Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170178) > Сторінка 1163 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGP10M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGP10NB60S | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 80A Gate charge: 33nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP10NB60SD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 80A Gate charge: 33nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGP10NC60HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 65W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 30A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 19.2nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
STGP10NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGP14NC60KD | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGP15H60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP15M120F3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP15M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGP19NC60HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGP19NC60SD | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP20H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP20H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP20H65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP20M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP20NC60V | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.1µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGP20V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGP30H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP30H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP30H65F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGP30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 258W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGP30V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP3HF60HD | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP3NC120HD | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGP40V60F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP4M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP5H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP6M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP6NC60HD | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGP7H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGP7NC60HD | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 14A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 80W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 338 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGP8M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGP8NC60KD | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGPL6NC60DI | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGSH80HB65DAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A Case: ACEPACK SMIT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 269A Power dissipation: 250W Electrical mounting: SMT Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW100H65FB2-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW10M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW15H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW15H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW15M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 21A Power dissipation: 140W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW20H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW20H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW20IH125DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW20NC60V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW20NC60VD | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW20V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGW20V60F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW25H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW25H120F2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW25M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW28IH125DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
STGW30H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW30NC120HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 220W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 135A Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW30NC60KD | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGW30NC60VD | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW30NC60WD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
STGP10M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP10M65DF2 THT IGBT transistors
STGP10M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.71 грн |
14+ | 80.73 грн |
37+ | 77.06 грн |
STGP10NB60S |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Gate charge: 33nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Gate charge: 33nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP10NB60SD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Gate charge: 33nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Gate charge: 33nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP10NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 19.2nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 19.2nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.72 грн |
15+ | 77.17 грн |
40+ | 70.64 грн |
250+ | 67.89 грн |
STGP14NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP14NC60KD THT IGBT transistors
STGP14NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 163.01 грн |
11+ | 99.08 грн |
30+ | 93.57 грн |
STGP15H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP15M120F3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP15M120F3 THT IGBT transistors
STGP15M120F3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP15M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP15M65DF2 THT IGBT transistors
STGP15M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 242.05 грн |
3+ | 208.63 грн |
7+ | 158.71 грн |
19+ | 150.45 грн |
250+ | 149.53 грн |
STGP19NC60SD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP19NC60SD THT IGBT transistors
STGP19NC60SD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP20H60DF THT IGBT transistors
STGP20H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP20H65DFB2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP20H65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP20H65FB2 THT IGBT transistors
STGP20H65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP20M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP20M65DF2 THT IGBT transistors
STGP20M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP20NC60V | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 263.78 грн |
3+ | 228.64 грн |
7+ | 165.13 грн |
18+ | 155.96 грн |
2000+ | 151.37 грн |
6000+ | 149.53 грн |
STGP20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP20V60DF THT IGBT transistors
STGP20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.75 грн |
8+ | 144.95 грн |
21+ | 136.69 грн |
STGP30H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP30H60DF THT IGBT transistors
STGP30H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP30H60DFB THT IGBT transistors
STGP30H60DFB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP30H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP30H65F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP30H65F THT IGBT transistors
STGP30H65F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.17 грн |
3+ | 201.01 грн |
8+ | 145.86 грн |
21+ | 137.61 грн |
2000+ | 133.02 грн |
6000+ | 132.10 грн |
STGP30V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP30V60DF THT IGBT transistors
STGP30V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP3HF60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP3HF60HD THT IGBT transistors
STGP3HF60HD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP3NC120HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP3NC120HD THT IGBT transistors
STGP3NC120HD THT IGBT transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.77 грн |
10+ | 111.90 грн |
27+ | 105.80 грн |
STGP40V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP40V60F THT IGBT transistors
STGP40V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP4M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP5H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP5H60DF THT IGBT transistors
STGP5H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP6M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP6NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.88 грн |
17+ | 65.13 грн |
46+ | 61.46 грн |
STGP7H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP7H60DF THT IGBT transistors
STGP7H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP7NC60HD | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.37 грн |
10+ | 106.70 грн |
16+ | 71.56 грн |
42+ | 67.89 грн |
500+ | 66.97 грн |
1000+ | 65.13 грн |
STGP8M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGP8NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.71 грн |
18+ | 61.46 грн |
49+ | 57.80 грн |
STGPL6NC60DI |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGSH80HB65DAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW100H65FB2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW100H65FB2-4 THT IGBT transistors
STGW100H65FB2-4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW10M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW10M65DF2 THT IGBT transistors
STGW10M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW15H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW15H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW15M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.66 грн |
3+ | 238.17 грн |
7+ | 176.14 грн |
17+ | 166.96 грн |
STGW20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20H60DF THT IGBT transistors
STGW20H60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW20H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20H65FB THT IGBT transistors
STGW20H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW20IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 338.87 грн |
6+ | 201.01 грн |
16+ | 182.56 грн |
120+ | 178.89 грн |
STGW20NC60V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.46 грн |
8+ | 152.43 грн |
21+ | 138.53 грн |
600+ | 133.02 грн |
STGW20NC60VD | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 317.13 грн |
8+ | 154.33 грн |
20+ | 140.36 грн |
510+ | 135.77 грн |
STGW20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 315.16 грн |
6+ | 205.49 грн |
15+ | 194.49 грн |
510+ | 193.39 грн |
STGW20V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60F THT IGBT transistors
STGW20V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW25H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW25H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW25M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW28IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 328.99 грн |
3+ | 285.80 грн |
6+ | 211.00 грн |
14+ | 199.07 грн |
STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW30H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30H65FB THT IGBT transistors
STGW30H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW30NC120HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 381.35 грн |
3+ | 330.58 грн |
5+ | 255.95 грн |
12+ | 242.19 грн |
30+ | 238.52 грн |
STGW30NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30NC60KD THT IGBT transistors
STGW30NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 537.45 грн |
6+ | 185.31 грн |
16+ | 175.22 грн |
STGW30NC60VD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30NC60VD THT IGBT transistors
STGW30NC60VD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW30NC60WD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 357.64 грн |
4+ | 280.09 грн |
10+ | 267.88 грн |
11+ | 255.03 грн |
20+ | 244.94 грн |
30+ | 244.02 грн |