Продукція > UMW > Всі товари виробника UMW (1882) > Сторінка 1 з 32

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
100N03A 100N03A UMW 56e50fe4e5b9be248fe4d5ead46510e6.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.54 грн
12+25.61 грн
25+22.92 грн
100+18.71 грн
250+17.38 грн
500+16.58 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100N03A 100N03A UMW 56e50fe4e5b9be248fe4d5ead46510e6.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10N65F 10N65F UMW 8f6527a3ab02124e2dc83d30b463c1c4.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.44 грн
10+73.50 грн
100+49.14 грн
500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10N65F 10N65F
Код товару: 220928
Додати до обраних Обраний товар
UMW 8f6527a3ab02124e2dc83d30b463c1c4.pdf 5272_10N65F.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1549/32
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
12N10 12N10 UMW ebd6f2e3f2e0aae06334014d4ebe8b18.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
12N10 12N10 UMW ebd6f2e3f2e0aae06334014d4ebe8b18.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.74 грн
10+32.46 грн
100+20.91 грн
500+14.96 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15N10 15N10 UMW 15N10.pdf Description: 100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.44 грн
10+35.92 грн
100+23.25 грн
500+16.70 грн
1000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15N10 15N10 UMW 15N10.pdf Description: 100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007(A7) UMW 1.0A 1000V SOD-123FL Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N60G 1N60G UMW acde93c3be07e53ecdaa2b0441dfc761.pdf Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.15 грн
16+18.90 грн
25+16.81 грн
100+13.66 грн
250+12.64 грн
500+12.02 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N60G 1N60G UMW acde93c3be07e53ecdaa2b0441dfc761.pdf Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N60L 1N60L UMW 1N60G.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N60L 1N60L UMW 1N60G.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.42 грн
10+45.11 грн
25+37.41 грн
100+26.96 грн
250+22.94 грн
500+20.48 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N65G 1N65G UMW 1N65.PDF Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N65G 1N65G UMW 1N65.PDF Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.51 грн
10+42.85 грн
25+35.49 грн
100+25.54 грн
250+21.71 грн
500+19.35 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N65L 1N65L UMW 1N65.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N65L 1N65L UMW 1N65.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.42 грн
10+45.04 грн
25+37.35 грн
100+26.91 грн
250+22.90 грн
500+20.44 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25N06 25N06 UMW 9bf8ccb949e0e45bbb65c3a799afcd71.pdf Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25N06 25N06 UMW 9bf8ccb949e0e45bbb65c3a799afcd71.pdf Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.36 грн
10+31.10 грн
25+27.86 грн
100+22.84 грн
250+21.26 грн
500+20.31 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N60G 2N60G UMW 63218fd26eb49c128d442ed3d62cb804.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N60G 2N60G UMW 63218fd26eb49c128d442ed3d62cb804.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A SOT223
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.40 грн
10+31.18 грн
100+20.06 грн
500+14.31 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N60L 2N60L UMW 7c2aa606c7121e97b5d324fd860e4659.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N60L 2N60L UMW 7c2aa606c7121e97b5d324fd860e4659.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.53 грн
10+33.36 грн
100+21.59 грн
500+15.49 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N65G 2N65G UMW 2N65.pdf Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N65G 2N65G UMW 2N65.pdf Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.36 грн
10+37.73 грн
25+35.25 грн
100+26.45 грн
250+24.56 грн
500+20.78 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N65L 2N65L UMW 2N65.pdf Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.62 грн
10+44.36 грн
25+41.66 грн
100+31.91 грн
250+29.64 грн
500+25.23 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N65L 2N65L UMW 2N65.pdf Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 UMW T2N7002_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B 2N7002B UMW 6a527de3b6dbafa9b920e6b739e55647.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.42 грн
31+9.79 грн
100+6.07 грн
500+4.17 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B 2N7002B UMW 6a527de3b6dbafa9b920e6b739e55647.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623 2SC1623 UMW T2SC1623_UMW_UMW_0001.pdf Transistor NPN; 400; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC1623-L6-HF; 2SC1623-L6-TP; 2SC1623-L6-TP-HF; 2SC1623 UMW T2SC1623 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712 2SC2712 UMW T2SC2712_UMW_UMW_0001.pdf Transistor NPN; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP; 2SC2712-GR UMW T2SC2712 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30N03A 30N03A UMW UMW%2030N03A.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30N03A 30N03A UMW UMW%2030N03A.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.53 грн
