Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170085) > Сторінка 1160 з 2835

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2835  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP3HF60HD STMicroelectronics en.CD00277878.pdf STGP3HF60HD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3NC120HD STGP3NC120HD STMicroelectronics STGx3NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Collector current: 7A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.88 грн
3+150.52 грн
10+112.58 грн
27+106.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP4M65DF2 STMicroelectronics en.DM00248842.pdf STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf STGP5H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249613.pdf STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6NC60HD STMicroelectronics en.CD00058424.pdf STGP6NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.88 грн
17+65.13 грн
46+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf STGP7H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD STGP7NC60HD STMicroelectronics STGP7NC60HD.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.37 грн
10+106.70 грн
15+71.56 грн
41+67.89 грн
500+66.97 грн
1000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8M120DF3 STMicroelectronics stgp8m120df3.pdf STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD STGP8NC60KD STMicroelectronics stgp8nc60kd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.77 грн
10+78.12 грн
19+60.55 грн
50+56.88 грн
250+55.96 грн
500+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DI STMicroelectronics en.CD00229142.pdf STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAG STMicroelectronics STGSH80HB65DAG.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics stgw100h65fb2-4.pdf STGW100H65FB2-4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00276219.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066773.pdf STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120F2 STMicroelectronics en.DM00109377.pdf STGW15H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113752.pdf STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics stgw19nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+273.66 грн
3+238.17 грн
7+178.89 грн
17+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DF STMicroelectronics en.DM00087034.pdf STGW20H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H65FB STMicroelectronics en.DM00130550.pdf STGW20H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF STGW20IH125DF STMicroelectronics STGW20IH125DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+338.87 грн
6+200.06 грн
16+182.56 грн
120+178.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V STMicroelectronics en.CD00003669.pdf STGW20NC60V THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.01 грн
8+147.70 грн
20+139.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics STGW20NC60VD.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.13 грн
8+154.33 грн
20+140.36 грн
510+135.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.16 грн
6+205.49 грн
15+194.49 грн
510+193.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60F STMicroelectronics en.DM00088507.pdf STGW20V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113757.pdf STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF STGW28IH125DF STMicroelectronics STGW28IH125DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+328.99 грн
3+285.80 грн
6+211.00 грн
15+199.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics stgw30h60dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FB STMicroelectronics en.DM00106084.pdf STGW30H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC120HD STGW30NC120HD STMicroelectronics STGW30NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Collector current: 30A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+381.35 грн
3+330.58 грн
5+255.95 грн
12+242.19 грн
30+238.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60KD STGW30NC60KD STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+510.77 грн
6+191.49 грн
17+174.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD STMicroelectronics en.CD00152202.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics STGW30NC60WD-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.64 грн
4+280.09 грн
10+267.88 грн
11+255.03 грн
20+244.94 грн
30+244.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF STMicroelectronics STGW30V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+336.89 грн
3+292.47 грн
6+215.59 грн
14+203.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+452.48 грн
5+244.84 грн
13+222.92 грн
1020+214.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1057.11 грн
2+630.24 грн
5+596.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf STGW40H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFB STMicroelectronics en.DM00079511.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics STGW40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.80 грн
5+225.78 грн
10+212.83 грн
14+205.49 грн
90+198.16 грн
120+197.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00269316.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf STGW40H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113760.pdf STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KD STGW40NC60KD STMicroelectronics en.CD00201325.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+486.07 грн
3+422.99 грн
4+305.49 грн
10+288.06 грн
3000+279.80 грн
9000+277.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.37 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
120+161.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics STGWx60H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+478.17 грн
3+415.36 грн
4+300.90 грн
10+284.39 грн
3000+275.22 грн
9000+273.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00298799.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRF STMicroelectronics en.DM00039960.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 420W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 420W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 217nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics STGW60V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+560.17 грн
3+461.09 грн
4+322.00 грн
10+304.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60F STMicroelectronics stgw60v60f.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+798.27 грн
2+566.84 грн
6+516.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics stgw80h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+766.65 грн
3+509.68 грн
6+464.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00213377.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3HF60HD en.CD00277878.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGP3HF60HD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3NC120HD STGx3NC120HD.pdf
STGP3NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Collector current: 7A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.88 грн
