Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > Всі товари виробника SMC DIODE SOLUTIONS (7362) > Сторінка 103 з 123
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S3D08065I | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 530A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3D08065LTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: DFN8x8 Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 530A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S3D10065A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D10065A-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D10065E1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D10065E1TR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D10065ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D10065ETR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D10065I | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D10065I-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D10065LTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D10065LTR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D12065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D12065GTR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S3D15065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; ITO220AC; Ufmax: 2V Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 15A Power dissipation: 50W Max. forward impulse current: 65A Max. forward voltage: 2V Max. load current: 35A Max. off-state voltage: 650V Case: ITO220AC Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3D15065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC Mounting: THT Case: TO247-2; TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 15A Max. forward voltage: 1.7V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3D15065I | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 15µA Load current: 15A Power dissipation: 116W Max. forward impulse current: 102A Max. forward voltage: 2V Max. load current: 42A Max. off-state voltage: 650V Case: TO220ISO Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S3D20065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D20065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D20065E | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D20065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D20065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D30065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D30065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D40065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S3D40065D-A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Technology: SiC Max. load current: 40A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S3D40065H2-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D50065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D50065D1-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D50065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D50065F-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3D50065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S3D60065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC Max. off-state voltage: 650V Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Case: TO247-2; TO247AC Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 50µA Power dissipation: 484W Max. forward voltage: 2V Max. load current: 128A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S3M0016120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3M0016120B-SMC SMD N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S3M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0016120D-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S3M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 732W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 287nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3M0025120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 52A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 394W Case: T2PAK Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 175nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3M0025120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 517W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3M0025120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 517W Case: TOLL Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 175nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3M0040120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 333W Case: T2PAK Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S3M0040120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3M0040120D-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S3M0040120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3M0040120N | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 483W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...20V Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S3M0040120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TOLL Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S4D02120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S4D02120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
S4D02120F-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S4D02120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S4D02120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SOD123F Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.5V Max. forward impulse current: 12A Kind of package: reel; tape Technology: SiC Power dissipation: 6.5W Max. load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S4D04120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S4D05120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S4D05120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Load current: 5A Max. forward impulse current: 46A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S4D08120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
S4D08120A-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S4D10120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 3V Max. load current: 10A Max. forward impulse current: 46A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S4D10120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS |
S4D10120G0TR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S4D20120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S4D30120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
S4D30120F-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S4D30120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D30120GATR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S4D30120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape Power dissipation: 441W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 3V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.3kA Max. load current: 94A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S4D30120H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
