Продукція > UMW > Всі товари виробника UMW (2108) > Сторінка 23 з 36

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S8050 S8050 UMW 67906ac6f3e8e8157fa136baa9841ba6.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8550 S8550 UMW 56285e9724419b55d1002fe2494ccc2d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8550 S8550 UMW 56285e9724419b55d1002fe2494ccc2d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.11 грн
39+7.65 грн
100+4.72 грн
500+3.23 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA555DR UMW UMW Timer; Bipolar; 1MHz; 10mA; 4,5V~16V; -40°C ~ 85°C; Equivalent: SA555D; SA555DT; SA555DX; SA555DR; SA555DE4; SA555DG4; SA555DRE4; SA555DR T 555 d UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD03C SD03C UMW SD03C.PDF Description: TVS DIODE 3.3VWM 16VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD03C SD03C UMW SD03C.PDF Description: TVS DIODE 3.3VWM 16VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.40 грн
16+19.24 грн
100+12.18 грн
500+8.54 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD05C SD05C UMW b136b750fce38ba2a4faf3196aeb389a.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18VC SOD323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD05C SD05C UMW b136b750fce38ba2a4faf3196aeb389a.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18VC SOD323
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
16+18.64 грн
50+13.43 грн
100+11.03 грн
500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SG3524DR UMW UMW Regulating Pulse Width Modulator 100mA 40V 300kHz 0?70°C Replacement for: SG3524D, SG3524DR, SG3524DRE4 SG3524DR ULSG3524d UMW
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SG3525AP UMW UMW Regulating Pulse Width Modulator 400mA 35V 400kHz 0~70°C Replacement for: SG3525AP, SG3525AP013TR, E-SG3525AP SG3525AP ULSG3525a smd UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGM3157 SGM3157 UMW 126a93b808e2f9eb733c623494063966.pdf Description: IC SW SPDT-NO/NCX1 7OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 350MHz
Supplier Device Package: SC70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA (Max)
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGM3157 SGM3157 UMW 126a93b808e2f9eb733c623494063966.pdf Description: IC SW SPDT-NO/NCX1 7OHM SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 350MHz
Supplier Device Package: SC70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA (Max)
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
15+21.17 грн
25+18.93 грн
100+15.39 грн
250+14.26 грн
500+13.59 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300A SI2300A UMW 1a63bb1a6c39d61221d023b2fcf52071.pdf Description: 20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 10 V
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.05 грн
11+28.30 грн
50+20.63 грн
100+17.03 грн
500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300A SI2300A UMW 1a63bb1a6c39d61221d023b2fcf52071.pdf Description: 20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A SI2301A UMW e7509cc59d81375e856957b11235ffd7.pdf Description: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A SI2301A UMW e7509cc59d81375e856957b11235ffd7.pdf Description: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.25 грн
15+21.17 грн
50+15.33 грн
100+12.60 грн
500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301B SI2301B UMW 545b8aefe2ed02bb6ced2d6aa75a75f4.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301B SI2301B UMW 545b8aefe2ed02bb6ced2d6aa75a75f4.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A SI2302A UMW 37a14d5acbf834b7d82facdfe7c305f4.pdf Description: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A SI2302A UMW 37a14d5acbf834b7d82facdfe7c305f4.pdf Description: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.08 грн
17+17.75 грн
50+12.82 грн
100+10.51 грн
500+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B SI2302B UMW 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B SI2302B UMW 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303 UMW f3646b40ad2c4dcabc8bbcd3c979e94a.pdf Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303 UMW f3646b40ad2c4dcabc8bbcd3c979e94a.pdf Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.77 грн
19+16.34 грн
50+11.72 грн
100+9.61 грн
500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A UMW c4575bf9f8a591de51c2cee0743f9f1f.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A UMW c4575bf9f8a591de51c2cee0743f9f1f.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.00 грн
19+16.19 грн
50+11.63 грн
100+9.54 грн
500+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A UMW da4017b5a49100d76481d2ab8207449f.pdf Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.71 грн
15+20.57 грн
50+14.87 грн
