Продукція > UMW > Всі товари виробника UMW (1854) > Сторінка 1 з 31

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
100N03A 100N03A UMW UMW%20100N03A.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
100N03A 100N03A UMW UMW%20100N03A.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.85 грн
13+24.92 грн
25+22.29 грн
100+18.20 грн
250+16.90 грн
500+16.12 грн
1000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
10N65F 10N65F UMW 310f4d1d8a3dc48707de7f43a9cfa003.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.61 грн
10+71.50 грн
100+47.77 грн
500+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
10N65F 10N65F
Код товару: 220928
Додати до обраних Обраний товар
UMW 310f4d1d8a3dc48707de7f43a9cfa003.pdf 5272_10N65F.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 650 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1549/32
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
1+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
12N10 12N10 UMW ebd6f2e3f2e0aae06334014d4ebe8b18.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.89 грн
10+32.54 грн
100+20.96 грн
500+14.99 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
12N10 12N10 UMW ebd6f2e3f2e0aae06334014d4ebe8b18.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
15N10 15N10 UMW 15N10.pdf Description: 100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.59 грн
10+36.02 грн
100+23.31 грн
500+16.74 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
15N10 15N10 UMW 15N10.pdf Description: 100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007(A7) UMW 1.0A 1000V SOD-123FL Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N60G 1N60G UMW 1N60G.PDF Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N60G 1N60G UMW 1N60G.PDF Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.44 грн
17+18.35 грн
25+16.34 грн
100+13.28 грн
250+12.29 грн
500+11.69 грн
1000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
1N60L 1N60L UMW 1N60G.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.63 грн
10+45.23 грн
25+37.51 грн
100+27.03 грн
250+23.00 грн
500+20.53 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N60L 1N60L UMW 1N60G.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N65G 1N65G UMW 1N65.PDF Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N65G 1N65G UMW 1N65.PDF Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.71 грн
10+42.96 грн
25+35.58 грн
100+25.60 грн
250+21.76 грн
500+19.40 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N65L 1N65L UMW 1N65.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.63 грн
10+45.15 грн
25+37.45 грн
100+26.98 грн
250+22.96 грн
500+20.49 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N65L 1N65L UMW 1N65.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
25N06 25N06 UMW 25N06.pdf Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.13 грн
11+29.15 грн
25+26.09 грн
100+21.41 грн
250+19.93 грн
500+19.03 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
25N06 25N06 UMW 25N06.pdf Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N60L 2N60L UMW 7c2aa606c7121e97b5d324fd860e4659.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.67 грн
10+33.45 грн
100+21.65 грн
500+15.53 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N60L 2N60L UMW 7c2aa606c7121e97b5d324fd860e4659.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N65G 2N65G UMW 2N65.pdf Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.48 грн
10+37.83 грн
25+35.34 грн
100+26.52 грн
250+24.63 грн
500+20.84 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N65G 2N65G UMW 2N65.pdf Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N65L 2N65L UMW 2N65.pdf Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N65L 2N65L UMW 2N65.pdf Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.75 грн
10+44.47 грн
25+41.77 грн
100+31.99 грн
250+29.72 грн
500+25.29 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 UMW T2N7002_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B 2N7002B UMW 2n7002b.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B 2N7002B UMW 2n7002b.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623 2SC1623 UMW T2SC1623_UMW_UMW_0001.pdf Transistor NPN; 400; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC1623-L6-HF; 2SC1623-L6-TP; 2SC1623-L6-TP-HF; 2SC1623 UMW T2SC1623 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712 2SC2712 UMW T2SC2712_UMW_UMW_0001.pdf Transistor NPN; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP; 2SC2712-GR UMW T2SC2712 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
30N03A 30N03A UMW UMW%2030N03A.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30N03A 30N03A UMW UMW%2030N03A.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.67 грн
10+32.92 грн
100+21.32 грн
500+15.30 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
30N06 30N06 UMW UMW%2030N06.pdf Description: 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30N06 30N06 UMW UMW%2030N06.pdf Description: 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.92 грн
10+43.94 грн
100+28.75 грн
