Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170168) > Сторінка 1159 з 2837

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1154 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2837  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157911.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.40 грн
10+161.08 грн
12+95.24 грн
31+89.80 грн
5000+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4 STMicroelectronics en.DM00372350.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.98 грн
5+164.84 грн
10+137.88 грн
12+92.52 грн
32+87.08 грн
100+85.27 грн
500+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4 STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics stgb14nc60kdt4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00096991.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4 STMicroelectronics en.CD00182201.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.59 грн
10+197.81 грн
11+100.69 грн
30+95.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65DFB2 STMicroelectronics stgb20h65dfb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65FB2 STMicroelectronics stgb20h65fb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 STMicroelectronics en.DM00244727.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N40LZ STMicroelectronics en.DM00077187.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAG STMicroelectronics en.DM00242156.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics en.CD00003294.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAG STMicroelectronics STGB25N40LZAG.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 149nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics en.DM00336135.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2 STMicroelectronics stgb30h65dfb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STMicroelectronics STGB30M65DF2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF STGB30V60DF STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics STGx3NC120HD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB STMicroelectronics en.DM00306732.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB4M65DF2 STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 4A; 86W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 4A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2 STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6M65DF2 STMicroelectronics en.DM00250133.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00058424.pdf description Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00003695.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00171973.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STMicroelectronics en.DM00049493.pdf STGD10HF60KD SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.27 грн
5+98.91 грн
13+82.54 грн
36+78.01 грн
500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4
+1
 		STGD18N40LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECE40D2&compId=stgd18n40lzt4.pdf?ci_sign=587c907cc8fd0af7fa9ac6b94e46f84477dd8e56 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ STMicroelectronics en.DM00082246.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZ STMicroelectronics en.DM00077187.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAG STMicroelectronics en.DM00242156.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAG STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAG STMicroelectronics en.DM00431184.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics en.CD00277878.pdf STGD3HF60HDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DF STMicroelectronics stgd4h60df.pdf STGD4H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249139.pdf STGD4M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.36 грн
10+75.83 грн
24+44.72 грн
50+44.63 грн
66+42.18 грн
500+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics en.CD00003381.pdf STGD5NB120SZT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 STMicroelectronics en.DM00250120.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1 STMicroelectronics en.DM00096283.pdf STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECF80D2&compId=stgd6nc60hdt4.pdf?ci_sign=766975cac35051e79648c6298fc6b84741ccb84d Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.66 грн
5+84.78 грн
18+62.59 грн
48+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4 STGD7NB60ST4 STMicroelectronics en.cd00001598.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 55W
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.07 грн
5+129.99 грн
11+104.31 грн
29+98.87 грн
500+97.96 грн
1000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4 STMicroelectronics stgd7nc60ht4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00171973.pdf STGD8NC60KDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60S STGE200NB60S STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29B9E05D0C19DF19A99005056AB752F&compId=stge200nb60s.pdf?ci_sign=9135ba033cb0b6ae7ea04c9f5423965263934d14 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157910.pdf STGF10M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF en.DM00092752.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 en.DM00157911.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.40 грн
10+161.08 грн
12+95.24 грн
31+89.80 грн
5000+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4 en.DM00372350.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4
STGB10NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.98 грн
5+164.84 грн
10+137.88 грн
12+92.52 грн
32+87.08 грн
100+85.27 грн
500+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 en.CD00058414.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4 stgb14nc60kdt4.pdf
STGB14NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF en.DM00092755.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 en.DM00096991.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4 en.CD00182201.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.59 грн
10+197.81 грн
11+100.69 грн
30+95.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H60DF en.DM00066598.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65DFB2 stgb20h65dfb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65FB2 stgb20h65fb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 en.DM00244727.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N40LZ en.DM00077187.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAG en.DM00242156.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 en.CD00003294.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DF en.DM00079434.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAG STGB25N40LZAG.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB en.DM00125119.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 149nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLLFBAG en.DM00336135.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2 stgb30h65dfb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF stgb30v60df.pdf
STGB30V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4 STGx3NC120HD.pdf
STGB3NC120HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB en.DM00306732.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F en.DM00086251.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB4M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 4A; 86W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 4A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB5H60DF en.DM00149621.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6M65DF2 en.DM00250133.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDT4 description en.CD00058424.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DF en.DM00164492.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4 en.CD00003695.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4 en.CD00171973.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD en.DM00049493.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGD10HF60KD SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc
STGD10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.27 грн
5+98.91 грн
13+82.54 грн
36+78.01 грн
500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECE40D2&compId=stgd18n40lzt4.pdf?ci_sign=587c907cc8fd0af7fa9ac6b94e46f84477dd8e56
STGD18N40LZT4
+1
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ en.DM00082246.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZ en.DM00077187.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAG en.DM00242156.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAG
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAG en.DM00431184.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 en.CD00277878.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGD3HF60HDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SD.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DF stgd4h60df.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGD4H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2 en.DM00249139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGD4M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.36 грн
10+75.83 грн
24+44.72 грн
50+44.63 грн
66+42.18 грн
500+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4 en.CD00003381.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGD5NB120SZT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 en.DM00250120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1 en.DM00096283.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECF80D2&compId=stgd6nc60hdt4.pdf?ci_sign=766975cac35051e79648c6298fc6b84741ccb84d
STGD6NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+98.66 грн
5+84.78 грн
18+62.59 грн
48+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4 en.cd00001598.pdf
STGD7NB60ST4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 55W
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.07 грн
5+129.99 грн
11+104.31 грн
29+98.87 грн
500+97.96 грн
1000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4 stgd7nc60ht4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4 en.CD00171973.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGD8NC60KDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29B9E05D0C19DF19A99005056AB752F&compId=stge200nb60s.pdf?ci_sign=9135ba033cb0b6ae7ea04c9f5423965263934d14
STGE200NB60S
Виробник: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DF en.DM00092752.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10M65DF2 en.DM00157910.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF10M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1154 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2837  [ Наступна Сторінка >> ]