20uA Mounting: THT Case: TO220AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Max. forward impulse current: 230A Max. load current: 44A Power dissipation: 333.4W Max. off-state voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 35 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S5D10170H | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2,TO247AC Mounting: THT Case: TO247-2; TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Max. forward impulse current: 230A Max. load current: 44A Power dissipation: 333.4W Max. off-state voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 25 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | S5D10170H2 | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2,TO247AC Mounting: THT Case: TO247-2; TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Max. forward impulse current: 230A Max. load current: 44A Power dissipation: 333.4W Max. off-state voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S5D25170A | SMC DIODE SOLUTIONS | S5D25170A-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 45 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | S5D25170F | SMC DIODE SOLUTIONS |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; ITO220AC; 171.1W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 25A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 210A Kind of package: tube Max. load current: 122A Power dissipation: 171.1W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 22 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| S5D25170H | SMC DIODE SOLUTIONS |  S5D25170H-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 19 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S5D40120D | SMC DIODE SOLUTIONS | S5D40120D-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 25 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S5MCTR | SMC DIODE SOLUTIONS |  S5MCTR-SMC SMD universal diodes | на замовлення 2940 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D02065A | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D02065A-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 87 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D06065A | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D06065A-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 40 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D06065F | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D06065F-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 58 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D06065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D06065GTR-SMC SMD Schottky diodes | на замовлення 97 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D06065I | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D06065I-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 50 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D10065A | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D10065A-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 32 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D10065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D10065D1-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 22 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D10065F | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D10065F-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 908 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D10065I | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D10065I-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 50 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| S6D20065A | SMC DIODE SOLUTIONS | S6D20065A-SMC THT Schottky diodes | на замовлення 9 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | 
| S3D20065F |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
    S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 355.70 грн | 
| 6+ | 218.60 грн | 
| 15+ | 206.19 грн | 
| S3D20065H |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
    S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 675.41 грн | 
| 4+ | 296.88 грн | 
| 11+ | 280.65 грн | 
| S3D30065D1 |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
    S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 718.59 грн | 
| 3+ | 442.93 грн | 
| 7+ | 419.07 грн | 
| S3D30065H |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
    S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 942.70 грн | 
| 3+ | 454.39 грн | 
| 7+ | 429.57 грн | 
| S3D40065D1 | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
    S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 345.42 грн | 
| 6+ | 224.33 грн | 
| 14+ | 211.92 грн | 
| S3D40065D-A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Technology: SiC
Max. load current: 40A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Technology: SiC
Max. load current: 40A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 308.41 грн | 
| 3+ | 268.64 грн | 
| 5+ | 227.19 грн | 
| 14+ | 213.83 грн | 
| 25+ | 206.19 грн | 
| S3D40065H2-A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
    S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 320.74 грн | 
| 5+ | 235.78 грн | 
| 14+ | 222.42 грн | 
| 100+ | 222.05 грн | 
| S3D50065D1 |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 341.30 грн | 
| 5+ | 252.78 грн | 
| 13+ | 230.06 грн | 
| 100+ | 227.19 грн | 
| 300+ | 220.51 грн | 
| S3D50065F |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 282.71 грн | 
| 3+ | 245.84 грн | 
| 6+ | 206.19 грн | 
| 10+ | 205.24 грн | 
| 15+ | 194.74 грн | 
| 50+ | 188.05 грн | 
| 250+ | 187.10 грн | 
| S3D50065H |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
    S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 861.48 грн | 
| 3+ | 534.57 грн | 
| 6+ | 505.93 грн | 
| S3D60065H2 | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 940.64 грн | 
| 5+ | 819.81 грн | 
| 25+ | 697.81 грн | 
| 100+ | 630.99 грн | 
| S3M0016120B |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 576W
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 576W
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 1229.52 грн | 
| 2+ | 853.52 грн | 