500+20.86 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 30P03D UMW 169a8e11d5eeb8ccfa807754a0bad90c.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 30P03D UMW 169a8e11d5eeb8ccfa807754a0bad90c.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.89 грн
10+32.54 грн
100+20.96 грн
500+14.99 грн
1000+13.49 грн
2000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
35N06 35N06 UMW 35N06.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
35N06 35N06 UMW 35N06.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.10 грн
10+37.30 грн
25+33.55 грн
100+27.62 грн
250+25.78 грн
500+24.67 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
40N06 40N06 UMW UMW%2040N06.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
40N06 40N06 UMW UMW%2040N06.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.06 грн
10+45.91 грн
100+30.02 грн
500+21.77 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
4N25 4N25 UMW OO4N25_UMW_UMW_0001.pdf Single-Channel CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E 4N25 UMW OO4N25 UMW
кількість в упаковці: 65 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
65+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
4N25 4N25 UMW OO4N25_UMW_UMW_0001.pdf Single-Channel CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E 4N25 UMW OO4N25 UMW
кількість в упаковці: 65 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
130+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
4N35 UMW 4n35.pdf 4N3X%20Series%201115.pdf 4N35-4N37.pdf index.php?controller=attachment&id_attachment=6 4n35-d.pdf DIP-6, Optocoupler, CTR=100%@If=1mA@Vce=10V, Viso=3550V, -55...+110 Група товару: Оптрони та твердотільні реле Од. вим: шт
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
36+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
4N35 4N35 UMW OO4N35_UMW_UMW_0001.pdf Single-Channel CTR 100% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N35M, 4N35-LIT, 4N35-EVE, 4N35-ISO, 4N35-VIS, 4N35(SHORT,F), 4N35-000E 4N35 UMW OO4N35 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 4N60L UMW 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.24 грн
5000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 4N60L UMW 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.02 грн
10+34.73 грн
100+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
4N65F 4N65F UMW 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.35 грн
10+42.74 грн
100+27.90 грн
500+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
4N65L 4N65L UMW 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N65L 4N65L UMW 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.05 грн
5000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 50N06 UMW UMW%2050N06.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.00 грн
100+32.17 грн
500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 50N06 UMW UMW%2050N06.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N65F 5N65F UMW 2548541fcf332a7ce27c11c3d92a6843.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.11 грн
10+50.44 грн
100+33.13 грн
500+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6N136M UMW hcpl2530m-d.pdf 6N135-36%20Series.pdf Single-Channel CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E 6N136M UMW OO6N136 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
6N136M UMW hcpl2530m-d.pdf 6N135-36%20Series.pdf Single-Channel CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E 6N136M UMW OO6N136 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
6N137M UMW HCPL2631M-D.PDF 6N137%20Series.pdf Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137M, 6N137-L, 6N137-EVE, 6N137-ISO, 6N137-VIS, 6N137(F), 6N137-000E 6N137 UMW OO6N137 UMW
кількість в упаковці: 45 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
45+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
6N137M UMW HCPL2631M-D.PDF 6N137%20Series.pdf Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137M, 6N137-L, 6N137-EVE, 6N137-ISO, 6N137-VIS, 6N137(F), 6N137-000E 6N137 UMW OO6N137 UMW
кількість в упаковці: 45 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
45+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
6N137S UMW 6N137%20Series.pdf C2918951.pdf description Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137SM, 6N137SDM, 6N137S, 6N137S-L, 6N137S-TA1, 6N137S-TA1-L, 6N137S(TA), 6N137SM-ISO, 6N137SMT/R, 6N137-300E, 6N137-500E 6N137S smd UMW OO6N137 smd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
78D05L 78D05L UMW 11add2e30d5f8561e92f16e00314c4ab.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 350mA
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
78D05L 78D05L UMW 11add2e30d5f8561e92f16e00314c4ab.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 350mA
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.17 грн
22+13.97 грн
25+12.38 грн
100+10.01 грн
250+9.23 грн
500+8.77 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
78L05 78L05 UMW 7c0b4ec8a4d17a4fa29d0083fbaa81d3.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -20°C ~ 120°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 5.5 mA
Voltage - Input (Max): 30V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-89
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
100N03A UMW%20100N03A.pdf
100N03A
