Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > Всі товари виробника SMC DIODE SOLUTIONS (7366) > Сторінка 102 з 123
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S1BBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
S1BBTR-SMC SMD universal diodes |
на замовлення 5920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
S1GTR-SMC SMD universal diodes |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1M1000170D | SMC DIODE SOLUTIONS | S1M1000170D-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1M1000170J | SMC DIODE SOLUTIONS | S1M1000170J-SMC SMD N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1M1000170K | SMC DIODE SOLUTIONS | S1M1000170K-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 310 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1MTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 2.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 2.5µs Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 15pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5019 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S2KTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2KTR-SMC SMD universal diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S2M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 224nC On-state resistance: 16mΩ Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 140A Power dissipation: 714W Pulsed drain current: 314A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S2M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 224nC On-state resistance: 16mΩ Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 140A Power dissipation: 714W Pulsed drain current: 314A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S2M0040120K-1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S2M0080120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +1 |
S2M0080120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A Pulsed drain current: 82A Power dissipation: 231W Case: TOLL Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 137mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S2M0120120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 153W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Gate-source voltage: -5...20V Drain current: 15A Gate charge: 29.6nC On-state resistance: 212mΩ Pulsed drain current: 66A Technology: SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S2M0120120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 156W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Gate-source voltage: -5...20V Drain current: 15A Gate charge: 29.6nC On-state resistance: 212mΩ Pulsed drain current: 66A Technology: SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
S2M0120120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 156W Case: TOLL Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 212mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
S2M0160120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W Mounting: SMD Technology: SiC Case: D2PAK-7 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 26.5nC On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 122W Drain current: 11A Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S2M0160120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W Mounting: THT Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 26.5nC On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 130W Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
S2M0160120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL Mounting: SMD Technology: SiC Case: TOLL Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 26.5nC On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 121W Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S2MTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2MTR-SMC SMD universal diodes |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D03065ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D03065ETR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D03065LTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D03065LTR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D04065E | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D04065ETR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S3D04065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; ITO220AC; 39W; tube Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Max. forward voltage: 2.2V Load current: 4A Max. load current: 15A Power dissipation: 39W Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 650V Case: ITO220AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D06065A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 2.4V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 700A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D06065ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: DPAK Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 700A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D06065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; 45W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 48A Kind of package: tube Max. load current: 20A Power dissipation: 45W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D06065I | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 700A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D06065LTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: DFN8x8 Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 0.5kA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D08065ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: DPAK Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 530A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D08065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; 44.5W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 60A Kind of package: tube Max. load current: 25.5A Power dissipation: 44.5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D08065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 530A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D08065I | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 530A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D08065LTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: DFN8x8 Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 530A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S3D10065A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D10065A-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D10065E1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D10065E1TR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D10065ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D10065ETR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D10065I | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D10065I-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D10065LTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D10065LTR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D12065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D12065GTR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S3D15065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; ITO220AC; Ufmax: 2V Mounting: THT Case: ITO220AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 15A Power dissipation: 50W Max. forward impulse current: 65A Max. forward voltage: 2V Max. load current: 35A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D15065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC Mounting: THT Case: TO247-2; TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 15A Max. forward voltage: 1.7V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D15065I | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V Mounting: THT Case: TO220ISO Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 15µA Load current: 15A Power dissipation: 116W Max. forward impulse current: 102A Max. forward voltage: 2V Max. load current: 42A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S3D20065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D20065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D20065E | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D20065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D20065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D30065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D30065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D40065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S3D40065D-A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Technology: SiC Max. load current: 40A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S3D40065H2-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S3D50065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 209A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3D50065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 209A Kind of package: tube Max. load current: 68A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S3D50065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S3D60065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC Max. off-state voltage: 650V Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Case: TO247-2; TO247AC Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 50µA Power dissipation: 484W Max. forward voltage: 2V Max. load current: 128A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
S3M0016120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 576W Drain current: 75A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 732W Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 732W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 287nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
S3M0025120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 394W Drain current: 52A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| S1BBTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1BBTR-SMC SMD universal diodes
S1BBTR-SMC SMD universal diodes
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.24 грн |
| 350+ | 3.22 грн |
| 960+ | 3.05 грн |
| S1GTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1GTR-SMC SMD universal diodes
S1GTR-SMC SMD universal diodes
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 5.22 грн |
| 977+ | 1.14 грн |
| 2686+ | 1.08 грн |
| S1M1000170D |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1M1000170D-SMC THT N channel transistors
S1M1000170D-SMC THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.21 грн |
| 9+ | 131.47 грн |
| 24+ | 123.91 грн |
| S1M1000170J |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1M1000170J-SMC SMD N channel transistors
S1M1000170J-SMC SMD N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.14 грн |
| 6+ | 206.20 грн |
| 15+ | 194.85 грн |
| 1000+ | 194.48 грн |
| S1M1000170K |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1M1000170K-SMC THT N channel transistors
S1M1000170K-SMC THT N channel transistors
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 366.70 грн |
| 7+ | 185.39 грн |
| 17+ | 174.98 грн |
| 1200+ | 174.84 грн |
| S1MTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 2.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 15pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 2.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 15pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.09 грн |
| 84+ | 3.54 грн |
| 151+ | 1.88 грн |
| 250+ | 1.42 грн |
| 500+ | 1.27 грн |
| 1000+ | 1.12 грн |
| 5000+ | 1.01 грн |
| S2KTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2KTR-SMC SMD universal diodes
S2KTR-SMC SMD universal diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.46 грн |
| 165+ | 6.90 грн |
| 450+ | 6.53 грн |
| S2M0016120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Power dissipation: 714W
Pulsed drain current: 314A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Power dissipation: 714W
Pulsed drain current: 314A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1810.09 грн |
| 5+ | 1573.55 грн |
| 10+ | 1335.56 грн |
| 25+ | 1199.35 грн |
| 100+ | 1169.09 грн |
| S2M0016120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Power dissipation: 714W
Pulsed drain current: 314A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 16mΩ
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Power dissipation: 714W
Pulsed drain current: 314A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3720.00 грн |
| 5+ | 3221.75 грн |
| 10+ | 2750.57 грн |
| 30+ | 2470.59 грн |