10+32.84 грн
100+21.27 грн
500+15.26 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30N06 30N06 UMW UMW%2030N06.pdf Description: 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30N06 30N06 UMW UMW%2030N06.pdf Description: 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.73 грн
10+43.83 грн
100+28.68 грн
500+20.81 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 30P03D UMW 670b477da2c3bb971786a7fbd8dcf508.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.74 грн
10+32.68 грн
100+21.07 грн
500+15.07 грн
1000+13.56 грн
2000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 30P03D UMW 670b477da2c3bb971786a7fbd8dcf508.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
35N06 35N06 UMW 35N06.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
35N06 35N06 UMW 35N06.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.96 грн
10+37.20 грн
25+33.47 грн
100+27.55 грн
250+25.71 грн
500+24.61 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
40N06 40N06 UMW 421fa9ccd19f7517567e82d51a4d62cd.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.21 грн
10+47.22 грн
100+30.88 грн
500+22.40 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
40N06 40N06 UMW 421fa9ccd19f7517567e82d51a4d62cd.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N25 4N25 UMW OO4N25_UMW_UMW_0001.pdf Single-Channel CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E 4N25 UMW OO4N25 UMW
кількість в упаковці: 65 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
65+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N25 4N25 UMW OO4N25_UMW_UMW_0001.pdf Single-Channel CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E 4N25 UMW OO4N25 UMW
кількість в упаковці: 65 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
130+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35 UMW 4N3X%20Series%201115.pdf 4n35.pdf 4N35-4N37.pdf DIP-6, Optocoupler, CTR=100%@If=1mA@Vce=10V, Viso=3550V, -55...+110 Оптрони та твердотільні реле
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
35+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35 4N35 UMW OO4N35_UMW_UMW_0001.pdf Single-Channel CTR 100% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N35M, 4N35-LIT, 4N35-EVE, 4N35-ISO, 4N35-VIS, 4N35(SHORT,F), 4N35-000E 4N35 UMW OO4N35 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 4N60L UMW 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.20 грн
5000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 4N60L UMW 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.87 грн
10+34.64 грн
100+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N65F 4N65F UMW 55b6b41cc303bb5a5f09f2d4bcb320fa.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.51 грн
10+43.98 грн
100+28.70 грн
500+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N65L 4N65L UMW 55b6b41cc303bb5a5f09f2d4bcb320fa.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.48 грн
5000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N65L 4N65L UMW 55b6b41cc303bb5a5f09f2d4bcb320fa.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 50N06 UMW 1d470444ea152bf302bea3580c0ff6d0.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 50N06 UMW 1d470444ea152bf302bea3580c0ff6d0.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.68 грн
10+50.46 грн
100+33.09 грн
500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5N65F 5N65F UMW 2548541fcf332a7ce27c11c3d92a6843.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.90 грн
10+50.31 грн
100+33.05 грн
500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N136M UMW HCPL2530M-D.PDF Single-Channel CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E 6N136M UMW OO6N136 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N136M UMW HCPL2530M-D.PDF Single-Channel CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E 6N136M UMW OO6N136 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N137M UMW HCPL2631M-D.PDF 6N137%20Series.pdf Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137M, 6N137-L, 6N137-EVE, 6N137-ISO, 6N137-VIS, 6N137(F), 6N137-000E 6N137 UMW OO6N137 UMW
кількість в упаковці: 45 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
45+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N137S UMW 6N137%20Series.pdf C2918951.pdf description Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137SM, 6N137SDM, 6N137S, 6N137S-L, 6N137S-TA1, 6N137S-TA1-L, 6N137S(TA), 6N137SM-ISO, 6N137SMT/R, 6N137-300E, 6N137-500E 6N137S smd UMW OO6N137 smd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
78D05L 78D05L UMW 11add2e30d5f8561e92f16e00314c4ab.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 350mA
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
78D05L 78D05L UMW 11add2e30d5f8561e92f16e00314c4ab.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 350mA
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.12 грн