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
100N03A UMW%20100N03A.pdf
100N03A
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.85 грн
13+24.92 грн
25+22.29 грн
100+18.20 грн
250+16.90 грн
500+16.12 грн
1000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
10N65F 310f4d1d8a3dc48707de7f43a9cfa003.pdf
10N65F
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.61 грн
10+71.50 грн
100+47.77 грн
500+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
10N65F
Код товару: 220928
Додати до обраних Обраний товар
310f4d1d8a3dc48707de7f43a9cfa003.pdf 5272_10N65F.pdf
10N65F
Виробник: UMW
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 650 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1549/32
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
1+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
12N10 ebd6f2e3f2e0aae06334014d4ebe8b18.pdf
12N10
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.89 грн
10+32.54 грн
100+20.96 грн
500+14.99 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
12N10 ebd6f2e3f2e0aae06334014d4ebe8b18.pdf
12N10
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
15N10 15N10.pdf
15N10
Виробник: UMW
Description: 100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.59 грн
10+36.02 грн
100+23.31 грн
500+16.74 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
15N10 15N10.pdf
15N10
Виробник: UMW
Description: 100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007(A7)
Виробник: UMW
1.0A 1000V SOD-123FL Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N60G 1N60G.PDF
1N60G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N60G 1N60G.PDF
1N60G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.44 грн
17+18.35 грн
25+16.34 грн
100+13.28 грн
250+12.29 грн
500+11.69 грн
1000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
1N60L 1N60G.PDF
1N60L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.63 грн
10+45.23 грн
25+37.51 грн
100+27.03 грн
250+23.00 грн
500+20.53 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N60L 1N60G.PDF
1N60L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N65G 1N65.PDF
1N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N65G 1N65.PDF
1N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.71 грн
10+42.96 грн
25+35.58 грн
100+25.60 грн
250+21.76 грн
500+19.40 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N65L 1N65.PDF
1N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.63 грн
10+45.15 грн
25+37.45 грн
100+26.98 грн
250+22.96 грн
500+20.49 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N65L 1N65.PDF
1N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
25N06 25N06.pdf
25N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.13 грн
11+29.15 грн
25+26.09 грн
100+21.41 грн
250+19.93 грн
500+19.03 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
25N06 25N06.pdf
25N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N60L 7c2aa606c7121e97b5d324fd860e4659.pdf
2N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.67 грн
10+33.45 грн
100+21.65 грн
500+15.53 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N60L 7c2aa606c7121e97b5d324fd860e4659.pdf
2N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N65G 2N65.pdf
2N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.48 грн
10+37.83 грн
25+35.34 грн
100+26.52 грн
250+24.63 грн
500+20.84 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N65G 2N65.pdf
2N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N65L 2N65.pdf
2N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N65L 2N65.pdf
2N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.75 грн
10+44.47 грн
25+41.77 грн
100+31.99 грн
250+29.72 грн
500+25.29 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 T2N7002_UMW_UMW_0001.pdf
2N7002
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B 2n7002b.pdf
2N7002B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002B 2n7002b.pdf
2N7002B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC1623 T2SC1623_UMW_UMW_0001.pdf
2SC1623
Виробник: UMW
Transistor NPN; 400; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC1623-L6-HF; 2SC1623-L6-TP; 2SC1623-L6-TP-HF; 2SC1623 UMW T2SC1623 UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712 T2SC2712_UMW_UMW_0001.pdf
2SC2712
Виробник: UMW
Transistor NPN; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP; 2SC2712-GR UMW T2SC2712 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
30N03A UMW%2030N03A.pdf
30N03A
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30N03A UMW%2030N03A.pdf
30N03A
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.67 грн
10+32.92 грн
100+21.32 грн
500+15.30 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
30N06 UMW%2030N06.pdf
30N06
Виробник: UMW
Description: 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30N06 UMW%2030N06.pdf
30N06
Виробник: UMW
Description: 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.92 грн
10+43.94 грн
100+28.75 грн
500+20.86 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 169a8e11d5eeb8ccfa807754a0bad90c.pdf
30P03D
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 169a8e11d5eeb8ccfa807754a0bad90c.pdf
30P03D
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.89 грн
