Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170387) > Сторінка 1159 з 2840
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF16N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF16N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 16.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF16N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A On-state resistance: 279mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 29.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF18N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 16.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF18NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF19NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MESH OVERLAY™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.45A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF19NM50N | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF20N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF20NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF21N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STF22N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 43A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 20.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF22N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF22NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF23N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STF23NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: FDmesh™ II Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF24N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF24N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 52.5A Case: TO220FP On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M6 кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF24NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF25N60M2-EP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 188mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF25N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STF26N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF26NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF28NM50N | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STF33N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 128mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF33N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Pulsed drain current: 78A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 33.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF33N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 116A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF35N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 40W Gate charge: 56.3nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF36N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A On-state resistance: 95mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF3LN80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STF3N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF3N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF3NK100Z | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF3NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF40N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF40N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 32A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Pulsed drain current: 128A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF40NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 40W; TO220FP Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF42N60M2-EP | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF43N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF45N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 40W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 22A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STF4N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STF4N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 20W Gate charge: 5.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 174 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 42A; Idm: 168A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 42A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF5N105K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STF5N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.5A; Idm: 14A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STF5N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF5N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF5N95K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF5N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF5NK100Z | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STF6N65K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 21.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STF6N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 9.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STF16N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF16N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 185.32 грн |
10+ | 113.02 грн |
28+ | 103.25 грн |
500+ | 99.53 грн |
1000+ | 98.60 грн |
STF16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
On-state resistance: 279mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
On-state resistance: 279mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.47 грн |
3+ | 239.56 грн |
7+ | 176.73 грн |
18+ | 166.50 грн |
STF16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 513.88 грн |
3+ | 398.94 грн |
8+ | 363.70 грн |
50+ | 362.77 грн |
100+ | 348.81 грн |
STF18N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 218.38 грн |
10+ | 161.31 грн |
11+ | 102.32 грн |
30+ | 96.74 грн |
500+ | 93.95 грн |
STF18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 297.51 грн |
10+ | 114.95 грн |
28+ | 104.18 грн |
100+ | 100.46 грн |
STF19NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.27 грн |
16+ | 71.48 грн |
44+ | 65.11 грн |
500+ | 64.18 грн |
1000+ | 63.25 грн |
STF19NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF19NM50N THT N channel transistors
STF19NM50N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF20N95K5 THT N channel transistors
STF20N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF20NF20 THT N channel transistors
STF20NF20 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF21N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF21N65M5 THT N channel transistors
STF21N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 413.71 грн |
5+ | 270.68 грн |
12+ | 255.80 грн |
STF22N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 252.43 грн |
3+ | 226.03 грн |
8+ | 149.76 грн |
20+ | 141.39 грн |
STF22N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 218.38 грн |
3+ | 204.78 грн |
6+ | 183.24 грн |
17+ | 173.01 грн |
50+ | 168.36 грн |
100+ | 166.50 грн |
STF22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 227.39 грн |
9+ | 126.54 грн |
25+ | 115.34 грн |
STF23N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF23N80K5 THT N channel transistors
STF23N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 480.83 грн |
4+ | 277.19 грн |
11+ | 262.31 грн |
STF23NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.41 грн |
3+ | 208.64 грн |
8+ | 154.41 грн |
20+ | 146.04 грн |
STF24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 241.42 грн |
3+ | 210.58 грн |
8+ | 154.41 грн |
20+ | 146.04 грн |
STF24N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF24N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 247.43 грн |
8+ | 156.48 грн |
20+ | 142.32 грн |
500+ | 138.60 грн |
1000+ | 137.67 грн |
STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.49 грн |
8+ | 144.89 грн |
22+ | 132.08 грн |
500+ | 126.50 грн |
STF25N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 220.38 грн |
3+ | 209.61 грн |
8+ | 148.83 грн |
21+ | 140.46 грн |
100+ | 137.67 грн |
250+ | 134.88 грн |
STF25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF25N80K5 THT N channel transistors
STF25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 569.98 грн |
4+ | 348.81 грн |
9+ | 330.21 грн |
STF26N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF26N60DM6 THT N channel transistors
STF26N60DM6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 655.13 грн |
7+ | 183.53 грн |
17+ | 167.43 грн |
STF28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 294.51 грн |
6+ | 192.22 грн |
17+ | 174.87 грн |
500+ | 169.29 грн |
1000+ | 167.43 грн |
STF28NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF28NM50N THT N channel transistors
STF28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 376.65 грн |
6+ | 181.38 грн |
17+ | 172.08 грн |
STF33N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF33N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF33N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF33N65M2 THT N channel transistors
STF33N65M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 486.84 грн |
3+ | 423.09 грн |
4+ | 328.35 грн |
10+ | 309.75 грн |
STF35N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF35N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 580.00 грн |
3+ | 385.41 грн |
9+ | 350.68 грн |
STF36N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 95mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 95mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF3LN80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF3LN80K5 THT N channel transistors
STF3LN80K5 THT N channel transistors
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.23 грн |
17+ | 66.97 грн |
45+ | 63.25 грн |
STF3N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF3N62K3 THT N channel transistors
STF3N62K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF3N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF3N80K5 THT N channel transistors
STF3N80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF3NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF3NK100Z THT N channel transistors
STF3NK100Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF3NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.40 грн |
25+ | 46.37 грн |
68+ | 41.86 грн |
STF40N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 469.81 грн |
4+ | 312.00 грн |
10+ | 284.63 грн |
STF40N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 40W; TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 40W; TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.47 грн |
7+ | 169.04 грн |
19+ | 154.41 грн |
50+ | 148.83 грн |
STF42N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF42N60M2-EP THT N channel transistors
STF42N60M2-EP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF43N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 601.03 грн |
3+ | 525.48 грн |
6+ | 478.11 грн |
50+ | 459.51 грн |
STF4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF4N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.29 грн |
10+ | 136.20 грн |
12+ | 94.88 грн |
32+ | 89.30 грн |
1000+ | 86.51 грн |
STF57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 42A; Idm: 168A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 42A; Idm: 168A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF5N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF5N105K5 THT N channel transistors
STF5N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF5N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.5A; Idm: 14A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.5A; Idm: 14A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF5N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF5N62K3 THT N channel transistors
STF5N62K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF5N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF5N80K5 THT N channel transistors
STF5N80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF5N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF5N95K3 THT N channel transistors
STF5N95K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF5N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF5N95K5 THT N channel transistors
STF5N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF5NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF5NK100Z THT N channel transistors
STF5NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.46 грн |
11+ | 106.04 грн |
29+ | 99.53 грн |
STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 163.28 грн |
10+ | 87.90 грн |
16+ | 69.76 грн |
44+ | 66.04 грн |
250+ | 63.25 грн |
STF6N65K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 21.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 21.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STF6N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.