Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (41352) > Сторінка 676 з 690

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 414 483 552 621 671 672 673 674 675 676 677 678 679 680 681 690  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N40TU,LXGF(T SSM6N40TU,LXGF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.09 грн
500+14.09 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LXGF(T SSM6N39TU,LXGF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N39TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.12 грн
50+35.03 грн
100+27.65 грн
500+18.51 грн
1500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF(T SSM6K810R,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.33 грн
16+53.08 грн
100+34.79 грн
500+24.99 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(T SSM3K341TU,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.43 грн
23+37.17 грн
100+25.43 грн
500+17.90 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF(T SSM6K809R,LXHF(T TOSHIBA 4163382.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K809R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.37 грн
18+48.16 грн
100+31.59 грн
500+20.80 грн
1000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(T SSM3K341TU,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.43 грн
500+17.90 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LXGF(T SSM6N39TU,LXGF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N39TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.65 грн
500+18.51 грн
1500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF(T SSM6N40TU,LXGF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.68 грн
50+26.75 грн
100+21.09 грн
500+14.09 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHF(T SSM3K62TU,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K62TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.65 грн
36+22.81 грн
100+14.60 грн
500+9.29 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF(T SSM6K819R,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.85 грн
500+37.94 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LXGF(T SSM6N67NU,LXGF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N67NU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.67 грн
500+16.46 грн
1500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF(T SSM6K819R,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.07 грн
11+77.62 грн
100+51.85 грн
500+37.94 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF(T SSM6K810R,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.79 грн
500+24.99 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH(T SSM6N7002KFU,LXH(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LXH(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.48 грн
102+8.08 грн
500+7.21 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF18A,LM(CT TCR3UF18A,LM(CT TOSHIBA Description: TOSHIBA - TCR3UF18A,LM(CT - LDO-Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 1.8V/300mAout, SOT-25, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 341mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 341mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) 2SC5886A(T6L1,NQ) TOSHIBA docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A Description: TOSHIBA - 2SC5886A(T6L1,NQ) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.51 грн
18+48.16 грн
100+31.51 грн
500+23.54 грн
1000+19.76 грн
5000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF09A,LM(CT TCR3UF09A,LM(CT TOSHIBA docget.jsp?did=68764 Description: TOSHIBA - TCR3UF09A,LM(CT - LDO-Spannungsregler, fest, 1.5 bis 5.5Vin, 933mV Dropout, 0.9V/0.3Aout, SOT-25-5, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 900mV
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: To Be Advised
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 900mV 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 900mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 933mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 933mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.44 грн
500+7.08 грн
1500+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF(T RN1307,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.94 грн
500+5.70 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1315,LXHF(T RN1315,LXHF(T TOSHIBA 4008647.pdf Description: TOSHIBA - RN1315,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.86 грн
500+5.67 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHF(T RN2307,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN2307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHF(T RN2316,LXHF(T TOSHIBA 4008685.pdf Description: TOSHIBA - RN2316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.51 грн
45+18.62 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHF(T RN2316,LXHF(T TOSHIBA 4008685.pdf Description: TOSHIBA - RN2316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1311,LXHF(T RN1311,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1315,LXHF(T RN1315,LXHF(T TOSHIBA 4008647.pdf Description: TOSHIBA - RN1315,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.30 грн
58+14.19 грн
100+8.86 грн
500+5.67 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F(T RN1114MFV,L3F(T TOSHIBA 4008643.pdf Description: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.80 грн
103+8.02 грн
166+4.97 грн
500+3.09 грн
1000+2.24 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHF(T RN2307,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN2307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.12 грн
38+21.91 грн
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF(T RN1307,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.84 грн
53+15.75 грн
100+9.85 грн
500+6.84 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXHF(T RN2311,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN2311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.47 грн
58+14.28 грн
100+8.94 грн
500+5.70 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXHF(T RN2311,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN2311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.94 грн
500+5.70 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF(T RN2411,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN2411,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.28 грн
70+11.73 грн
111+7.39 грн
500+5.16 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F(T RN1114MFV,L3F(T TOSHIBA 4008643.pdf Description: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+12.80 грн
103+8.02 грн
166+4.97 грн
500+3.09 грн
1000+2.24 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF(T RN2411,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN2411,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.73 грн
111+7.39 грн
500+5.16 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1311,LXHF(T RN1311,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.12 грн
38+21.91 грн
