Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170387) > Сторінка 1160 з 2840

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 284 568 852 1136 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1420 1704 1988 2272 2556 2840  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085454.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.33 грн
10+146.82 грн
11+102.32 грн
30+96.74 грн
1000+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5 STF6N95K5 STMicroelectronics STF6N95K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.29 грн
3+146.82 грн
10+113.48 грн
27+107.90 грн
250+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF7LN80K5 STMicroelectronics en.DM00256224.pdf STF7LN80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf STF7N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60DM2 STMicroelectronics en.DM00407811.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2 STMicroelectronics en.DM00088735.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N65M2 STMicroelectronics en.DM00127830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5 STMicroelectronics stf7n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N90K5 STMicroelectronics en.DM00334119.pdf STF7N90K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3 STMicroelectronics en.CD00223826.pdf STF7N95K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80 STMicroelectronics en.CD00126772.pdf STF7NM80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.44 грн
3+219.27 грн
8+146.04 грн
21+138.60 грн
500+135.81 грн
1000+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5 STMicroelectronics en.DM00080811.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N90K5 STMicroelectronics en.DM00346090.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100Z STMicroelectronics en.CD00073035.pdf STF8NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+416.72 грн
8+140.46 грн
22+133.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50N STMicroelectronics en.DM00042596.pdf STF8NM50N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF9NK90Z STF9NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9A838D1A56745&compId=STF9NK90Z.pdf?ci_sign=a456f5e1dee6b63db7b7be858abd9ecc3a816173 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.48 грн
10+226.03 грн
12+98.60 грн
31+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFH13N60M2 STFH13N60M2 STMicroelectronics en.DM00292908.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2 STFH24N60M2 STMicroelectronics en.DM00301433.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 46 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10NK60Z STFU10NK60Z STMicroelectronics en.DM00256590.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW12N120K5 STMicroelectronics en.DM00117846.pdf STFW12N120K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW1N105K3 STMicroelectronics STF,STFW,STP1N105K3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 20W; TO3PF
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 5.6A
Mounting: THT
Case: TO3PF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.37 грн
5+188.36 грн
8+138.39 грн
22+130.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115969.pdf STFW2N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 95mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150 STFW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.62 грн
4+284.95 грн
11+258.59 грн
60+249.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 STFW4N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69F283B646745&compId=STFW4N150.pdf?ci_sign=f393848134fa928a48c56d2cf0d44373bdbd5609 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+610.05 грн
3+405.70 грн
8+369.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STG3157CTR STG3157CTR STMicroelectronics stg3157.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.09 грн
10+33.62 грн
71+15.35 грн
195+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STG719STR STG719STR STMicroelectronics stg719.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.13 грн
10+51.87 грн
25+45.86 грн
35+31.53 грн
95+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP1BS STMicroelectronics STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP1BSTR STMicroelectronics STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2DM STMicroelectronics stgap2d.pdf STGAP2DM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2DMTR STMicroelectronics stgap2d.pdf STGAP2DMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2GSCTR STMicroelectronics stgap2gs.pdf STGAP2GSCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2GSNCTR STMicroelectronics stgap2gsn.pdf STGAP2GSNCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HDMTR STMicroelectronics stgap2hd.pdf STGAP2HDMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSCMTR STMicroelectronics stgap2hs.pdf STGAP2HSCMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSM STMicroelectronics STGAP2HSM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSMTR STMicroelectronics stgap2hs.pdf STGAP2HSMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SCM STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SCM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SCMTR STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SCMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICD STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO36-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO36-W
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.2kV
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 6kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICDTR STMicroelectronics stgap2sicd.pdf STGAP2SICDTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICS STMicroelectronics stgap2sics.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: 4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.1...5.5V
Frequency: 1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSACTR STMicroelectronics STGAP2SICSACTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSANCTR STMicroelectronics STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSC STMicroelectronics stgap2sics.pdf STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSCTR STMicroelectronics STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNC STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNCTR STMicroelectronics STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNTR STMicroelectronics stgap2sicsn.pdf STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSTR STMicroelectronics STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SM STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SMTR STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4S STMicroelectronics STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4STR STMicroelectronics stgap4s.pdf STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf STGB10H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157911.pdf STGB10M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.42 грн
10+165.18 грн
12+97.67 грн
31+92.09 грн
5000+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N80K5 en.DM00085454.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.33 грн