22+13.93 грн
25+12.35 грн
100+9.98 грн
250+9.21 грн
500+8.75 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100N03A 56e50fe4e5b9be248fe4d5ead46510e6.pdf
100N03A
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.54 грн
12+25.61 грн
25+22.92 грн
100+18.71 грн
250+17.38 грн
500+16.58 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100N03A 56e50fe4e5b9be248fe4d5ead46510e6.pdf
100N03A
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10N65F 8f6527a3ab02124e2dc83d30b463c1c4.pdf
10N65F
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.44 грн
10+73.50 грн
100+49.14 грн
500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10N65F
Код товару: 220928
Додати до обраних Обраний товар
8f6527a3ab02124e2dc83d30b463c1c4.pdf 5272_10N65F.pdf
10N65F
Виробник: UMW
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1549/32
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
12N10 ebd6f2e3f2e0aae06334014d4ebe8b18.pdf
12N10
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
12N10 ebd6f2e3f2e0aae06334014d4ebe8b18.pdf
12N10
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.74 грн
10+32.46 грн
100+20.91 грн
500+14.96 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15N10 15N10.pdf
15N10
Виробник: UMW
Description: 100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.44 грн
10+35.92 грн
100+23.25 грн
500+16.70 грн
1000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15N10 15N10.pdf
15N10
Виробник: UMW
Description: 100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007(A7)
Виробник: UMW
1.0A 1000V SOD-123FL Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N60G acde93c3be07e53ecdaa2b0441dfc761.pdf
1N60G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.15 грн
16+18.90 грн
25+16.81 грн
100+13.66 грн
250+12.64 грн
500+12.02 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N60G acde93c3be07e53ecdaa2b0441dfc761.pdf
1N60G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N60L 1N60G.PDF
1N60L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N60L 1N60G.PDF
1N60L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.42 грн
10+45.11 грн
25+37.41 грн
100+26.96 грн
250+22.94 грн
500+20.48 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N65G 1N65.PDF
1N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N65G 1N65.PDF
1N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.51 грн
10+42.85 грн
25+35.49 грн
100+25.54 грн
250+21.71 грн
500+19.35 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N65L 1N65.PDF
1N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N65L 1N65.PDF
1N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.42 грн
10+45.04 грн
25+37.35 грн
100+26.91 грн
250+22.90 грн
500+20.44 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25N06 9bf8ccb949e0e45bbb65c3a799afcd71.pdf
25N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25N06 9bf8ccb949e0e45bbb65c3a799afcd71.pdf
25N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.36 грн
10+31.10 грн
25+27.86 грн
100+22.84 грн
250+21.26 грн
500+20.31 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N60G 63218fd26eb49c128d442ed3d62cb804.pdf
2N60G
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 2A SOT223
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N60G 63218fd26eb49c128d442ed3d62cb804.pdf
2N60G
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 2A SOT223
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.40 грн
10+31.18 грн
100+20.06 грн
500+14.31 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N60L 7c2aa606c7121e97b5d324fd860e4659.pdf
2N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N60L 7c2aa606c7121e97b5d324fd860e4659.pdf
2N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.53 грн
10+33.36 грн
100+21.59 грн
500+15.49 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N65G 2N65.pdf
2N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N65G 2N65.pdf
2N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.36 грн
10+37.73 грн
25+35.25 грн
100+26.45 грн
250+24.56 грн
500+20.78 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N65L 2N65.pdf
2N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.62 грн
10+44.36 грн
25+41.66 грн
100+31.91 грн
250+29.64 грн
500+25.23 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N65L 2N65.pdf
2N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 T2N7002_UMW_UMW_0001.pdf
2N7002
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B 6a527de3b6dbafa9b920e6b739e55647.pdf
2N7002B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.42 грн
31+9.79 грн
100+6.07 грн
500+4.17 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B 6a527de3b6dbafa9b920e6b739e55647.pdf
2N7002B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623 T2SC1623_UMW_UMW_0001.pdf
2SC1623
Виробник: UMW
Transistor NPN; 400; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC1623-L6-HF; 2SC1623-L6-TP; 2SC1623-L6-TP-HF; 2SC1623 UMW T2SC1623 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712 T2SC2712_UMW_UMW_0001.pdf
2SC2712
Виробник: UMW
