Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170387) > Сторінка 1161 з 2840
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 410V Collector current: 10A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 599 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB15H60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 30A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 984 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STGB20H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB20H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB20H65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB20M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB20N40LZ | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD Case: D2PAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 20A Pulsed collector current: 40A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Kind of package: reel; tape Version: ESD Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Gate charge: 24nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB20N45LZAG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB20V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB25N36LZAG | STMicroelectronics | STGB25N36LZAG SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB25N40LZAG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB30V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB40H65FB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 283W Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.21µC Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB40V60F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB4M65DF2 | STMicroelectronics | STGB4M65DF2 SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB50H65FB2 | STMicroelectronics | STGB50H65FB2 SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB5H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB6M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB7H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD10HF60KD | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
STGD18N40LZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 420V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STGD19N40LZ | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 25A Power dissipation: 125W Case: DPAK Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Application: ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD20N40LZ | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD Case: DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 25A Pulsed collector current: 40A Type of transistor: IGBT Application: ignition systems Power dissipation: 125W Kind of package: reel; tape Version: ESD Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Gate charge: 24nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD20N45LZAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: DPAK Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Application: ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD25N36LZAG | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: DPAK Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 25.7nC Kind of package: reel; tape Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD25N40LZAG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3A Pulsed collector current: 25A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 48W Gate charge: 18nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD4H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD4M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STGD5H60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 5A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 10A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STGD6M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD6NC60H-1 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 56W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1812 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2082 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 8A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STGE200NB60S | STMicroelectronics |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 0.6kV Power dissipation: 600W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STGF10H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STGF10M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STGF10NB60SD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO220FP Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A Pulsed collector current: 80A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 25W Gate charge: 33nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STGF10NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Gate charge: 19nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STGF14NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP Case: TO220FP Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 7A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 28W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 34.4nC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
STGB10NB40LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB10NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 217.37 грн |
5+ | 169.04 грн |
10+ | 141.39 грн |
12+ | 94.88 грн |
32+ | 89.30 грн |
100+ | 87.44 грн |
500+ | 86.51 грн |
STGB10NC60KDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB14NC60KDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB14NC60KDT4 SMD IGBT transistors
STGB14NC60KDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB15H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB15M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB15M65DF2 SMD IGBT transistors
STGB15M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB18N40LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB19NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 320.55 грн |
10+ | 202.85 грн |
11+ | 103.25 грн |
30+ | 97.67 грн |
STGB20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB20H60DF SMD IGBT transistors
STGB20H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB20H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB20H65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB20H65FB2 SMD IGBT transistors
STGB20H65FB2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB20M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB20M65DF2 SMD IGBT transistors
STGB20M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB20N40LZ |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB20N45LZAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB20N45LZAG SMD IGBT transistors
STGB20N45LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB20NB41LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB20NB41LZT4 SMD IGBT transistors
STGB20NB41LZT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB20V60DF SMD IGBT transistors
STGB20V60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB25N36LZAG |
Виробник: STMicroelectronics
STGB25N36LZAG SMD IGBT transistors
STGB25N36LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB25N40LZAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB25N40LZAG SMD IGBT transistors
STGB25N40LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB30H60DFB SMD IGBT transistors
STGB30H60DFB SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB30H60DLLFBAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB30H60DLLFBAG SMD IGBT transistors
STGB30H60DLLFBAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB30H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB30M65DF2 SMD IGBT transistors
STGB30M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB30V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB30V60DF SMD IGBT transistors
STGB30V60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB3NC120HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB3NC120HDT4 SMD IGBT transistors
STGB3NC120HDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB40H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB40V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB40V60F SMD IGBT transistors
STGB40V60F SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB4M65DF2 |
Виробник: STMicroelectronics
STGB4M65DF2 SMD IGBT transistors
STGB4M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB50H65FB2 |
Виробник: STMicroelectronics
STGB50H65FB2 SMD IGBT transistors
STGB50H65FB2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB5H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB5H60DF SMD IGBT transistors
STGB5H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB6M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB6M65DF2 SMD IGBT transistors
STGB6M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB6NC60HDT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB6NC60HDT4 SMD IGBT transistors
STGB6NC60HDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB7H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB7H60DF SMD IGBT transistors
STGB7H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB7NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB7NC60HDT4 SMD IGBT transistors
STGB7NC60HDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGB8NC60KDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB8NC60KDT4 SMD IGBT transistors
STGB8NC60KDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD10HF60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGD10HF60KD SMD IGBT transistors
STGD10HF60KD SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD10NC60KDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.20 грн |
5+ | 101.42 грн |
13+ | 84.65 грн |
36+ | 79.99 грн |
500+ | 77.20 грн |
STGD18N40LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD19N40LZ |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD20N40LZ |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Application: ignition systems
Power dissipation: 125W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Application: ignition systems
Power dissipation: 125W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD20N45LZAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD25N36LZAG |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD25N40LZAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGD25N40LZAG SMD IGBT transistors
STGD25N40LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD3HF60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGD3HF60HDT4 SMD IGBT transistors
STGD3HF60HDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD3NB60SDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD4H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGD4H60DF SMD IGBT transistors
STGD4H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD4M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGD4M65DF2 SMD IGBT transistors
STGD4M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD5H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.20 грн |
10+ | 77.76 грн |
24+ | 45.76 грн |
66+ | 43.25 грн |
500+ | 41.76 грн |
STGD5NB120SZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD6M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD6NC60H-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD6NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.17 грн |
5+ | 86.94 грн |
18+ | 64.18 грн |
47+ | 60.46 грн |
STGD7NB60ST4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 170.29 грн |
5+ | 133.30 грн |
11+ | 106.97 грн |
28+ | 101.39 грн |
500+ | 100.46 грн |
1000+ | 98.60 грн |
STGD7NC60HT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGD8NC60KDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGE200NB60S |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGF10H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF10H60DF THT IGBT transistors
STGF10H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGF10M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF10M65DF2 THT IGBT transistors
STGF10M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGF10NB60SD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 25W
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 25W
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 179.31 грн |
3+ | 155.52 грн |
10+ | 119.99 грн |
26+ | 113.48 грн |
STGF10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 19nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 19nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.78 грн |
10+ | 106.97 грн |
13+ | 87.44 грн |
35+ | 82.79 грн |
2000+ | 79.99 грн |
6000+ | 79.06 грн |
STGF14NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Case: TO220FP
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 34.4nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Case: TO220FP
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 34.4nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.37 грн |
16+ | 73.41 грн |
43+ | 66.97 грн |
2000+ | 64.18 грн |