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP1,F(O TLP4590A(D4TP1,F(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP4590A(D4TP1,F(O - MOSFET-Relais, SPST-NC (1 Form B), AC/DC, 60 V, 1.2 A, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 10µA
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 1.2A
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.9pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.01 грн
10+219.88 грн
25+202.65 грн
50+179.80 грн
100+159.64 грн
500+154.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP1,F(O TLP4590A(D4TP1,F(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP4590A(D4TP1,F(O - MOSFET-Relais, SPST-NC (1 Form B), AC/DC, 60 V, 1.2 A, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 10µA
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 1.2A
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.9pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.6ohm
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.64 грн
500+154.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4176G(TP,M,F) TLP4176G(TP,M,F) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP4176G(TP,M,F) - MOSFET-Relais, SPST-NC (1 Form B), AC/DC, 350 V, 120 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 1.5kVrms
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 120mA
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.55 грн
500+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4176G(TP,M,F) TLP4176G(TP,M,F) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP4176G(TP,M,F) - MOSFET-Relais, SPST-NC (1 Form B), AC/DC, 350 V, 120 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 1.5kVrms
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.94 грн
10+97.64 грн
25+90.25 грн
50+82.28 грн
100+74.55 грн
500+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF(T SSM6L807R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6L807R,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.56 грн
500+14.70 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LF(T SSM6L820R,LF(T TOSHIBA 4249047.pdf Description: TOSHIBA - SSM6L820R,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.03 грн
500+12.80 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TA75S393F,LF(T TA75S393F,LF(T TOSHIBA 3622455.pdf Description: TOSHIBA - TA75S393F,LF(T - Analoger Komparator, Spannung, 1 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, SSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Spannung
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.87 грн
500+11.28 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K513NU,LF(T SSM6K513NU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6K513NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 8900 µohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.23 грн
500+15.69 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,L3F(T DF2B7AE,L3F(T TOSHIBA 4163473.pdf Description: TOSHIBA - DF2B7AE,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5.5 V, 80 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.29 грн
107+7.72 грн
173+4.76 грн
500+3.84 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,L3F(T DF2B7AE,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - DF2B7AE,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5.5 V, 80 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.29 грн
106+7.76 грн
172+4.78 грн
500+3.86 грн
1000+2.76 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W57FU,LF(T TC75W57FU,LF(T TOSHIBA 4249135.pdf Description: TOSHIBA - TC75W57FU,LF(T - Analoger Komparator, Universal, 2 Kanäle, 140 ns, 1.8V bis 7V, SSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, Gegentakt, TTL
Versorgungsspannung: 1.8V bis 7V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Universal
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.40 грн
31+27.08 грн
100+21.09 грн
500+17.29 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W57FU,LF(T TC75W57FU,LF(T TOSHIBA 4249135.pdf Description: TOSHIBA - TC75W57FU,LF(T - Analoger Komparator, Universal, 2 Kanäle, 140 ns, 1.8V bis 7V, SSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.09 грн
500+17.29 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1SS387,H3F(T 1SS387,H3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - 1SS387,H3F(T - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.70 грн
43+19.12 грн
101+8.15 грн
500+5.97 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TTC007,LF(O TTC007,LF(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TTC007,LF(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 1.1 W, TSM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TSM
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.50 грн
28+29.37 грн
100+18.95 грн
500+13.33 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TTC007,LF(O TTC007,LF(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TTC007,LF(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 1.1 W, TSM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.95 грн
500+13.33 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TTC014,L1NV(O TTC014,L1NV(O TOSHIBA docget.jsp?did=14677&prodName=TTC014 Description: TOSHIBA - TTC014,L1NV(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1 A, 40 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.56 грн
20+42.91 грн
100+27.16 грн
500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-GR,LF(T 2SA1588-GR,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SA1588-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, USM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: USM
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.61 грн
55+15.10 грн
128+6.46 грн
500+4.73 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF(T SSM6J422TU,LXHF(T TOSHIBA 4163380.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.79 грн
34+24.53 грн
100+15.75 грн
500+11.20 грн
1000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF(T SSM6J422TU,LXHF(T TOSHIBA 4163380.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.75 грн
500+11.20 грн
1000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHF(T RN1306,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.12 грн
38+21.91 грн
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHF(T RN1306,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF(T RN1305,LXHF(T TOSHIBA 3621112.pdf Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXHF(T RN2304,LXHF(T TOSHIBA 4008653.pdf Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.14 грн
108+7.61 грн
500+5.26 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2301,LXHF(T RN2301,LXHF(T TOSHIBA 4008653.pdf Description: TOSHIBA - RN2301,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.12 грн
38+21.91 грн
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF(T RN1305,LXHF(T TOSHIBA 3621112.pdf Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.51 грн
45+18.62 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF(T RN2412,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.71 грн
72+11.40 грн
115+7.19 грн
