Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170085) > Сторінка 1161 з 2835
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGW80V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 469W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 448nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW8M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA100H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 91A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 288nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGWA15H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3 Collector current: 15A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 259W Kind of package: tube Gate charge: 67nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGWA15H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA15S120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25IH135DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGWA25M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Collector current: 25A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 100A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 375W Kind of package: tube Gate charge: 85nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGWA25S120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGWA30H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGWA30H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA30HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA30IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA35IH135DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGWA40H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGWA40H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40S120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA50H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA50HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA50IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA50M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA60H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA60V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 71A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGWA80H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA80H65DFBAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 535W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 453nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA80H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA8M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWF30NC60S | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 79W; TO3PF Mounting: THT Case: TO3PF Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 79W Gate charge: 96nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Pulsed collector current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT20H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT20IH125DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT20V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT28IH125DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT30HP65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT40H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGWT40HP65FB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 283W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.21µC Mounting: THT Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGWT60H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGWT60H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT60V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT80H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT80H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT80V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWT80V60F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STGW80V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 448nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 448nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 576.97 грн |
3+ | 500.15 грн |
4+ | 362.37 грн |
9+ | 342.19 грн |
3000+ | 332.09 грн |
9000+ | 329.34 грн |
STGW8M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA100H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Collector current: 15A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 259W
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Collector current: 15A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 259W
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 337.88 грн |
3+ | 293.42 грн |
6+ | 211.92 грн |
15+ | 199.99 грн |
3000+ | 194.49 грн |
9000+ | 192.65 грн |
STGWA15H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15S120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25IH135DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 463.35 грн |
3+ | 402.03 грн |
4+ | 296.32 грн |
11+ | 280.72 грн |
STGWA25S120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 334.92 грн |
3+ | 290.56 грн |
5+ | 231.18 грн |
13+ | 219.26 грн |
STGWA30H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA35IH135DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 358.63 грн |
6+ | 209.59 грн |
15+ | 190.82 грн |
120+ | 187.15 грн |
STGWA40H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA40HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40S120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA50H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA50HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA50IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA50M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA60V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA75H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 474.22 грн |
4+ | 327.72 грн |
10+ | 298.15 грн |
120+ | 287.14 грн |
STGWA75M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 641.18 грн |
3+ | 425.84 грн |
8+ | 387.14 грн |
STGWA80H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA80H65DFBAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA80H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA80H65FB THT IGBT transistors
STGWA80H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA8M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWF30NC60S |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 79W; TO3PF
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 79W
Gate charge: 96nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 79W; TO3PF
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 79W
Gate charge: 96nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT20H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT20H65FB THT IGBT transistors
STGWT20H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT20IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT20V60DF THT IGBT transistors
STGWT20V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT28IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT30HP65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT40H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT40HP65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 257.86 грн |
7+ | 170.53 грн |
18+ | 155.04 грн |
120+ | 153.20 грн |
510+ | 149.53 грн |
STGWT60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 473.23 грн |
3+ | 410.60 грн |
4+ | 302.74 грн |
10+ | 286.22 грн |
STGWT60H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT60H65FB THT IGBT transistors
STGWT60H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT60V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT80H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT80H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT80H65FB THT IGBT transistors
STGWT80H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT80V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT80V60DF THT IGBT transistors
STGWT80V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWT80V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWT80V60F THT IGBT transistors
STGWT80V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.