Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170306) > Сторінка 1248 з 2839
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW38N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW3N150 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
STW3N170 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 0.16W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW40N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW40N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 20A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 87mΩ Pulsed drain current: 128A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW40N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 25A; Idm: 160A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
STW40N95DK5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW40N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW40NF20 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
STW42N60M2-EP | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW42N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STW43N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW45N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Case: TO247 On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: 21A Power dissipation: 250W Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW45N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Case: TO247 On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 95A Drain current: 19A Power dissipation: 210W Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STW45N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Version: ESD Gate-source voltage: ±20V Drain current: 22A кількість в упаковці: 600 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
STW45NM50 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 28.4A Power dissipation: 390W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW45NM60 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
STW46NF30 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW48N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW48N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
STW48N60M6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW48N60M6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW48NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW4N150 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247 Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: PowerMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW50N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 70mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STW50N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A On-state resistance: 91mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW52NK25Z | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW56N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STW56N60M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW56N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW56N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STW56N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW56N65M2-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW57N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
STW58N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW58N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW5NK100Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
STW63N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW65N045M9-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW65N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW65N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 446W Gate charge: 0.12µC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 240A Drain current: 38A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW65N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW68N60M6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW68N60M6-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW68N65DM6 | STMicroelectronics | STW68N65DM6 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW68N65DM6-4AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW69N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
STW69N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STW6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW70N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A Power dissipation: 390W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 220A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
STW70N60DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A Power dissipation: 390W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 220A Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW70N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
STW70N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 272A Technology: MDmesh™ M2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW70N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW70N65DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
STW70N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 252A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STW38N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW3N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 385.24 грн |
4+ | 284.58 грн |
11+ | 259.33 грн |
60+ | 257.49 грн |
120+ | 249.21 грн |
STW3N170 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 0.16W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 0.16W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW40N60M2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW40N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 87mΩ
Pulsed drain current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 87mΩ
Pulsed drain current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW40N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 25A; Idm: 160A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 25A; Idm: 160A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1205.24 грн |
3+ | 1098.22 грн |
STW40N95DK5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW40N95DK5 THT N channel transistors
STW40N95DK5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW40N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW40N95K5 THT N channel transistors
STW40N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW40NF20 THT N channel transistors
STW40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 338.70 грн |
5+ | 231.74 грн |
13+ | 218.87 грн |
STW42N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW42N60M2-EP THT N channel transistors
STW42N60M2-EP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW42N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW43N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW45N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 677.39 грн |
3+ | 413.50 грн |
8+ | 377.04 грн |
120+ | 365.08 грн |
STW45N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Drain current: 19A
Power dissipation: 210W
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Drain current: 19A
Power dissipation: 210W
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 600 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 600 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW45NM50 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 959.64 грн |
3+ | 559.61 грн |
6+ | 509.46 грн |
STW45NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 614.01 грн |
3+ | 492.77 грн |
7+ | 447.85 грн |
120+ | 442.33 грн |
STW46NF30 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW46NF30 THT N channel transistors
STW46NF30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW48N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW48N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 667.49 грн |
3+ | 492.77 грн |
7+ | 447.85 грн |
STW48N60M2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 790.29 грн |
3+ | 492.77 грн |
7+ | 447.85 грн |
120+ | 431.29 грн |
STW48N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW48N60M6 THT N channel transistors
STW48N60M6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW48N60M6-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 729.88 грн |
3+ | 487.99 грн |
7+ | 445.09 грн |
STW48NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 722.95 грн |
3+ | 409.68 грн |
8+ | 373.36 грн |
2010+ | 359.56 грн |
STW4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: PowerMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: PowerMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 647.68 грн |
3+ | 433.56 грн |
8+ | 394.51 грн |
25+ | 379.80 грн |
STW50N65DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 70mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 70mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW50N65DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
On-state resistance: 91mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
On-state resistance: 91mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW52NK25Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW52NK25Z THT N channel transistors
STW52NK25Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW56N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW56N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW56N60M2 THT N channel transistors
STW56N60M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW56N60M2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW56N60M2-4 THT N channel transistors
STW56N60M2-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW56N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW56N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW56N65M2 THT N channel transistors
STW56N65M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW56N65M2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW56N65M2-4 THT N channel transistors
STW56N65M2-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW57N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1212.18 грн |
2+ | 690.44 грн |
3+ | 663.95 грн |
5+ | 628.09 грн |
STW58N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW58N60DM2AG THT N channel transistors
STW58N60DM2AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW58N65DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW58N65DM2AG THT N channel transistors
STW58N65DM2AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW5NK100Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW5NK100Z THT N channel transistors
STW5NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 383.26 грн |
9+ | 119.55 грн |
25+ | 113.11 грн |
STW63N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW63N65DM2 THT N channel transistors
STW63N65DM2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW65N045M9-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW65N045M9-4 THT N channel transistors
STW65N045M9-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW65N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW65N60DM6 THT N channel transistors
STW65N60DM6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW65N65DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 446W
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 38A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 446W
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 38A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW65N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW65N80K5 THT N channel transistors
STW65N80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW68N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW68N60M6 THT N channel transistors
STW68N60M6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW68N60M6-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW68N60M6-4 THT N channel transistors
STW68N60M6-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW68N65DM6 |
Виробник: STMicroelectronics
STW68N65DM6 THT N channel transistors
STW68N65DM6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW68N65DM6-4AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW68N65DM6-4AG THT N channel transistors
STW68N65DM6-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW69N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW69N65M5 THT N channel transistors
STW69N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1247.83 грн |
2+ | 852.47 грн |
4+ | 805.57 грн |
STW69N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW69N65M5-4 THT N channel transistors
STW69N65M5-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW70N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1062.64 грн |
2+ | 784.03 грн |
4+ | 713.61 грн |
510+ | 686.02 грн |
STW70N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW70N60DM6-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1288.43 грн |
2+ | 859.47 грн |
3+ | 826.72 грн |
4+ | 781.66 грн |
STW70N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW70N60M2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 272A
Technology: MDmesh™ M2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 272A
Technology: MDmesh™ M2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW70N65DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW70N65DM6-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW70N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.