| 4+ | 777.04 грн | 
| 105+ | 765.58 грн | 
| S3M0016120D | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 1021.86 грн | 
| 2+ | 820.80 грн | 
| 3+ | 789.45 грн | 
| 4+ | 746.49 грн | 
| 30+ | 718.81 грн | 
| S3M0016120K | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 1064.00 грн | 
| 2+ | 850.54 грн | 
| 4+ | 774.17 грн | 
| 30+ | 744.58 грн | 
| S3M0025120B |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 394W
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 394W
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 1213.07 грн | 
| 2+ | 823.78 грн | 
| 4+ | 749.36 грн | 
| S3M0025120D |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 517W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 517W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 691.86 грн | 
| 3+ | 553.15 грн | 
| 6+ | 504.03 грн | 
| 30+ | 484.93 грн | 
| S3M0025120T |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 517W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 517W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 603.45 грн | 
| 10+ | 523.41 грн | 
| 100+ | 456.30 грн | 
| S3M0040120B |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 462.61 грн | 
| 3+ | 401.48 грн | 
| 4+ | 356.06 грн | 
| 9+ | 336.97 грн | 
| 35+ | 323.61 грн | 
| S3M0040120D |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 617.84 грн | 
| 3+ | 474.84 грн | 
| 7+ | 432.43 грн | 
| 30+ | 415.25 грн | 
| S3M0040120K |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 517.10 грн | 
| 3+ | 413.38 грн | 
| 8+ | 376.11 грн | 
| 30+ | 361.79 грн | 
| S3M0040120N |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 2021.09 грн | 
| 3+ | 1754.62 грн | 
| 10+ | 1556.94 грн | 
| S3M0040120T |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 407.10 грн | 
| 10+ | 353.90 грн | 
| 100+ | 308.33 грн | 
| S4D02120ETR |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 10+ | 32.90 грн | 
| 11+ | 29.54 грн | 
| 48+ | 23.48 грн | 
| 132+ | 22.24 грн | 
| 500+ | 21.96 грн | 
| 1000+ | 21.38 грн | 
| S4D02120F |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Power dissipation: 26W
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Power dissipation: 26W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 6+ | 57.57 грн | 
| 10+ | 35.98 грн | 
| 43+ | 26.44 грн | 
| 117+ | 25.01 грн | 
| 2000+ | 24.25 грн | 
| 5000+ | 24.15 грн | 
| S4D02120G0 | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
    S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 82.14 грн | 
| 39+ | 29.40 грн | 
| 106+ | 27.78 грн | 
| S4D02120T |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 6.5W
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 6.5W
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 6+ | 58.60 грн | 
| 11+ | 29.14 грн | 
| 52+ | 21.96 грн | 
| 142+ | 21.00 грн | 
| 3000+ | 20.33 грн | 
| S4D04120ETR |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 6+ | 53.46 грн | 
| 10+ | 47.78 грн | 
| 30+ | 37.90 грн | 
| 82+ | 35.89 грн | 
| 500+ | 35.03 грн | 
| 1000+ | 34.46 грн | 
| S4D05120G-A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
    S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 5+ | 71.86 грн | 
| 25+ | 45.53 грн | 
| 68+ | 43.15 грн | 
| S4D05120GTR |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 6+ | 53.13 грн | 
| 25+ | 45.06 грн | 
| 100+ | 40.38 грн | 
| S4D08120A |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 418.41 грн | 
| 7+ | 174.47 грн | 
| 19+ | 158.46 грн | 
| 1000+ | 152.73 грн | 
| S4D10120D |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120D-SMC THT Schottky diodes
    S4D10120D-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 344.39 грн | 
| 5+ | 231.97 грн | 
| 14+ | 219.56 грн | 
| S4D10120G0 |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
    S4D10120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3+ | 143.92 грн | 
| 13+ | 89.73 грн | 
| 35+ | 84.96 грн | 
| S4D20120G-A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 236.45 грн | 
| 10+ | 205.20 грн | 
| 50+ | 173.74 грн | 
| 200+ | 157.51 грн | 
| S4D30120F |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 246A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
Power dissipation: 191W
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 246A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
Power dissipation: 191W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 291.96 грн | 
| 3+ | 253.77 грн | 
| 5+ | 226.24 грн | 
| 10+ | 211.92 грн | 
| 50+ | 205.24 грн | 
| S4D30120G-A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 381.40 грн | 
| 5+ | 262.70 грн | 
| 13+ | 239.60 грн | 
| 800+ | 230.06 грн | 
| S4D30120GTR | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 3V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. load current: 94A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 3V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. load current: 94A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 336.16 грн | 
| 10+ | 292.44 грн | 
| 100+ | 260.60 грн | 
| 250+ | 249.15 грн | 
| 500+ | 223.37 грн | 
| 800+ | 220.51 грн | 
| S4D30120H2 |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2,TO247AC
Case: TO247-2; TO247AC
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 25µA
Max. forward voltage: 3V
Load current: 30A
Max. load current: 88A
Power dissipation: 441W
Max. forward impulse current: 233A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2,TO247AC
Case: TO247-2; TO247AC
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 25µA
Max. forward voltage: 3V
Load current: 30A
Max. load current: 88A
Power dissipation: 441W
Max. forward impulse current: 233A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 754.57 грн | 
| 3+ | 513.50 грн | 
| 7+ | 467.75 грн | 
| 300+ | 453.43 грн | 
| S4D40120F | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D40120F-SMC THT Schottky diodes
    S4D40120F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 310.46 грн | 
| 5+ | 227.19 грн | 
| 14+ | 214.78 грн | 
| S4D60120D | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D60120D-SMC THT Schottky diodes