500+4.94 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXHF(T RN2310,LXHF(T TOSHIBA 4008654.pdf Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.94 грн
500+5.70 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF(T
SSM6N40TU,LXGF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.09 грн
500+14.09 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LXGF(T
SSM6N39TU,LXGF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N39TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.12 грн
50+35.03 грн
100+27.65 грн
500+18.51 грн
1500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF(T
SSM6K810R,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.33 грн
16+53.08 грн
100+34.79 грн
500+24.99 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(T
SSM3K341TU,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.43 грн
23+37.17 грн
100+25.43 грн
500+17.90 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF(T 4163382.pdf
SSM6K809R,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K809R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.37 грн
18+48.16 грн
100+31.59 грн
500+20.80 грн
1000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(T
SSM3K341TU,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.43 грн
500+17.90 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LXGF(T
SSM6N39TU,LXGF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N39TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.65 грн
500+18.51 грн
1500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF(T
SSM6N40TU,LXGF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.68 грн
50+26.75 грн
100+21.09 грн
500+14.09 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHF(T
SSM3K62TU,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K62TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.65 грн
36+22.81 грн
100+14.60 грн
500+9.29 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF(T
SSM6K819R,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.85 грн
500+37.94 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LXGF(T
SSM6N67NU,LXGF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N67NU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.67 грн
500+16.46 грн
1500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF(T
SSM6K819R,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.07 грн
11+77.62 грн
100+51.85 грн
500+37.94 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF(T
SSM6K810R,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.79 грн
500+24.99 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH(T
SSM6N7002KFU,LXH(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LXH(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.48 грн
102+8.08 грн
500+7.21 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF18A,LM(CT
TCR3UF18A,LM(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3UF18A,LM(CT - LDO-Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 1.8V/300mAout, SOT-25, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 341mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 341mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A
2SC5886A(T6L1,NQ)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC5886A(T6L1,NQ) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.51 грн
18+48.16 грн
100+31.51 грн
500+23.54 грн
1000+19.76 грн
5000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF09A,LM(CT docget.jsp?did=68764
TCR3UF09A,LM(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3UF09A,LM(CT - LDO-Spannungsregler, fest, 1.5 bis 5.5Vin, 933mV Dropout, 0.9V/0.3Aout, SOT-25-5, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Nennausgangsspannung: 900mV
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: To Be Advised
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 900mV 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 900mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 933mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 933mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.44 грн
500+7.08 грн
1500+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF(T
RN1307,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.94 грн
500+5.70 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1315,LXHF(T 4008647.pdf
RN1315,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1315,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.86 грн
500+5.67 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHF(T
RN2307,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHF(T 4008685.pdf
RN2316,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.51 грн
45+18.62 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHF(T 4008685.pdf
RN2316,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1311,LXHF(T
RN1311,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1315,LXHF(T 4008647.pdf
RN1315,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1315,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.30 грн
58+14.19 грн
100+8.86 грн
500+5.67 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F(T 4008643.pdf
RN1114MFV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.80 грн
103+8.02 грн
166+4.97 грн
500+3.09 грн
1000+2.24 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHF(T
RN2307,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.12 грн
38+21.91 грн
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF(T
RN1307,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.84 грн
53+15.75 грн
100+9.85 грн
500+6.84 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXHF(T
RN2311,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.47 грн
58+14.28 грн
100+8.94 грн
500+5.70 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXHF(T
RN2311,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.94 грн
500+5.70 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF(T
RN2411,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2411,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.28 грн
70+11.73 грн
111+7.39 грн
500+5.16 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F(T 4008643.pdf
RN1114MFV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+12.80 грн
103+8.02 грн
166+4.97 грн
500+3.09 грн
1000+2.24 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF(T
RN2411,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2411,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.73 грн
111+7.39 грн
500+5.16 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1311,LXHF(T
RN1311,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.12 грн
38+21.91 грн
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP1,F(O
TLP4590A(D4TP1,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP4590A(D4TP1,F(O - MOSFET-Relais, SPST-NC (1 Form B), AC/DC, 60 V, 1.2 A, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 10µA
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 1.2A
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.9pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.01 грн
10+219.88 грн
25+202.65 грн
50+179.80 грн
100+159.64 грн