100+12.21 грн
500+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A UMW da4017b5a49100d76481d2ab8207449f.pdf Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A UMW f5719efad5e645695472ec0d48d96818.pdf Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A UMW f5719efad5e645695472ec0d48d96818.pdf Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
16+18.94 грн
50+13.65 грн
100+11.21 грн
500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A UMW 954a40fdfcefb52f96f0ea903c8bedf3.pdf Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A UMW 954a40fdfcefb52f96f0ea903c8bedf3.pdf Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.02 грн
14+22.13 грн
50+16.00 грн
100+13.17 грн
500+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A UMW 2753cc5bf00d65a2cd0a97c307d1a601.pdf Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A UMW 2753cc5bf00d65a2cd0a97c307d1a601.pdf Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
15+20.05 грн
50+14.51 грн
100+11.93 грн
500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A SI2309A UMW 401f67498d88ba9a55f414d0ba2ce327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.22 грн
20+15.52 грн
50+11.14 грн
100+9.13 грн
500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A SI2309A UMW 401f67498d88ba9a55f414d0ba2ce327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A UMW SI2310A.pdf Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A UMW SI2310A.pdf Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.34 грн
14+22.36 грн
25+18.30 грн
100+12.92 грн
250+10.83 грн
500+9.55 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A UMW d5016143fa3b153b81fdf2acc8ba10da.pdf Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A UMW d5016143fa3b153b81fdf2acc8ba10da.pdf Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.77 грн
19+16.34 грн
50+11.72 грн
100+9.61 грн
500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2317A SI2317A UMW bc51c13e857e8779ed25a1a465b696dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2317A SI2317A UMW bc51c13e857e8779ed25a1a465b696dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.00 грн
19+15.89 грн
50+11.42 грн
100+9.36 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A UMW b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A UMW b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.25 грн
14+21.32 грн
50+15.45 грн
100+12.69 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A UMW b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf SI2318A SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A SI2319A UMW c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A SI2319A UMW c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.31 грн
18+17.16 грн
100+10.83 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS SI2323DS UMW 02f485dc5083f6902c47e3b2b5547c20.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.86 грн
9000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS SI2323DS UMW 02f485dc5083f6902c47e3b2b5547c20.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
16+18.64 грн
50+13.46 грн
100+11.06 грн
500+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A UMW SI2328A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A UMW SI2328A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.11 грн
35+8.62 грн
40+7.61 грн
100+6.09 грн
250+5.58 грн
500+5.27 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS SI2333CDS UMW 757cf892a4b001eed8234ebc8c8b3eba.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS SI2333CDS UMW 757cf892a4b001eed8234ebc8c8b3eba.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.00 грн
19+15.89 грн
50+11.42 грн
100+9.36 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY SI4401BDY UMW 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY SI4401BDY UMW 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.79 грн
10+38.70 грн
100+25.13 грн
500+18.10 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY(UMW) UMW SI4401BDY(UMW) SI4401BDY MOSFET 40V 16.1A SOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY SI4425DY UMW 6239500266e210c9888bb109e2ebcc30.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY SI4425DY UMW 6239500266e210c9888bb109e2ebcc30.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.91 грн
10+30.68 грн
50+22.42 грн
100+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY UMW 1b8c53c70b8b4f2dee806f5634dcdf1f.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY UMW 1b8c53c70b8b4f2dee806f5634dcdf1f.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.68 грн
10+30.75 грн
50+22.51 грн
100+18.59 грн
500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8050 67906ac6f3e8e8157fa136baa9841ba6.pdf
S8050
Виробник: UMW
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8550 56285e9724419b55d1002fe2494ccc2d.pdf