| 120+ | 2391.14 грн |
| S2M0040120K-1 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors
S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1788.70 грн |
| 2+ | 1111.39 грн |
| 3+ | 1050.85 грн |
| S2M0080120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1612.48 грн |
| 2+ | 859.79 грн |
| 4+ | 812.50 грн |
| S2M0080120T |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 231W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 231W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 331.05 грн |
| 10+ | 287.80 грн |
| 100+ | 244.98 грн |
| 250+ | 221.33 грн |
| 900+ | 211.87 грн |
| S2M0120120J |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...20V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.6nC
On-state resistance: 212mΩ
Pulsed drain current: 66A
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...20V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.6nC
On-state resistance: 212mΩ
Pulsed drain current: 66A
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 438.01 грн |
| 10+ | 290.74 грн |
| 50+ | 253.49 грн |
| 100+ | 243.09 грн |
| 250+ | 241.19 грн |
| S2M0120120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...20V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.6nC
On-state resistance: 212mΩ
Pulsed drain current: 66A
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...20V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.6nC
On-state resistance: 212mΩ
Pulsed drain current: 66A
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 407.45 грн |
| 10+ | 279.94 грн |
| 30+ | 255.38 грн |
| 150+ | 233.63 грн |
| 300+ | 223.22 грн |
| 600+ | 213.76 грн |
| S2M0120120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 291.33 грн |
| 10+ | 188.59 грн |
| 100+ | 150.39 грн |
| 250+ | 142.83 грн |
| S2M0160120J |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Mounting: SMD
Technology: SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 122W
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Mounting: SMD
Technology: SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 122W
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 502.18 грн |
| 10+ | 332.00 грн |
| 50+ | 288.49 грн |
| 100+ | 273.35 грн |
| 250+ | 256.33 грн |
| 500+ | 244.03 грн |
| S2M0160120K |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 130W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 130W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 293.36 грн |
| 10+ | 201.36 грн |
| 30+ | 182.55 грн |
| 150+ | 173.09 грн |
| S2M0160120T |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
Mounting: SMD
Technology: SiC
Case: TOLL
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 121W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
Mounting: SMD
Technology: SiC
Case: TOLL
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 121W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.56 грн |
| 10+ | 160.11 грн |
| 100+ | 126.75 грн |
| 250+ | 122.96 грн |
| S2MTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2MTR-SMC SMD universal diodes
S2MTR-SMC SMD universal diodes
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.46 грн |
| 165+ | 6.90 грн |
| 450+ | 6.53 грн |
| S3D03065ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D03065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D03065ETR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.50 грн |
| 48+ | 23.36 грн |
| 132+ | 22.04 грн |
| S3D03065LTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D03065LTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D03065LTR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.05 грн |
| 22+ | 52.40 грн |
| 59+ | 49.47 грн |
| S3D04065E |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D04065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D04065ETR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.41 грн |
| 48+ | 23.36 грн |
| 132+ | 22.13 грн |
| S3D04065F |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; ITO220AC; 39W; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 4A
Max. load current: 15A
Power dissipation: 39W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Case: ITO220AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; ITO220AC; 39W; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 4A
Max. load current: 15A
Power dissipation: 39W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Case: ITO220AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.10 грн |
| 50+ | 28.39 грн |
| 100+ | 26.01 грн |
| 250+ | 24.50 грн |
| 500+ | 24.02 грн |
| S3D06065A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 2.4V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 2.4V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.06 грн |
| 10+ | 138.50 грн |
| 100+ | 95.53 грн |
| 250+ | 85.13 грн |
| 500+ | 77.56 грн |
| 1000+ | 74.72 грн |
| S3D06065ETR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.86 грн |
| 10+ | 40.17 грн |
| 25+ | 36.60 грн |
| 100+ | 34.52 грн |
| 250+ | 31.78 грн |
| S3D06065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; 45W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 45W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; 45W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 45W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.95 грн |
| 25+ | 144.39 грн |
| 50+ | 113.50 грн |
| 100+ | 93.64 грн |
| 250+ | 77.56 грн |
| 500+ | 73.78 грн |
| S3D06065I |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.62 грн |
| 10+ | 158.14 грн |
| 100+ | 110.67 грн |
| 250+ | 98.37 грн |
| 500+ | 90.80 грн |
| S3D06065LTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.69 грн |
| 10+ | 79.56 грн |
| 25+ | 72.83 грн |
| 100+ | 69.05 грн |
| 250+ | 62.43 грн |
| 500+ | 61.48 грн |
| S3D08065ETR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.14 грн |
| 10+ | 52.94 грн |
| 25+ | 48.71 грн |
| 100+ | 46.54 грн |
| 250+ | 41.81 грн |
| 500+ | 40.96 грн |
| S3D08065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; 44.5W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Max. load current: 25.5A
Power dissipation: 44.5W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; 44.5W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Max. load current: 25.5A
