Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170306) > Сторінка 1249 з 2839
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW74NF30 | STMicroelectronics | STW74NF30 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STW75N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 240A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STW75N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Pulsed drain current: 288A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STW75N60M6-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STW75N65DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 480W Gate charge: 118nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 280A Drain current: 47A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STW75NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 47A Case: TO247 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 190W Technology: STripFET™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STW75NF30AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 60A Case: TO247 On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STW77N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STW7N105K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STW7N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STW7N95K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STW7NK90Z | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STW88N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STW88N65M5-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 204nC Pulsed drain current: 336A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STW8N120K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13.7nC Pulsed drain current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STW8N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STW8NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STW9N150 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW9N80K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STW9NK90Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STW9NK95Z | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA12N120K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA20N95DK5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA20N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA30N65DM6AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA32N65DM6AG | STMicroelectronics | STWA32N65DM6AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA35N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA40N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA40N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA40N95DK5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA40N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA45N60DM2AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Case: TO247 On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA45N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STWA48N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STWA48N60M2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA48N60M6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA50N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 70mΩ Application: automotive industry Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA60N043DM9 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STWA63N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 60A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STWA65N023M9 | STMicroelectronics | STWA65N023M9 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA65N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA65N65DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA67N60DM6 | STMicroelectronics | STWA67N60DM6 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA67N60M6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA68N60M6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA68N65DM6 | STMicroelectronics | STWA68N65DM6 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA68N65DM6AG | STMicroelectronics | STWA68N65DM6AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA70N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; Idm: 264A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 264A Technology: MDmesh™ DM2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA70N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A Power dissipation: 390W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 220A Technology: MDmesh™ DM6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STWA70N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
STWA72N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; Idm: 220A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA75N60M6 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA75N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWA88N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Pulsed drain current: 336A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Gate charge: 204nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWD100NPWY3F | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC Type of integrated circuit: supervisor circuit Kind of integrated circuit: timer Kind of RESET output: open drain; push-pull Active logical level: low Supply voltage: 2.7...5.5V DC Case: SOT23-5 Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Integrated circuit features: watchdog кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWD100NWWY3F | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC Type of integrated circuit: supervisor circuit Kind of integrated circuit: timer Kind of RESET output: open drain; push-pull Active logical level: low Supply voltage: 2.7...5.5V DC Case: SOT23-5 Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Integrated circuit features: watchdog кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STWD100NXWY3F | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC Type of integrated circuit: supervisor circuit Kind of integrated circuit: timer Kind of RESET output: open drain; push-pull Active logical level: low Supply voltage: 2.7...5.5V DC Case: SOT23-5 Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Integrated circuit features: watchdog кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
STWD100NYWY3F | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: peripheral circuit; timer; open drain; 2.7÷5.5VDC; SOT23-5 Type of integrated circuit: peripheral circuit Kind of integrated circuit: timer Kind of RESET output: open drain Active logical level: low Supply voltage: 2.7...5.5V DC Case: SOT23-5 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Integrated circuit features: watchdog DC supply current: 13µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
STW74NF30 |
Виробник: STMicroelectronics
STW74NF30 THT N channel transistors
STW74NF30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW75N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 240A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW75N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW75N60M6-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW75N60M6-4 THT N channel transistors
STW75N60M6-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW75N65DM6-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 480W
Gate charge: 118nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 280A
Drain current: 47A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 480W
Gate charge: 118nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 280A
Drain current: 47A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO247
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO247
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 382.27 грн |
4+ | 289.36 грн |
10+ | 275.88 грн |
11+ | 263.01 грн |
30+ | 254.73 грн |
120+ | 252.89 грн |
STW75NF30AG |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
Case: TO247
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
Case: TO247
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW77N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1250.80 грн |
2+ | 1032.32 грн |
3+ | 939.83 грн |
10+ | 903.97 грн |
STW78N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW7N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW7N105K5 THT N channel transistors