3+150.52 грн
10+112.58 грн
27+106.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP40V60F en.DM00086251.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP4M65DF2 en.DM00248842.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP5H60DF en.DM00149621.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGP5H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6M65DF2 en.DM00249613.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6NC60HD en.CD00058424.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.88 грн
17+65.13 грн
46+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF en.DM00164492.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGP7H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD description STGP7NC60HD.pdf
STGP7NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.37 грн
10+106.70 грн
15+71.56 грн
41+67.89 грн
500+66.97 грн
1000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8M120DF3 stgp8m120df3.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD stgp8nc60kd.pdf
STGP8NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+100.77 грн
10+78.12 грн
19+60.55 грн
50+56.88 грн
250+55.96 грн
500+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGPL6NC60DI en.CD00229142.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGSH80HB65DAG STGSH80HB65DAG.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW100H65FB2-4 stgw100h65fb2-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW100H65FB2-4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW10M65DF2 en.DM00276219.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120DF2 en.DM00066773.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15H120F2 en.DM00109377.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW15M120DF3 en.DM00113752.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HD stgw19nc60hd.pdf
STGW19NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.66 грн
3+238.17 грн
7+178.89 грн
17+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H60DF en.DM00087034.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20H65FB en.DM00130550.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF STGW20IH125DF.pdf
STGW20IH125DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.87 грн
6+200.06 грн
16+182.56 грн
120+178.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V en.CD00003669.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20NC60V THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.01 грн
8+147.70 грн
20+139.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD description STGW20NC60VD.pdf
STGW20NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.13 грн
8+154.33 грн
20+140.36 грн
510+135.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF en.DM00079434.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.16 грн
6+205.49 грн
15+194.49 грн
510+193.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60F en.DM00088507.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120DF2 en.DM00066775.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25H120F2 en.DM00109190.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW25M120DF3 en.DM00113757.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF STGW28IH125DF.pdf
STGW28IH125DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.99 грн
3+285.80 грн
6+211.00 грн
15+199.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFB stgw30h60dfb.pdf
STGW30H60DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FB en.DM00106084.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW30H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30M65DF2 en.DM00177695.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC120HD STGW30NC120HD.pdf
STGW30NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Collector current: 30A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.35 грн
3+330.58 грн
5+255.95 грн
12+242.19 грн
30+238.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60KD STGW30NC60KD.pdf
STGW30NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.77 грн
6+191.49 грн
17+174.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60VD en.CD00152202.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD-dte.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.64 грн
4+280.09 грн
10+267.88 грн
11+255.03 грн
20+244.94 грн
30+244.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF.pdf
STGW30V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.89 грн
3+292.47 грн
6+215.59 грн
14+203.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.48 грн
5+244.84 грн
13+222.92 грн
1020+214.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1057.11 грн
2+630.24 грн
5+596.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120F2 en.DM00106123.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H60DLFB en.DM00079511.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.80 грн
5+225.78 грн
10+212.83 грн
14+205.49 грн
90+198.16 грн
120+197.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB-4 en.DM00269316.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65FB en.DM00093857.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40M120DF3 en.DM00113760.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KD en.CD00201325.pdf
STGW40NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.07 грн
3+422.99 грн
4+305.49 грн
10+288.06 грн
3000+279.80 грн
9000+277.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF stgw40v60df.pdf
STGW40V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.37 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
120+161.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60F en.DM00086251.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW50H65DFB2-4 stgw50h65dfb2-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGWx60H65DFB.pdf
STGW60H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.17 грн
3+415.36 грн
4+300.90 грн
10+284.39 грн
3000+275.22 грн
9000+273.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB-4 en.DM00298799.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DRF en.DM00039960.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 420W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 420W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 217nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65FB en.DM00094070.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF.pdf
STGW60V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+560.17 грн
3+461.09 грн
4+322.00 грн
10+304.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60F stgw60v60f.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 stgw75h65dfb2-4.pdf
STGW75H65DFB2-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.27 грн
2+566.84 грн
6+516.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 en.DM00249589.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB stgw80h65dfb.pdf
STGW80H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+766.65 грн
3+509.68 грн
6+464.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB-4 en.DM00213377.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2835  [ Наступна Сторінка >> ]