Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170179) > Сторінка 1249 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STU3N62K3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STU4N52K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 244 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
STU4N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STU6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 9.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STU7N105K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STU7N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STU9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STUSB4500QTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: interface; GPIO,I2C; USB PD controller; 4.1÷22VDC; reel,tape Type of integrated circuit: interface Interface: GPIO; I2C Kind of integrated circuit: USB PD controller Supply voltage: 4.1...22V DC Kind of package: reel; tape Case: QFN24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of connector: USB 3.0 кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STUSBCD01BJR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW10N105K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 3.78A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21.5nC Pulsed drain current: 24A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW10N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW10NK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A On-state resistance: 1.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW11NK90Z | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
STW11NM80 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
STW120NF10 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW12N120K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW12N150K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
STW12N170K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247 Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3A On-state resistance: 2.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 10A Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW12NK90Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 880mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 878 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW13N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMESH5™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STW13N95K3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
STW13NK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW14NK50Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW15N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.8A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STW15N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW15NK50Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.8A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW15NK90Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD Case: TO247 Mounting: THT Drain-source voltage: 900V Drain current: 9.5A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW18N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW18N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 255mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STW18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 198mΩ Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW18NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.19A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW18NM80 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.71A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STW19NM60N | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW20N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW20N95DK5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 275mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 50.7nC Pulsed drain current: 72A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW20N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 275mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
STW20NK50Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW20NM50FD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW20NM60 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW20NM60FD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STW21N150K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
STW21N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W Drain-source voltage: 900V Drain current: 11.6A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMESH5™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW21NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STW22N95K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW23N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW23N85K5 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW24N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 168mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STW24N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 52.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 162mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW24NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 168mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STW25N60M2-EP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.3A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW25N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 12.3A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
STW26N65DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.6A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 156mΩ Mounting: THT Gate charge: 35.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
STW26NM50 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.9A Power dissipation: 313W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW26NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
STW27N60M2-EP | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
STW28N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STU3N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STU3N62K3 THT N channel transistors
STU3N62K3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STU4N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STU4N52K3 THT N channel transistors
STU4N52K3 THT N channel transistors
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.95 грн |
48+ | 22.57 грн |
131+ | 21.38 грн |
STU4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STU6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STU7N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STU7N105K5 THT N channel transistors
STU7N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STU7N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STU9N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STUSB4500QTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; GPIO,I2C; USB PD controller; 4.1÷22VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Interface: GPIO; I2C
Kind of integrated circuit: USB PD controller
Supply voltage: 4.1...22V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of connector: USB 3.0
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; GPIO,I2C; USB PD controller; 4.1÷22VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Interface: GPIO; I2C
Kind of integrated circuit: USB PD controller
Supply voltage: 4.1...22V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of connector: USB 3.0
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STUSBCD01BJR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STUSBCD01BJR Integrated circuits - others
STUSBCD01BJR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW10N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 3.78A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 3.78A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW10N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 391.23 грн |
10+ | 116.23 грн |
27+ | 105.50 грн |
STW10NK80Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 423.83 грн |
9+ | 139.09 грн |
23+ | 126.60 грн |
STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 1.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 1.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW11NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW11NK90Z THT N channel transistors
STW11NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 305.28 грн |
7+ | 166.96 грн |
18+ | 157.79 грн |
STW11NM80 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW11NM80 THT N channel transistors
STW11NM80 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 468.29 грн |
5+ | 222.01 грн |
14+ | 209.16 грн |
STW120NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW120NF10 THT N channel transistors
STW120NF10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW12N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW12N120K5 THT N channel transistors
STW12N120K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW12N150K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW12N150K5 THT N channel transistors
STW12N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1007.71 грн |
2+ | 688.96 грн |
5+ | 651.34 грн |
STW12N170K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 2.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 2.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 253.90 грн |
8+ | 144.81 грн |
10+ | 138.53 грн |
22+ | 131.19 грн |
STW12NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 491.01 грн |
7+ | 171.48 грн |
19+ | 155.96 грн |
1020+ | 150.45 грн |
STW13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 378.39 грн |
4+ | 277.23 грн |
11+ | 252.28 грн |
25+ | 243.11 грн |
STW13N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW13N95K3 THT N channel transistors
STW13N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 497.93 грн |
4+ | 317.42 грн |
10+ | 299.99 грн |
STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW13NK100Z THT N channel transistors
STW13NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 945.47 грн |
3+ | 468.78 грн |
7+ | 443.10 грн |
STW13NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.90 грн |
3+ | 146.71 грн |
10+ | 107.33 грн |
28+ | 101.83 грн |
STW14NK50Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 300.34 грн |
9+ | 133.37 грн |
23+ | 122.01 грн |
STW15N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 443.59 грн |
3+ | 384.88 грн |
4+ | 285.31 грн |
11+ | 269.71 грн |
STW15N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW15N95K5 THT N channel transistors
STW15N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW15NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 447.54 грн |
9+ | 139.09 грн |
23+ | 126.60 грн |
510+ | 122.93 грн |
STW15NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 504.84 грн |
5+ | 280.09 грн |
12+ | 255.03 грн |
STW18N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 235.13 грн |
8+ | 150.52 грн |
21+ | 137.61 грн |
510+ | 132.10 грн |
STW18N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW18NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW19NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW19NM60N THT N channel transistors
STW19NM60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW20N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW20N95DK5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50.7nC
Pulsed drain current: 72A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50.7nC
Pulsed drain current: 72A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW20NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 383.33 грн |
8+ | 146.71 грн |
22+ | 133.94 грн |
STW20NM50FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 404.07 грн |
6+ | 207.68 грн |
10+ | 199.07 грн |
15+ | 188.06 грн |
STW20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 534.48 грн |
6+ | 202.92 грн |
16+ | 184.39 грн |
STW20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 650.07 грн |
6+ | 197.20 грн |
16+ | 179.81 грн |
STW21N150K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW21N150K5 THT N channel transistors
STW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1640.00 грн |
2+ | 1015.55 грн |
3+ | 960.50 грн |
STW21N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 747.88 грн |
3+ | 465.86 грн |
7+ | 424.75 грн |
120+ | 408.24 грн |
STW21NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW22N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW22N95K5 THT N channel transistors
STW22N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW23N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW23N85K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW23N85K5 THT N channel transistors
STW23N85K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 261.81 грн |
8+ | 154.33 грн |
20+ | 140.36 грн |
STW24N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW25N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW26N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW26NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 535.47 грн |
4+ | 320.10 грн |
10+ | 290.81 грн |
STW26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 378.39 грн |
7+ | 163.86 грн |
19+ | 149.53 грн |
STW27N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STW28N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STW28N60DM2 THT N channel transistors
STW28N60DM2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.