STW7N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW7N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW7N90K5 THT N channel transistors
STW7N90K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW7N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW7N95K3 THT N channel transistors
STW7N95K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW7NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW7NK90Z THT N channel transistors
STW7NK90Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW88N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1514.23 грн |
2+ | 1007.50 грн |
4+ | 916.84 грн |
STW88N65M5-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 204nC
Pulsed drain current: 336A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 204nC
Pulsed drain current: 336A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW8N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
Pulsed drain current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
Pulsed drain current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW8N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW8NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW9N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW9N150 THT N channel transistors
STW9N150 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1237.93 грн |
2+ | 770.63 грн |
4+ | 728.32 грн |
STW9N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW9N80K5 THT N channel transistors
STW9N80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW9NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 214.90 грн |
11+ | 109.82 грн |
28+ | 100.24 грн |
STW9NK95Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW9NK95Z THT N channel transistors
STW9NK95Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA12N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA12N120K5 THT N channel transistors
STWA12N120K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA20N95DK5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA20N95DK5 THT N channel transistors
STWA20N95DK5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA20N95K5 THT N channel transistors
STWA20N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA30N65DM6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA30N65DM6AG THT N channel transistors
STWA30N65DM6AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA32N65DM6AG |
Виробник: STMicroelectronics
STWA32N65DM6AG THT N channel transistors
STWA32N65DM6AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA35N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA40N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA40N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA40N90K5 THT N channel transistors
STWA40N90K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA40N95DK5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA40N95DK5 THT N channel transistors
STWA40N95DK5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA40N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA40N95K5 THT N channel transistors
STWA40N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA45N60DM2AG |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA45N65M5 THT N channel transistors
STWA45N65M5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA48N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA48N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA48N60M2 THT N channel transistors
STWA48N60M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA48N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA48N60M6 THT N channel transistors
STWA48N60M6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA50N65DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 70mΩ
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 70mΩ
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA60N043DM9 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA60N043DM9 THT N channel transistors
STWA60N043DM9 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA63N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 60A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 60A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA65N023M9 |
Виробник: STMicroelectronics
STWA65N023M9 THT N channel transistors
STWA65N023M9 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA65N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA65N60DM6 THT N channel transistors
STWA65N60DM6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA65N65DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA67N60DM6 |
Виробник: STMicroelectronics
STWA67N60DM6 THT N channel transistors
STWA67N60DM6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA67N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA67N60M6 THT N channel transistors
STWA67N60M6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA68N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA68N60M6 THT N channel transistors
STWA68N60M6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA68N65DM6 |
Виробник: STMicroelectronics
STWA68N65DM6 THT N channel transistors
STWA68N65DM6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA68N65DM6AG |
Виробник: STMicroelectronics
STWA68N65DM6AG THT N channel transistors
STWA68N65DM6AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA70N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; Idm: 264A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 264A
Technology: MDmesh™ DM2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; Idm: 264A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 264A
Technology: MDmesh™ DM2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA70N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Technology: MDmesh™ DM6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Technology: MDmesh™ DM6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA70N65DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA72N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA75N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STWA75N60M6 THT N channel transistors
STWA75N60M6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA75N65DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWA88N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Pulsed drain current: 336A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Pulsed drain current: 336A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWD100NPWY3F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: timer
Kind of RESET output: open drain; push-pull
Active logical level: low
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: timer
Kind of RESET output: open drain; push-pull
Active logical level: low
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWD100NWWY3F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: timer
Kind of RESET output: open drain; push-pull
Active logical level: low
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: timer
Kind of RESET output: open drain; push-pull
Active logical level: low
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWD100NXWY3F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: timer
Kind of RESET output: open drain; push-pull
Active logical level: low
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; timer; open drain,push-pull; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: timer
Kind of RESET output: open drain; push-pull
Active logical level: low
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STWD100NYWY3F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: peripheral circuit; timer; open drain; 2.7÷5.5VDC; SOT23-5
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: timer
Kind of RESET output: open drain
Active logical level: low
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
DC supply current: 13µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: peripheral circuit; timer; open drain; 2.7÷5.5VDC; SOT23-5
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: timer
Kind of RESET output: open drain
Active logical level: low
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
DC supply current: 13µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.18 грн |
10+ | 53.96 грн |
22+ | 49.20 грн |
25+ | 46.72 грн |
61+ | 46.53 грн |
100+ | 45.34 грн |
250+ | 44.69 грн |