S8550
Виробник: UMW
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8550 56285e9724419b55d1002fe2494ccc2d.pdf
S8550
Виробник: UMW
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.11 грн
39+7.65 грн
100+4.72 грн
500+3.23 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA555DR UMW
Виробник: UMW
Timer; Bipolar; 1MHz; 10mA; 4,5V~16V; -40°C ~ 85°C; Equivalent: SA555D; SA555DT; SA555DX; SA555DR; SA555DE4; SA555DG4; SA555DRE4; SA555DR T 555 d UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD03C SD03C.PDF
SD03C
Виробник: UMW
Description: TVS DIODE 3.3VWM 16VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD03C SD03C.PDF
SD03C
Виробник: UMW
Description: TVS DIODE 3.3VWM 16VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.40 грн
16+19.24 грн
100+12.18 грн
500+8.54 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD05C b136b750fce38ba2a4faf3196aeb389a.pdf
SD05C
Виробник: UMW
Description: TVS DIODE 5VWM 18VC SOD323
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD05C b136b750fce38ba2a4faf3196aeb389a.pdf
SD05C
Виробник: UMW
Description: TVS DIODE 5VWM 18VC SOD323
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.62 грн
16+18.64 грн
50+13.43 грн
100+11.03 грн
500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SG3524DR UMW
Виробник: UMW
Regulating Pulse Width Modulator 100mA 40V 300kHz 0?70°C Replacement for: SG3524D, SG3524DR, SG3524DRE4 SG3524DR ULSG3524d UMW
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SG3525AP UMW
Виробник: UMW
Regulating Pulse Width Modulator 400mA 35V 400kHz 0~70°C Replacement for: SG3525AP, SG3525AP013TR, E-SG3525AP SG3525AP ULSG3525a smd UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGM3157 126a93b808e2f9eb733c623494063966.pdf
SGM3157
Виробник: UMW
Description: IC SW SPDT-NO/NCX1 7OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 350MHz
Supplier Device Package: SC70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA (Max)
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGM3157 126a93b808e2f9eb733c623494063966.pdf
SGM3157
Виробник: UMW
Description: IC SW SPDT-NO/NCX1 7OHM SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 350MHz
Supplier Device Package: SC70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA (Max)
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.62 грн
15+21.17 грн
25+18.93 грн
100+15.39 грн
250+14.26 грн
500+13.59 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300A 1a63bb1a6c39d61221d023b2fcf52071.pdf
SI2300A
Виробник: UMW
Description: 20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 10 V
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.05 грн
11+28.30 грн
50+20.63 грн
100+17.03 грн
500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300A 1a63bb1a6c39d61221d023b2fcf52071.pdf
SI2300A
Виробник: UMW
Description: 20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A e7509cc59d81375e856957b11235ffd7.pdf
SI2301A
Виробник: UMW
Description: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A e7509cc59d81375e856957b11235ffd7.pdf
SI2301A
Виробник: UMW
Description: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.25 грн
15+21.17 грн
50+15.33 грн
100+12.60 грн
500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301B 545b8aefe2ed02bb6ced2d6aa75a75f4.pdf
SI2301B
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301B 545b8aefe2ed02bb6ced2d6aa75a75f4.pdf
SI2301B
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A 37a14d5acbf834b7d82facdfe7c305f4.pdf
SI2302A
Виробник: UMW
Description: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A 37a14d5acbf834b7d82facdfe7c305f4.pdf
SI2302A
Виробник: UMW
Description: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.08 грн
17+17.75 грн
50+12.82 грн
100+10.51 грн
500+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf
SI2302B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf
SI2302B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 f3646b40ad2c4dcabc8bbcd3c979e94a.pdf
SI2303
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 f3646b40ad2c4dcabc8bbcd3c979e94a.pdf
SI2303
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.77 грн
19+16.34 грн
50+11.72 грн
100+9.61 грн
500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A c4575bf9f8a591de51c2cee0743f9f1f.pdf
SI2304A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A c4575bf9f8a591de51c2cee0743f9f1f.pdf
SI2304A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.00 грн
19+16.19 грн
50+11.63 грн
100+9.54 грн
500+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A da4017b5a49100d76481d2ab8207449f.pdf
SI2305A
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.71 грн
15+20.57 грн
50+14.87 грн
100+12.21 грн
500+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A da4017b5a49100d76481d2ab8207449f.pdf