S4D30120H2-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S4D40120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; ITO220AC; 191W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 3V Max. load current: 96A Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube Power dissipation: 191W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S4D60120D | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D60120D-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S4D80120S2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 41Ax2; SOT227B; screw Case: SOT227B Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 41A x2 Max. load current: 82A Max. forward impulse current: 245A Kind of package: bulk Semiconductor structure: double independent Type of semiconductor module: diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S5D05170A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO220AC; Ir: 10uA Power dissipation: 166.7W Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 10µA Max. forward voltage: 2.6V Load current: 5A Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 115A Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S5D05170H | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO247-2,TO247AC Power dissipation: 166.7W Case: TO247-2; TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 10µA Max. forward voltage: 2.6V Load current: 5A Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 115A Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S5D10170A2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
S5D10170A2-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S5D10170H | SMC DIODE SOLUTIONS | S5D10170H-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S5D10170H2 | SMC DIODE SOLUTIONS | S5D10170H2-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S5D25170A | SMC DIODE SOLUTIONS | S5D25170A-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| S3D08065I |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.15 грн |
| 10+ | 165.34 грн |
| 25+ | 151.54 грн |
| 100+ | 143.87 грн |
| 250+ | 128.52 грн |
| 500+ | 126.60 грн |
| S3D08065LTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.62 грн |
| 10+ | 97.61 грн |
| 25+ | 89.20 грн |
| 100+ | 85.36 грн |
| 250+ | 75.77 грн |
| 500+ | 74.81 грн |
| S3D10065A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065A-SMC THT Schottky diodes
S3D10065A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.01 грн |
| 15+ | 76.73 грн |
| 41+ | 72.89 грн |
| S3D10065E1 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065E1TR-SMC SMD Schottky diodes
S3D10065E1TR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.77 грн |
| 21+ | 55.63 грн |
| 56+ | 52.75 грн |
| S3D10065ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D10065ETR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.52 грн |
| 21+ | 56.20 грн |
| 56+ | 53.14 грн |
| S3D10065I |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065I-SMC THT Schottky diodes
S3D10065I-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 433.82 грн |
| 7+ | 164.01 грн |
| 19+ | 155.38 грн |
| S3D10065LTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065LTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D10065LTR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.54 грн |
| 12+ | 95.91 грн |
| 33+ | 90.16 грн |
| S3D12065GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D12065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D12065GTR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.88 грн |
| 16+ | 74.81 грн |
| 42+ | 70.98 грн |
| S3D15065F |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; ITO220AC; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Power dissipation: 50W
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 35A
Max. off-state voltage: 650V
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; ITO220AC; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Power dissipation: 50W
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 35A
Max. off-state voltage: 650V
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.42 грн |
| 4+ | 92.63 грн |
| 10+ | 76.73 грн |
| 50+ | 71.93 грн |
| S3D15065H |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Max. forward voltage: 1.7V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Max. forward voltage: 1.7V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.57 грн |
| 10+ | 95.91 грн |
| S3D15065I |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 15µA
Load current: 15A
Power dissipation: 116W
Max. forward impulse current: 102A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 15µA
Load current: 15A
Power dissipation: 116W
Max. forward impulse current: 102A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 377.01 грн |
| 10+ | 243.03 грн |
| 50+ | 193.74 грн |
| 100+ | 178.40 грн |
| 250+ | 173.60 грн |
| S3D20065D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 483.40 грн |
| 4+ | 297.33 грн |
| 11+ | 281.02 грн |
| S3D20065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 491.66 грн |
| 4+ | 302.13 грн |
| 11+ | 285.82 грн |
| S3D20065E |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.10 грн |
| 12+ | 99.75 грн |
| 32+ | 93.99 грн |
| S3D20065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 357.39 грн |
| 6+ | 219.64 грн |
| 15+ | 207.17 грн |
| S3D20065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 678.62 грн |
| 4+ | 298.29 грн |
| 11+ | 281.98 грн |
| S3D30065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 722.00 грн |
| 3+ | 445.04 грн |
| 7+ | 421.06 грн |
| S3D30065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 947.18 грн |
| 3+ | 456.54 грн |
| 7+ | 431.61 грн |
| S3D40065D1 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 347.06 грн |
| 6+ | 225.40 грн |
| 14+ | 212.93 грн |
| S3D40065D-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Technology: SiC
Max. load current: 40A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Technology: SiC
Max. load current: 40A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 312.97 грн |
| 3+ | 271.91 грн |
| 10+ | 231.15 грн |
| 25+ | 209.09 грн |
| S3D40065H2-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 322.27 грн |
| 5+ | 236.90 грн |
| 14+ | 223.48 грн |
| 100+ | 223.11 грн |
| S3D50065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D50065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.62 грн |
| 5+ | 245.54 грн |
| 13+ | 232.11 грн |
| S3D50065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065F-SMC THT Schottky diodes
S3D50065F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.64 грн |
| 6+ | 208.13 грн |
| 15+ | 196.62 грн |
| 1000+ | 196.22 грн |
| S3D50065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 865.58 грн |
| 3+ | 537.11 грн |
| 6+ | 508.34 грн |
| S3D60065H2 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 942.01 грн |
| 5+ | 821.71 грн |
| 25+ | 699.20 грн |
| 100+ | 633.98 грн |
| S3M0016120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0016120B-SMC SMD N channel transistors
S3M0016120B-SMC SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1315.92 грн |
| 2+ | 828.69 грн |
| 4+ | 783.61 грн |
| S3M0016120D |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0016120D-SMC THT N channel transistors
S3M0016120D-SMC THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1092.82 грн |
| 2+ | 797.04 грн |
| 4+ | 752.92 грн |
| 150+ | 751.99 грн |
| S3M0016120K |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1069.06 грн |
| 2+ | 854.58 грн |
| 4+ | 777.85 грн |
| 30+ | 748.12 грн |
| S3M0025120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 394W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 394W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1142.40 грн |
| 3+ | 989.05 грн |
| 10+ | 843.07 грн |
| 35+ | 755.79 грн |
| 105+ | 732.77 грн |
| S3M0025120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 517W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 517W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 695.15 грн |
| 3+ | 555.78 грн |
| 6+ | 506.42 грн |
| 30+ | 487.24 грн |