10+32.54 грн
100+20.96 грн
500+14.99 грн
1000+13.49 грн
2000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
35N06 35N06.PDF
35N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
35N06 35N06.PDF
35N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.10 грн
10+37.30 грн
25+33.55 грн
100+27.62 грн
250+25.78 грн
500+24.67 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
40N06 UMW%2040N06.pdf
40N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
40N06 UMW%2040N06.pdf
40N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.06 грн
10+45.91 грн
100+30.02 грн
500+21.77 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
4N25 OO4N25_UMW_UMW_0001.pdf
4N25
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E 4N25 UMW OO4N25 UMW
кількість в упаковці: 65 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
4N25 OO4N25_UMW_UMW_0001.pdf
4N25
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 20% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N25M, 4N25-LIT, 4N25-EVE, 4N25-ISO, 4N25-VIS, 4N25(SHORT,F), 4N25-000E 4N25 UMW OO4N25 UMW
кількість в упаковці: 65 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
4N35 4n35.pdf 4N3X%20Series%201115.pdf 4N35-4N37.pdf index.php?controller=attachment&id_attachment=6 4n35-d.pdf
Виробник: UMW
DIP-6, Optocoupler, CTR=100%@If=1mA@Vce=10V, Viso=3550V, -55...+110 Група товару: Оптрони та твердотільні реле Од. вим: шт
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
36+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
4N35 OO4N35_UMW_UMW_0001.pdf
4N35
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 100% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 4N35M, 4N35-LIT, 4N35-EVE, 4N35-ISO, 4N35-VIS, 4N35(SHORT,F), 4N35-000E 4N35 UMW OO4N35 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf
4N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.24 грн
5000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf
4N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.02 грн
10+34.73 грн
100+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
4N65F 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf
4N65F
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.35 грн
10+42.74 грн
100+27.90 грн
500+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
4N65L 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf
4N65L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N65L 7c2211306ee2c191af1e81e38d412bcd.pdf
4N65L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.05 грн
5000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 UMW%2050N06.pdf
50N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.55 грн
10+49.00 грн
100+32.17 грн
500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 UMW%2050N06.pdf
50N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N65F 2548541fcf332a7ce27c11c3d92a6843.pdf
5N65F
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.11 грн
10+50.44 грн
100+33.13 грн
500+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6N136M hcpl2530m-d.pdf 6N135-36%20Series.pdf
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E 6N136M UMW OO6N136 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
6N136M hcpl2530m-d.pdf 6N135-36%20Series.pdf
Виробник: UMW
Single-Channel CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Replacement for: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E 6N136M UMW OO6N136 UMW
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
6N137M HCPL2631M-D.PDF 6N137%20Series.pdf
Виробник: UMW
Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137M, 6N137-L, 6N137-EVE, 6N137-ISO, 6N137-VIS, 6N137(F), 6N137-000E 6N137 UMW OO6N137 UMW
кількість в упаковці: 45 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
6N137M HCPL2631M-D.PDF 6N137%20Series.pdf
Виробник: UMW
Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137M, 6N137-L, 6N137-EVE, 6N137-ISO, 6N137-VIS, 6N137(F), 6N137-000E 6N137 UMW OO6N137 UMW
кількість в упаковці: 45 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
6N137S description 6N137%20Series.pdf C2918951.pdf
Виробник: UMW
Single-Channel CTR N/A% Vce 7V Uiso 2,5kV Open Collector Replacement for: 6N137SM, 6N137SDM, 6N137S, 6N137S-L, 6N137S-TA1, 6N137S-TA1-L, 6N137S(TA), 6N137SM-ISO, 6N137SMT/R, 6N137-300E, 6N137-500E 6N137S smd UMW OO6N137 smd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
78D05L 11add2e30d5f8561e92f16e00314c4ab.pdf
78D05L
Виробник: UMW
Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 350mA
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
78D05L 11add2e30d5f8561e92f16e00314c4ab.pdf
78D05L
Виробник: UMW
Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 350mA
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.17 грн
22+13.97 грн
25+12.38 грн
100+10.01 грн
250+9.23 грн
500+8.77 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
78L05 7c0b4ec8a4d17a4fa29d0083fbaa81d3.pdf
78L05
Виробник: UMW
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -20°C ~ 120°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 5.5 mA
Voltage - Input (Max): 30V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-89
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]