Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170178) > Сторінка 1160 з 2837

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2837  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STFU10NK60Z STFU10NK60Z STMicroelectronics en.DM00256590.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW12N120K5 STMicroelectronics en.DM00117846.pdf STFW12N120K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW1N105K3 STMicroelectronics STF,STFW,STP1N105K3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 20W; TO3PF
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 5.6A
Mounting: THT
Case: TO3PF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.39 грн
5+185.77 грн
8+136.49 грн
22+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115969.pdf STFW2N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 57W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150 STFW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+356.65 грн
4+281.04 грн
11+255.03 грн
60+245.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 STFW4N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69F283B646745&compId=STFW4N150.pdf?ci_sign=f393848134fa928a48c56d2cf0d44373bdbd5609 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+601.66 грн
3+400.12 грн
8+364.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STG3157CTR STG3157CTR STMicroelectronics stg3157.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+49.40 грн
10+33.15 грн
71+15.14 грн
195+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STG719STR STG719STR STMicroelectronics stg719.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.10 грн
10+51.16 грн
25+45.23 грн
35+31.10 грн
95+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP1BS STMicroelectronics STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP1BSTR STMicroelectronics STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2DM STMicroelectronics stgap2d.pdf STGAP2DM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2DMTR STMicroelectronics stgap2d.pdf STGAP2DMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2GSCTR STMicroelectronics stgap2gs.pdf STGAP2GSCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2GSNCTR STMicroelectronics stgap2gsn.pdf STGAP2GSNCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HDMTR STMicroelectronics stgap2hd.pdf STGAP2HDMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSCMTR STMicroelectronics stgap2hs.pdf STGAP2HSCMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSM STMicroelectronics STGAP2HSM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSMTR STMicroelectronics stgap2hs.pdf STGAP2HSMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SCM STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SCM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SCMTR STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SCMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICD STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO36-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO36-W
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.2kV
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 6kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICDTR STMicroelectronics stgap2sicd.pdf STGAP2SICDTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICS STMicroelectronics stgap2sics.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: 4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.1...5.5V
Frequency: 1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSACTR STMicroelectronics STGAP2SICSACTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSANCTR STMicroelectronics STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSC STMicroelectronics stgap2sics.pdf STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSCTR STMicroelectronics STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNC STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNCTR STMicroelectronics STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNTR STMicroelectronics stgap2sicsn.pdf STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSTR STMicroelectronics STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SM STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SMTR STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4S STMicroelectronics STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4STR STMicroelectronics stgap4s.pdf STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf STGB10H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157911.pdf STGB10M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+239.08 грн
10+162.91 грн
12+96.33 грн
31+90.82 грн
5000+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4 STMicroelectronics en.DM00372350.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.39 грн
5+166.72 грн
10+139.44 грн
12+93.57 грн
32+88.07 грн
100+86.23 грн
500+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058415.pdf STGB14NC60KDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00096991.pdf STGB15M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4 STMicroelectronics en.CD00182201.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+316.15 грн
10+200.06 грн
11+101.83 грн
30+96.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf STGB20H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65DFB2 STMicroelectronics stgb20h65dfb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65FB2 STMicroelectronics stgb20h65fb2.pdf STGB20H65FB2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 STMicroelectronics en.DM00244727.pdf STGB20M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N40LZ STMicroelectronics en.DM00077187.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAG STMicroelectronics en.DM00242156.pdf STGB20N45LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics en.CD00003294.pdf STGB20NB41LZT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGB20V60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG STMicroelectronics STGB25N36LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAG STMicroelectronics en.DM00431184.pdf STGB25N40LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125119.pdf STGB30H60DFB SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics en.DM00336135.pdf STGB30H60DLLFBAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2 STMicroelectronics stgb30h65dfb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10NK60Z en.DM00256590.pdf
STFU10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW12N120K5 en.DM00117846.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW12N120K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW1N105K3 STF,STFW,STP1N105K3.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 20W; TO3PF
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 5.6A
Mounting: THT
Case: TO3PF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.39 грн
5+185.77 грн
8+136.49 грн
22+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 en.DM00115969.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW2N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5 en.DM00113621.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 57W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1
STFW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.65 грн
4+281.04 грн
11+255.03 грн
60+245.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69F283B646745&compId=STFW4N150.pdf?ci_sign=f393848134fa928a48c56d2cf0d44373bdbd5609
STFW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+601.66 грн
3+400.12 грн
8+364.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STG3157CTR stg3157.pdf
STG3157CTR
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.40 грн
10+33.15 грн
71+15.14 грн
195+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STG719STR stg719.pdf
STG719STR
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.10 грн
10+51.16 грн
25+45.23 грн
35+31.10 грн
95+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP1BS
Виробник: STMicroelectronics
STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP1BSTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2DM stgap2d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2DM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2DMTR stgap2d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2DMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2GSCTR stgap2gs.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2GSCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2GSNCTR stgap2gsn.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2GSNCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HDMTR stgap2hd.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2HDMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSCMTR stgap2hs.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2HSCMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSM
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2HSM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2HSMTR stgap2hs.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2HSMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SCM stgap2s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SCM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SCMTR stgap2s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SCMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICD
Виробник: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO36-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO36-W
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.2kV
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 6kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICDTR stgap2sicd.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICDTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICS stgap2sics.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: 4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.1...5.5V
Frequency: 1MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSACTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSACTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSANCTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSC stgap2sics.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSCTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNC
Виробник: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNCTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSNTR stgap2sicsn.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SICSTR
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SM stgap2s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP2SMTR stgap2s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4S
Виробник: STMicroelectronics
STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGAP4STR stgap4s.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10H60DF en.DM00092752.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB10H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 en.DM00157911.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB10M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.08 грн
10+162.91 грн
12+96.33 грн
31+90.82 грн
5000+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB40LZT4 en.DM00372350.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4
STGB10NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.39 грн
5+166.72 грн
10+139.44 грн
12+93.57 грн
32+88.07 грн
100+86.23 грн
500+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 en.CD00058414.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB14NC60KDT4 en.CD00058415.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB14NC60KDT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF en.DM00092755.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 en.DM00096991.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB15M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB18N40LZT4 en.CD00182201.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+316.15 грн
10+200.06 грн
11+101.83 грн
30+96.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H60DF en.DM00066598.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB20H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65DFB2 stgb20h65dfb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20H65FB2 stgb20h65fb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB20H65FB2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 en.DM00244727.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB20M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N40LZ en.DM00077187.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20N45LZAG en.DM00242156.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB20N45LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 en.CD00003294.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB20NB41LZT4 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20V60DF en.DM00079434.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB20V60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG
Виробник: STMicroelectronics
STGB25N36LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAG en.DM00431184.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB25N40LZAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB en.DM00125119.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB30H60DFB SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLLFBAG en.DM00336135.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB30H60DLLFBAG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2 stgb30h65dfb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2837  [ Наступна Сторінка >> ]