    S4D60120D-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 675.41 грн | 
| 3+ | 494.48 грн | 
| 7+ | 467.75 грн | 
| 100+ | 466.91 грн | 
| S4D80120S2 |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 41Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 41A x2
Max. load current: 82A
Max. forward impulse current: 245A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 41Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 41A x2
Max. load current: 82A
Max. forward impulse current: 245A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 3710.14 грн | 
| 3+ | 3225.72 грн | 
| 12+ | 2737.77 грн | 
| 36+ | 2456.17 грн | 
| 120+ | 2386.48 грн | 
| S5D05170A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D05170A-SMC THT Schottky diodes
    S5D05170A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 416.35 грн | 
| 6+ | 189.01 грн | 
| 17+ | 178.51 грн | 
| S5D05170H | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D05170H-SMC THT Schottky diodes
    S5D05170H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 452.33 грн | 
| 6+ | 208.10 грн | 
| 15+ | 196.65 грн | 
| S5D10170A2 |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO220AC; Ir: 20uA
Mounting: THT
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 230A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 333.4W
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO220AC; Ir: 20uA
Mounting: THT
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 230A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 333.4W
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 613.73 грн | 
| 3+ | 418.33 грн | 
| 8+ | 379.93 грн | 
| 1000+ | 366.56 грн | 
| S5D10170H | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 230A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 333.4W
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 230A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 333.4W
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 663.08 грн | 
| 3+ | 449.06 грн | 
| 8+ | 408.57 грн | 
| 300+ | 398.07 грн | 
| S5D10170H2 | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 230A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 333.4W
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 230A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 333.4W
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 620.93 грн | 
| 3+ | 423.29 грн | 
| 8+ | 384.70 грн | 
| 300+ | 372.29 грн | 
| S5D25170A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D25170A-SMC THT Schottky diodes
    S5D25170A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 716.53 грн | 
| 3+ | 447.70 грн | 
| 7+ | 423.84 грн | 
| S5D25170F |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; ITO220AC; 171.1W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: tube
Max. load current: 122A
Power dissipation: 171.1W
кількість в упаковці: 1 шт
    Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; ITO220AC; 171.1W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: tube
Max. load current: 122A
Power dissipation: 171.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 516.07 грн | 
| 3+ | 414.37 грн | 
| 8+ | 377.06 грн | 
| 10+ | 374.20 грн | 
| 50+ | 362.75 грн | 
| S5D25170H |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D25170H-SMC THT Schottky diodes
    S5D25170H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 1379.61 грн | 
| 2+ | 866.77 грн | 
| 4+ | 819.04 грн | 
| S5D40120D | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D40120D-SMC THT Schottky diodes
    S5D40120D-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 1398.11 грн | 
| 2+ | 878.23 грн | 
| 4+ | 830.50 грн | 
| S5MCTR |  | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5MCTR-SMC SMD universal diodes
    S5MCTR-SMC SMD universal diodes
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 24+ | 13.16 грн | 
| 140+ | 8.02 грн | 
| 385+ | 7.64 грн | 
| 3000+ | 7.63 грн | 
| S6D02065A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D02065A-SMC THT Schottky diodes
    S6D02065A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 5+ | 73.20 грн | 
| 25+ | 45.25 грн | 
| 69+ | 42.77 грн | 
| S6D06065A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D06065A-SMC THT Schottky diodes
    S6D06065A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 213.83 грн | 
| 15+ | 76.37 грн | 
| 41+ | 72.55 грн | 
| S6D06065F | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D06065F-SMC THT Schottky diodes
    S6D06065F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 215.88 грн | 
| 16+ | 71.59 грн | 
| 44+ | 67.78 грн | 
| S6D06065GTR | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D06065GTR-SMC SMD Schottky diodes
    S6D06065GTR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3+ | 116.17 грн | 
| 16+ | 73.50 грн | 
| 43+ | 69.69 грн | 
| S6D06065I | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D06065I-SMC THT Schottky diodes
    S6D06065I-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 262.15 грн | 
| 13+ | 92.60 грн | 
| 34+ | 87.82 грн | 
| S6D10065A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D10065A-SMC THT Schottky diodes
    S6D10065A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 302.24 грн | 
| 10+ | 112.64 грн | 
| 28+ | 106.91 грн | 
| S6D10065D1 | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D10065D1-SMC THT Schottky diodes
    S6D10065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 352.61 грн | 
| 9+ | 138.42 грн | 
| 23+ | 130.78 грн | 
| S6D10065F | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D10065F-SMC THT Schottky diodes
    S6D10065F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 285.79 грн | 
| 11+ | 105.96 грн | 
| 30+ | 100.23 грн | 
| S6D10065I | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D10065I-SMC THT Schottky diodes
    S6D10065I-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 354.67 грн | 
| 9+ | 136.51 грн | 
| 23+ | 128.87 грн | 
| S6D20065A | 
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S6D20065A-SMC THT Schottky diodes
    S6D20065A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 218.97 грн | 
| 12+ | 100.23 грн | 
| 31+ | 94.50 грн |