10+146.82 грн
11+102.32 грн
30+96.74 грн
1000+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5 STF6N95K5.pdf
STF6N95K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.29 грн
3+146.82 грн
10+113.48 грн
27+107.90 грн
250+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF7LN80K5 en.DM00256224.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF7LN80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF7N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60DM2 en.DM00407811.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2 en.DM00088735.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N65M2 en.DM00127830.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5 stf7n80k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N90K5 en.DM00334119.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF7N90K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3 en.CD00223826.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF7N95K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80 en.CD00126772.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF7NM80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979
STF8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.44 грн
3+219.27 грн
8+146.04 грн
21+138.60 грн
500+135.81 грн
1000+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5 en.DM00080811.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N90K5 en.DM00346090.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100Z en.CD00073035.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF8NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.72 грн
8+140.46 грн
22+133.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50N en.DM00042596.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF8NM50N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF9NK90Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9A838D1A56745&compId=STF9NK90Z.pdf?ci_sign=a456f5e1dee6b63db7b7be858abd9ecc3a816173
STF9NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.48 грн
10+226.03 грн
12+98.60 грн
31+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFH13N60M2 en.DM00292908.pdf
STFH13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2 en.DM00301433.pdf
STFH24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 46 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10NK60Z en.DM00256590.pdf
STFU10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW12N120K5 en.DM00117846.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW12N120K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW1N105K3 STF,STFW,STP1N105K3.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 20W; TO3PF
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 5.6A
Mounting: THT
Case: TO3PF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.37 грн
5+188.36 грн
8+138.39 грн
22+130.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 en.DM00115969.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW2N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5 en.DM00113621.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 95mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1
STFW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.62 грн
4+284.95 грн
11+258.59 грн
60+249.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69F283B646745&compId=STFW4N150.pdf?ci_sign=f393848134fa928a48c56d2cf0d44373bdbd5609
STFW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+610.05 грн
3+405.70 грн
8+369.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STG3157CTR stg3157.pdf
STG3157CTR
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.09 грн
10+33.62 грн
71+15.35 грн
195+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STG719STR stg719.pdf
STG719STR
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.13 грн
10+51.87 грн
25+45.86 грн
35+31.53 грн
95+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP1BS
Виробник: STMicroelectronics
STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP1BSTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2DM stgap2d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2DM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2DMTR stgap2d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2DMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2GSCTR stgap2gs.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2GSCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2GSNCTR stgap2gsn.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2GSNCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HDMTR stgap2hd.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2HDMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSCMTR stgap2hs.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2HSCMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSM
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2HSM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSMTR stgap2hs.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2HSMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SCM stgap2s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SCM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SCMTR stgap2s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SCMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICD
Виробник: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO36-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO36-W
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.2kV
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 6kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICDTR stgap2sicd.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICDTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICS stgap2sics.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: 4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.1...5.5V
Frequency: 1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSACTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSACTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSANCTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSC stgap2sics.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSCTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNC
Виробник: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNCTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNTR stgap2sicsn.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SM stgap2s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SMTR stgap2s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4S
Виробник: STMicroelectronics
STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4STR stgap4s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF en.DM00092752.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB10H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 en.DM00157911.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB10M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.42 грн
10+165.18 грн
12+97.67 грн
31+92.09 грн
5000+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 284 568 852 1136 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1420 1704 1988 2272 2556 2840  [ Наступна Сторінка >> ]