Power dissipation: 44.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.94 грн |
| 10+ | 137.51 грн |
| 25+ | 125.80 грн |
| 100+ | 120.12 грн |
| 250+ | 107.83 грн |
| 500+ | 104.99 грн |
| S3D08065GTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.27 грн |
| 10+ | 58.74 грн |
| 25+ | 53.91 грн |
| 100+ | 51.45 грн |
| 250+ | 46.25 грн |
| 500+ | 45.02 грн |
| S3D08065I |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.48 грн |
| 10+ | 163.05 грн |
| 25+ | 149.45 грн |
| 100+ | 141.88 грн |
| 250+ | 126.75 грн |
| 500+ | 124.85 грн |
| S3D08065LTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.05 грн |
| 10+ | 96.26 грн |
| 25+ | 87.97 грн |
| 100+ | 84.18 грн |
| 250+ | 74.72 грн |
| 500+ | 73.78 грн |
| S3D10065A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065A-SMC THT Schottky diodes
S3D10065A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.27 грн |
| 15+ | 75.67 грн |
| 41+ | 71.89 грн |
| S3D10065E1 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065E1TR-SMC SMD Schottky diodes
S3D10065E1TR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.70 грн |
| 21+ | 54.86 грн |
| 56+ | 52.02 грн |
| S3D10065ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D10065ETR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.25 грн |
| 21+ | 55.43 грн |
| 56+ | 52.40 грн |
| S3D10065I |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065I-SMC THT Schottky diodes
S3D10065I-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 427.82 грн |
| 7+ | 161.74 грн |
| 19+ | 153.23 грн |
| S3D10065LTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D10065LTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D10065LTR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.57 грн |
| 12+ | 94.59 грн |
| 33+ | 88.91 грн |
| S3D12065GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D12065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D12065GTR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.20 грн |
| 16+ | 73.78 грн |
| 42+ | 69.99 грн |
| S3D15065F |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; ITO220AC; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Case: ITO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Power dissipation: 50W
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 35A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; ITO220AC; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Case: ITO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Power dissipation: 50W
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 35A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.96 грн |
| 4+ | 92.33 грн |
| 10+ | 77.56 грн |
| 50+ | 70.94 грн |
| S3D15065H |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Max. forward voltage: 1.7V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Max. forward voltage: 1.7V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.08 грн |
| 10+ | 94.59 грн |
| S3D15065I |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 15µA
Load current: 15A
Power dissipation: 116W
Max. forward impulse current: 102A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 15µA
Load current: 15A
Power dissipation: 116W
Max. forward impulse current: 102A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 378.93 грн |
| 10+ | 244.58 грн |
| 50+ | 194.85 грн |
| 100+ | 178.77 грн |
| 250+ | 171.20 грн |
| S3D20065D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 476.71 грн |
| 4+ | 293.22 грн |
| 11+ | 277.14 грн |
| S3D20065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 484.86 грн |
| 4+ | 297.95 грн |
| 11+ | 281.87 грн |
| S3D20065E |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 157.89 грн |
| 12+ | 98.37 грн |
| 32+ | 92.69 грн |
| S3D20065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.44 грн |
| 6+ | 216.60 грн |
| 15+ | 204.31 грн |
| S3D20065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 669.23 грн |
| 4+ | 294.16 грн |
| 11+ | 278.08 грн |
| S3D30065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 712.02 грн |
| 3+ | 438.88 грн |
| 7+ | 415.23 грн |
| S3D30065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 934.08 грн |
| 3+ | 450.23 грн |
| 7+ | 425.64 грн |
| S3D40065D1 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.26 грн |
| 6+ | 222.28 грн |
| 14+ | 209.98 грн |
| S3D40065D-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Technology: SiC
Max. load current: 40A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Technology: SiC
Max. load current: 40A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 308.64 грн |
| 3+ | 268.15 грн |
| 10+ | 227.95 грн |
| 25+ | 206.20 грн |
| S3D40065H2-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 317.81 грн |
| 5+ | 233.63 грн |
| 14+ | 220.39 грн |
| 100+ | 220.02 грн |
| S3D50065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 338.18 грн |
| 5+ | 250.47 грн |
| 13+ | 227.95 грн |
| 100+ | 225.12 грн |
| 300+ | 218.49 грн |
| S3D50065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.12 грн |
| 3+ | 243.60 грн |
| 6+ | 204.31 грн |
| 10+ | 203.36 грн |
| 15+ | 192.96 грн |
| 50+ | 186.33 грн |
| 250+ | 185.39 грн |
| S3D50065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 853.60 грн |
| 3+ | 529.68 грн |
| 6+ | 501.31 грн |
| S3D60065H2 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 932.04 грн |
| 5+ | 812.31 грн |
| 25+ | 691.43 грн |
| 100+ | 625.21 грн |
| S3M0016120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 576W
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 576W
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1218.27 грн |
| 2+ | 845.71 грн |
| 4+ | 769.93 грн |
| 105+ | 758.58 грн |
| S3M0016120D |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1012.51 грн |
| 2+ | 813.30 грн |
| 3+ | 782.23 грн |
| 4+ | 739.66 грн |
| 30+ | 712.23 грн |
| S3M0016120K |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1054.27 грн |
| 2+ | 842.76 грн |
| 4+ | 767.09 грн |
| 30+ | 737.77 грн |
| S3M0025120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 394W
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 394W
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1201.97 грн |
| 2+ | 816.24 грн |
| 4+ | 742.50 грн |





