| S3M0025120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 517W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 517W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 606.32 грн |
| 10+ | 525.90 грн |
| 100+ | 458.46 грн |
| S3M0040120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 431.76 грн |
| 3+ | 375.50 грн |
| 10+ | 326.10 грн |
| S3M0040120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120D-SMC THT N channel transistors
S3M0040120D-SMC THT N channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 661.06 грн |
| 3+ | 461.34 грн |
| 7+ | 436.40 грн |
| 150+ | 435.26 грн |
| S3M0040120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 519.55 грн |
| 3+ | 415.34 грн |
| 8+ | 377.90 грн |
| 30+ | 363.51 грн |
| S3M0040120N |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2051.35 грн |
| 3+ | 1780.88 грн |
| 10+ | 1561.46 грн |
| S3M0040120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.16 грн |
| 10+ | 359.56 грн |
| 100+ | 306.92 грн |
| S4D02120ETR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.95 грн |
| 12+ | 26.59 грн |
| 50+ | 24.84 грн |
| 100+ | 21.96 грн |
| 250+ | 21.58 грн |
| S4D02120F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120F-SMC THT Schottky diodes
S4D02120F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.46 грн |
| 43+ | 26.76 грн |
| 117+ | 25.23 грн |
| S4D02120G0 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.53 грн |
| 39+ | 29.54 грн |
| 106+ | 27.91 грн |
| S4D02120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 6.5W
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 6.5W
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.88 грн |
| 11+ | 29.28 грн |
| 52+ | 22.06 грн |
| 142+ | 21.10 грн |
| 3000+ | 20.43 грн |
| S4D04120ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.60 грн |
| 30+ | 38.27 грн |
| 82+ | 36.16 грн |
| S4D05120G-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.20 грн |
| 25+ | 45.75 грн |
| 68+ | 43.35 грн |
| S4D05120GTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.39 грн |
| 25+ | 45.27 грн |
| 100+ | 40.57 грн |
| S4D08120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D08120A-SMC THT Schottky diodes
S4D08120A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 446.22 грн |
| 7+ | 169.77 грн |
| 19+ | 160.17 грн |
| S4D10120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 3V
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 46A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 3V
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 46A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 296.44 грн |
| 10+ | 266.93 грн |
| 50+ | 244.58 грн |
| 100+ | 218.68 грн |
| 300+ | 214.84 грн |
| S4D10120G0 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
S4D10120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.61 грн |
| 13+ | 90.16 грн |
| 35+ | 85.36 грн |
| S4D20120G-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.60 грн |
| 10+ | 207.17 грн |
| 50+ | 175.52 грн |
| 200+ | 158.26 грн |
| S4D30120F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D30120F-SMC THT Schottky diodes
S4D30120F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 311.94 грн |
| 5+ | 228.27 грн |
| 14+ | 215.80 грн |
| S4D30120G-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D30120GATR-SMC SMD Schottky diodes
S4D30120GATR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.00 грн |
| 5+ | 255.13 грн |
| 13+ | 240.74 грн |
| S4D30120GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 3V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. load current: 94A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; reel,tape
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 3V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. load current: 94A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 337.76 грн |
| 10+ | 293.83 грн |
| 100+ | 261.84 грн |
| 250+ | 250.33 грн |
| 500+ | 224.44 грн |
| 800+ | 221.56 грн |
| S4D30120H2 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D30120H2-SMC THT Schottky diodes
S4D30120H2-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 806.70 грн |
| 3+ | 498.75 грн |
| 7+ | 471.89 грн |
| S4D40120F |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; ITO220AC; 191W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. load current: 96A
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Power dissipation: 191W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; ITO220AC; 191W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. load current: 96A
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Power dissipation: 191W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.52 грн |
| 3+ | 232.07 грн |
| 10+ | 209.09 грн |
| S4D60120D |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D60120D-SMC THT Schottky diodes
S4D60120D-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 678.62 грн |
| 3+ | 496.83 грн |
| 7+ | 469.97 грн |
| 100+ | 469.12 грн |
| S4D80120S2 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 41Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 41A x2
Max. load current: 82A
Max. forward impulse current: 245A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 41Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 41A x2
Max. load current: 82A
Max. forward impulse current: 245A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3722.60 грн |
| 3+ | 3236.06 грн |
| 12+ | 2745.98 грн |
| 36+ | 2464.00 грн |
| 120+ | 2402.62 грн |
| S5D05170A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO220AC; Ir: 10uA
Power dissipation: 166.7W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 5A
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 115A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO220AC; Ir: 10uA
Power dissipation: 166.7W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 5A
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 115A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 354.29 грн |
| 10+ | 229.08 грн |
| 50+ | 183.19 грн |
| 100+ | 172.64 грн |
| S5D05170H |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO247-2,TO247AC
Power dissipation: 166.7W
Case: TO247-2; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 5A
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 115A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO247-2,TO247AC
Power dissipation: 166.7W
Case: TO247-2; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 5A
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 115A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.27 грн |
| 10+ | 254.98 грн |
| 100+ | 190.87 грн |
| S5D10170A2 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D10170A2-SMC THT Schottky diodes
S5D10170A2-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 651.76 грн |
| 3+ | 406.67 грн |
| 8+ | 384.61 грн |
| S5D10170H |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D10170H-SMC THT Schottky diodes
S5D10170H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 704.44 грн |
| 3+ | 435.44 грн |
| 8+ | 411.47 грн |
| S5D10170H2 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D10170H2-SMC THT Schottky diodes
S5D10170H2-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 660.03 грн |
| 3+ | 412.42 грн |
| 8+ | 389.41 грн |
| S5D25170A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S5D25170A-SMC THT Schottky diodes
S5D25170A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 719.94 грн |
| 3+ | 449.83 грн |
| 7+ | 425.85 грн |























