Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170178) > Сторінка 1164 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGW30V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STGW39NC60VD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 304 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW40H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGW40H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW40H60DLFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW40H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW40H65DFB-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW40H65FB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW40M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW40NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 38A Pulsed collector current: 220A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW40V60F | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW50H65DFB2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW60H65DFB-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW60H65DRF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW60H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW60V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW60V60F | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW75H65DFB2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 357W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 71A Pulsed collector current: 225A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW75M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGW80H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGW80H65DFB-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW80V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGW8M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA100H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 91A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 288nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA15H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGWA15H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA15S120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA20M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25IH135DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA25M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STGWA25S120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGWA30H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGWA30H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA30HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA30IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA35IH135DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STGWA40H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
STGWA40H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA40S120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA50H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA50HP65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA50IH65DF | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA50M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
STGWA60H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
STGW30V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30V60DF THT IGBT transistors
STGW30V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 354.68 грн |
5+ | 218.34 грн |
14+ | 205.49 грн |
STGW39NC60VD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 343.81 грн |
6+ | 185.77 грн |
17+ | 169.72 грн |
1020+ | 163.29 грн |
STGW40H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1057.11 грн |
2+ | 630.24 грн |
5+ | 596.30 грн |
STGW40H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40H60DLFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 262.80 грн |
5+ | 225.78 грн |
10+ | 212.83 грн |
14+ | 205.49 грн |
90+ | 198.16 грн |
120+ | 197.24 грн |
STGW40H65DFB-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW40NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 486.07 грн |
3+ | 422.99 грн |
4+ | 305.49 грн |
10+ | 288.06 грн |
3000+ | 279.80 грн |
9000+ | 277.05 грн |
STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 379.37 грн |
7+ | 184.82 грн |
17+ | 168.80 грн |
120+ | 161.46 грн |
STGW40V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40V60F THT IGBT transistors
STGW40V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW50H65DFB2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 357.64 грн |
3+ | 309.62 грн |
5+ | 233.02 грн |
13+ | 220.17 грн |
STGW60H65DFB-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW60H65DRF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW60H65DRF THT IGBT transistors
STGW60H65DRF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW60H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW60H65FB THT IGBT transistors
STGW60H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW60V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 560.17 грн |
3+ | 461.09 грн |
4+ | 322.00 грн |
10+ | 303.65 грн |
STGW60V60F |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW75H65DFB2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 798.27 грн |
2+ | 569.70 грн |
6+ | 518.32 грн |
STGW75M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW80H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 766.65 грн |
3+ | 509.68 грн |
7+ | 464.20 грн |
STGW80H65DFB-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW80V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW80V60DF THT IGBT transistors
STGW80V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGW8M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA100H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 355.66 грн |
6+ | 213.75 грн |
14+ | 201.82 грн |
STGWA15H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA15S120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA20M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25IH135DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA25M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 488.05 грн |
4+ | 299.07 грн |
10+ | 282.56 грн |
STGWA25S120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 334.92 грн |
3+ | 290.56 грн |
5+ | 231.18 грн |
13+ | 219.26 грн |
STGWA30H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA35IH135DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40H120F2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 358.63 грн |
6+ | 209.59 грн |
15+ | 190.82 грн |
120+ | 187.15 грн |
STGWA40H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA40S120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA50H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA50HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA50IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA50M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STGWA60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.