Transistor NPN; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP; 2SC2712-GR UMW T2SC2712 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30N03A UMW%2030N03A.pdf
30N03A
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30N03A UMW%2030N03A.pdf
30N03A
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.53 грн
10+32.84 грн
100+21.27 грн
500+15.26 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30N06 UMW%2030N06.pdf
30N06
Виробник: UMW
Description: 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30N06 UMW%2030N06.pdf
30N06
Виробник: UMW
Description: 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.73 грн
10+43.83 грн
100+28.68 грн
500+20.81 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 670b477da2c3bb971786a7fbd8dcf508.pdf
30P03D
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.74 грн
10+32.68 грн
100+21.07 грн
500+15.07 грн
1000+13.56 грн
2000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 670b477da2c3bb971786a7fbd8dcf508.pdf
30P03D
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
35N06 35N06.PDF
35N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
35N06 35N06.PDF
35N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.96 грн
10+37.20 грн
25+33.47 грн
100+27.55 грн
250+25.71 грн
500+24.61 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
40N06 421fa9ccd19f7517567e82d51a4d62cd.pdf
40N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.21 грн
10+47.22 грн
100+30.88 грн
500+22.40 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
40N06 421fa9ccd19f7517567e82d51a4d62cd.pdf
40N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N25 OO4N25_UMW_UMW_0001.pdf
4N25
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E 4N25 UMW OO4N25 UMW
кількість в упаковці: 65 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N25 OO4N25_UMW_UMW_0001.pdf
4N25
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E 4N25 UMW OO4N25 UMW
кількість в упаковці: 65 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35 4N3X%20Series%201115.pdf 4n35.pdf 4N35-4N37.pdf
Виробник: UMW
DIP-6, Optocoupler, CTR=100%@If=1mA@Vce=10V, Viso=3550V, -55...+110 Оптрони та твердотільні реле
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N35 OO4N35_UMW_UMW_0001.pdf
4N35
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 100% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N35M, 4N35-LIT, 4N35-EVE, 4N35-ISO, 4N35-VIS, 4N35(SHORT,F), 4N35-000E 4N35 UMW OO4N35 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf
4N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.20 грн
5000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf
4N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.87 грн
10+34.64 грн
100+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N65F 55b6b41cc303bb5a5f09f2d4bcb320fa.pdf
4N65F
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.51 грн
10+43.98 грн
100+28.70 грн
500+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N65L 55b6b41cc303bb5a5f09f2d4bcb320fa.pdf
4N65L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.48 грн
5000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N65L 55b6b41cc303bb5a5f09f2d4bcb320fa.pdf
4N65L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 1d470444ea152bf302bea3580c0ff6d0.pdf
50N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 1d470444ea152bf302bea3580c0ff6d0.pdf
50N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.68 грн
10+50.46 грн
100+33.09 грн
500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5N65F 2548541fcf332a7ce27c11c3d92a6843.pdf
5N65F
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.90 грн
10+50.31 грн
100+33.05 грн
500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N136M HCPL2530M-D.PDF
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E 6N136M UMW OO6N136 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N136M HCPL2530M-D.PDF
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E 6N136M UMW OO6N136 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N137M HCPL2631M-D.PDF 6N137%20Series.pdf
Виробник: UMW
Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137M, 6N137-L, 6N137-EVE, 6N137-ISO, 6N137-VIS, 6N137(F), 6N137-000E 6N137 UMW OO6N137 UMW
кількість в упаковці: 45 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N137S description 6N137%20Series.pdf C2918951.pdf
Виробник: UMW
Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137SM, 6N137SDM, 6N137S, 6N137S-L, 6N137S-TA1, 6N137S-TA1-L, 6N137S(TA), 6N137SM-ISO, 6N137SMT/R, 6N137-300E, 6N137-500E 6N137S smd UMW OO6N137 smd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
78D05L 11add2e30d5f8561e92f16e00314c4ab.pdf
78D05L
Виробник: UMW
Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 350mA
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
78D05L 11add2e30d5f8561e92f16e00314c4ab.pdf
78D05L
Виробник: UMW
Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 350mA
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.12 грн
22+13.93 грн
25+12.35 грн
100+9.98 грн
250+9.21 грн
500+8.75 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]