Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170314) > Сторінка 1164 з 2839
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGW10M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW15H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW15H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW15M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 21A Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 140W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 53nC Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW20H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW20H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW20IH125DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW20NC60V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW20NC60VD | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW20V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGW20V60F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW25H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW25H120F2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW25M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW28IH125DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STGW30H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW30NC120HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 220W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 135A Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW30NC60KD | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGW30NC60VD | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW30NC60WD | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STGW30V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 258W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 163nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW39NC60VD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW40H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGW40H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW40H60DLFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW40H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW40H65DFB-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW40H65FB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW40M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW40NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 38A Pulsed collector current: 220A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW40V60F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW50H65DFB2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW60H65DFB-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW60H65DRF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW60H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW60V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW60V60F | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW75H65DFB2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 71A Power dissipation: 357W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW75M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW80H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW80H65DFB-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW80V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW8M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA100H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 91A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 288nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA15H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGWA15H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA15S120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25IH135DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STGW10M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW10M65DF2 THT IGBT transistors
STGW10M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW15H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW15H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW15M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 277.48 грн |
3+ | 241.49 грн |
7+ | 177.66 грн |
17+ | 168.36 грн |
STGW20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20H60DF THT IGBT transistors
STGW20H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW20H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20H65FB THT IGBT transistors
STGW20H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW20IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 343.59 грн |
6+ | 204.78 грн |
16+ | 186.03 грн |
120+ | 181.38 грн |
STGW20NC60V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 294.51 грн |
8+ | 154.55 грн |
21+ | 140.46 грн |
600+ | 134.88 грн |
STGW20NC60VD | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 321.55 грн |
8+ | 156.48 грн |
20+ | 142.32 грн |
510+ | 137.67 грн |
STGW20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 319.55 грн |
6+ | 208.36 грн |
15+ | 197.20 грн |
510+ | 196.09 грн |
STGW20V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60F THT IGBT transistors
STGW20V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW25H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW25H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW25M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW28IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 333.57 грн |
3+ | 289.78 грн |
6+ | 214.87 грн |
14+ | 203.71 грн |
STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW30H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30H65FB THT IGBT transistors
STGW30H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW30NC120HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 386.67 грн |
3+ | 335.18 грн |
5+ | 259.52 грн |
12+ | 245.57 грн |
30+ | 241.84 грн |
STGW30NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30NC60KD THT IGBT transistors
STGW30NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 544.94 грн |
6+ | 187.89 грн |
16+ | 177.66 грн |
STGW30NC60VD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30NC60VD THT IGBT transistors
STGW30NC60VD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW30NC60WD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30NC60WD THT IGBT transistors
STGW30NC60WD THT IGBT transistors
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 425.73 грн |
4+ | 305.10 грн |
10+ | 288.35 грн |
STGW30V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 163nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 163nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 341.59 грн |
3+ | 296.55 грн |
5+ | 218.59 грн |
14+ | 206.50 грн |
STGW39NC60VD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 348.60 грн |
6+ | 189.33 грн |
17+ | 172.08 грн |
1020+ | 165.57 грн |
STGW40H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1071.84 грн |
2+ | 639.03 грн |
5+ | 604.61 грн |
STGW40H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40H60DLFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.46 грн |
5+ | 228.93 грн |
10+ | 215.80 грн |
14+ | 208.36 грн |
90+ | 200.92 грн |
120+ | 199.99 грн |
STGW40H65DFB-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 492.85 грн |
3+ | 428.88 грн |
4+ | 309.75 грн |
10+ | 292.07 грн |
3000+ | 283.70 грн |
9000+ | 280.91 грн |
STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 384.66 грн |
7+ | 187.39 грн |
17+ | 171.15 грн |
120+ | 163.71 грн |
STGW40V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40V60F THT IGBT transistors
STGW40V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW50H65DFB2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 362.62 грн |
3+ | 313.93 грн |
5+ | 236.26 грн |
13+ | 223.24 грн |
STGW60H65DFB-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW60H65DRF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW60H65DRF THT IGBT transistors
STGW60H65DRF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW60H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW60H65FB THT IGBT transistors
STGW60H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW60V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 413.71 грн |
3+ | 340.98 грн |
5+ | 238.12 грн |
13+ | 225.10 грн |
STGW60V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW75H65DFB2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 809.39 грн |
2+ | 577.64 грн |
6+ | 525.55 грн |
STGW75M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW80H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 777.34 грн |
3+ | 516.78 грн |
7+ | 470.67 грн |
STGW80H65DFB-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW80V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW80V60DF THT IGBT transistors
STGW80V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW8M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA100H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 360.62 грн |
6+ | 216.73 грн |
14+ | 204.64 грн |
STGWA15H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15S120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25IH135DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.