SI2305A
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A f5719efad5e645695472ec0d48d96818.pdf
SI2306A
Виробник: UMW
Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A f5719efad5e645695472ec0d48d96818.pdf
SI2306A
Виробник: UMW
Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.62 грн
16+18.94 грн
50+13.65 грн
100+11.21 грн
500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A 954a40fdfcefb52f96f0ea903c8bedf3.pdf
SI2307A
Виробник: UMW
Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A 954a40fdfcefb52f96f0ea903c8bedf3.pdf
SI2307A
Виробник: UMW
Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
14+22.13 грн
50+16.00 грн
100+13.17 грн
500+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A 2753cc5bf00d65a2cd0a97c307d1a601.pdf
SI2308A
Виробник: UMW
Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A 2753cc5bf00d65a2cd0a97c307d1a601.pdf
SI2308A
Виробник: UMW
Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
15+20.05 грн
50+14.51 грн
100+11.93 грн
500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A 401f67498d88ba9a55f414d0ba2ce327.pdf
SI2309A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.22 грн
20+15.52 грн
50+11.14 грн
100+9.13 грн
500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A 401f67498d88ba9a55f414d0ba2ce327.pdf
SI2309A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A.pdf
SI2310A
Виробник: UMW
Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A.pdf
SI2310A
Виробник: UMW
Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.34 грн
14+22.36 грн
25+18.30 грн
100+12.92 грн
250+10.83 грн
500+9.55 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A d5016143fa3b153b81fdf2acc8ba10da.pdf
SI2312A
Виробник: UMW
Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A d5016143fa3b153b81fdf2acc8ba10da.pdf
SI2312A
Виробник: UMW
Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.77 грн
19+16.34 грн
50+11.72 грн
100+9.61 грн
500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2317A bc51c13e857e8779ed25a1a465b696dc.pdf
SI2317A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2317A bc51c13e857e8779ed25a1a465b696dc.pdf
SI2317A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.00 грн
19+15.89 грн
50+11.42 грн
100+9.36 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf
SI2318A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf
SI2318A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.25 грн
14+21.32 грн
50+15.45 грн
100+12.69 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A b29bc0441c9bf532d0a24914f8daebcd.pdf
Виробник: UMW
SI2318A SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf
SI2319A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf
SI2319A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.31 грн
18+17.16 грн
100+10.83 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS 02f485dc5083f6902c47e3b2b5547c20.pdf
SI2323DS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.86 грн
9000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS 02f485dc5083f6902c47e3b2b5547c20.pdf
SI2323DS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.62 грн
16+18.64 грн
50+13.46 грн
100+11.06 грн
500+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A.PDF
SI2328A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.21 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A.PDF
SI2328A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.11 грн
35+8.62 грн
40+7.61 грн
100+6.09 грн
250+5.58 грн
500+5.27 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS 757cf892a4b001eed8234ebc8c8b3eba.pdf
SI2333CDS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS 757cf892a4b001eed8234ebc8c8b3eba.pdf
SI2333CDS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.00 грн
19+15.89 грн
50+11.42 грн
100+9.36 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf
SI4401BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf
SI4401BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.79 грн
10+38.70 грн
100+25.13 грн
500+18.10 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY(UMW)
Виробник: UMW
SI4401BDY(UMW) SI4401BDY MOSFET 40V 16.1A SOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY 6239500266e210c9888bb109e2ebcc30.pdf
SI4425DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY 6239500266e210c9888bb109e2ebcc30.pdf
SI4425DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.91 грн
10+30.68 грн
50+22.42 грн
100+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY 1b8c53c70b8b4f2dee806f5634dcdf1f.pdf
SI4435DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY 1b8c53c70b8b4f2dee806f5634dcdf1f.pdf
SI4435DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+51.68 грн
10+30.75 грн
50+22.51 грн
100+18.59 грн
500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.