500+154.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP1,F(O
TLP4590A(D4TP1,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP4590A(D4TP1,F(O - MOSFET-Relais, SPST-NC (1 Form B), AC/DC, 60 V, 1.2 A, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 10µA
Isolationsspannung: 5kVrms
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 1.2A
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.9pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.6ohm
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+159.64 грн
500+154.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4176G(TP,M,F)
TLP4176G(TP,M,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP4176G(TP,M,F) - MOSFET-Relais, SPST-NC (1 Form B), AC/DC, 350 V, 120 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 1.5kVrms
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 120mA
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.55 грн
500+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4176G(TP,M,F)
TLP4176G(TP,M,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP4176G(TP,M,F) - MOSFET-Relais, SPST-NC (1 Form B), AC/DC, 350 V, 120 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 1.5kVrms
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.94 грн
10+97.64 грн
25+90.25 грн
50+82.28 грн
100+74.55 грн
500+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF(T
SSM6L807R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L807R,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.56 грн
500+14.70 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LF(T 4249047.pdf
SSM6L820R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L820R,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.03 грн
500+12.80 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TA75S393F,LF(T 3622455.pdf
TA75S393F,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TA75S393F,LF(T - Analoger Komparator, Spannung, 1 Kanäle, 1.3 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, SSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Spannung
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.87 грн
500+11.28 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K513NU,LF(T
SSM6K513NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K513NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 8900 µohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.23 грн
500+15.69 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,L3F(T 4163473.pdf
DF2B7AE,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B7AE,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5.5 V, 80 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.29 грн
107+7.72 грн
173+4.76 грн
500+3.84 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,L3F(T
DF2B7AE,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B7AE,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5.5 V, 80 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.29 грн
106+7.76 грн
172+4.78 грн
500+3.86 грн
1000+2.76 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W57FU,LF(T 4249135.pdf
TC75W57FU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC75W57FU,LF(T - Analoger Komparator, Universal, 2 Kanäle, 140 ns, 1.8V bis 7V, SSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, Gegentakt, TTL
Versorgungsspannung: 1.8V bis 7V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Universal
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.40 грн
31+27.08 грн
100+21.09 грн
500+17.29 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W57FU,LF(T 4249135.pdf
TC75W57FU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC75W57FU,LF(T - Analoger Komparator, Universal, 2 Kanäle, 140 ns, 1.8V bis 7V, SSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.09 грн
500+17.29 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1SS387,H3F(T
1SS387,H3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS387,H3F(T - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.70 грн
43+19.12 грн
101+8.15 грн
500+5.97 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TTC007,LF(O
TTC007,LF(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTC007,LF(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 1.1 W, TSM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TSM
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.50 грн
28+29.37 грн
100+18.95 грн
500+13.33 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TTC007,LF(O
TTC007,LF(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTC007,LF(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 1.1 W, TSM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.95 грн
500+13.33 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TTC014,L1NV(O docget.jsp?did=14677&prodName=TTC014
TTC014,L1NV(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTC014,L1NV(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1 A, 40 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: New PW-Mold
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.56 грн
20+42.91 грн
100+27.16 грн
500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-GR,LF(T
2SA1588-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1588-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, USM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: USM
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.61 грн
55+15.10 грн
128+6.46 грн
500+4.73 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF(T 4163380.pdf
SSM6J422TU,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.79 грн
34+24.53 грн
100+15.75 грн
500+11.20 грн
1000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF(T 4163380.pdf
SSM6J422TU,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.75 грн
500+11.20 грн
1000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHF(T
RN1306,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.12 грн
38+21.91 грн
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHF(T
RN1306,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF(T 3621112.pdf
RN1305,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXHF(T 4008653.pdf
RN2304,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.14 грн
108+7.61 грн
500+5.26 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN2301,LXHF(T 4008653.pdf
RN2301,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2301,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.12 грн
38+21.91 грн
100+13.13 грн
500+7.50 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF(T 3621112.pdf
RN1305,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.51 грн
45+18.62 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF(T
RN2412,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+18.71 грн
72+11.40 грн
115+7.19 грн
500+4.94 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXHF(T 4008654.pdf
RN2310,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.94 грн
500+5.70 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 414 483 552 621 671 672 673 674 675 676 677 678 679 680 681 690  [ Наступна Сторінка >> ]