Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356679) > Сторінка 1174 з 5945

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4463BDY-T1-GE3 VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.05 грн
10+65.70 грн
26+42.21 грн
71+39.91 грн
500+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3 VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 VISHAY si4465ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3 VISHAY si4465ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY si4477dy.pdf SI4477DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.05 грн
5+84.04 грн
15+74.49 грн
25+71.73 грн
41+69.89 грн
100+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3 VISHAY si4485dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 VISHAY si4488dy-090512.pdf SI4488DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 VISHAY si4488dy-090512.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-E3 SI4490DY-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C727DBC5F0469&compId=SI4490DY-E3.pdf?ci_sign=f612db75eeba4637e85f7093b3dabe03e0193e5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY si4491edy.pdf SI4491EDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90D3F2226A2143&compId=SI4497DY.pdf?ci_sign=f077607bae8cfa6b6f9f15eb29c9649780b3a094 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.18 грн
10+132.74 грн
11+106.67 грн
28+100.24 грн
100+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 VISHAY si4501bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-8V; 12/-8A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-8V
Drain current: 12/-8A
On-state resistance: 37/20mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.1/4.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42/25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9/12nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.28 грн
10+51.00 грн
50+21.79 грн
137+20.60 грн
2500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 VISHAY si4554dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-8A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-8A
On-state resistance: 34/27mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.2/3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63/20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22/20nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22/20nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.77 грн
10+89.29 грн
30+36.88 грн
81+34.94 грн
10000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 VISHAY si4564dy.pdf SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 VISHAY si4590dy.pdf SI4590DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf SI4599DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.36 грн
44+24.83 грн
120+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4626ADY-T1-E3 VISHAY si4626ad.pdf SI4626ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-E3 VISHAY 73685.pdf SI4630DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-GE3 VISHAY 73685.pdf SI4630DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-E3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-GE3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4670DY-T1-GE3 VISHAY si4670dy.pdf SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.18 грн
32+34.03 грн
87+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-GE3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY SI4800BDY-E3.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.49 грн
10+40.59 грн
46+23.63 грн
125+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-GE3 VISHAY si4800bd.pdf SI4800BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 VISHAY si4804cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-E3 VISHAY SI4816BDY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 VISHAY SI4816BDY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY si4825ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.01 грн
26+43.22 грн
69+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
29+38.35 грн
78+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3 VISHAY si4838bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W
Case: SO8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 34A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 VISHAY si4838dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Case: SO8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 25A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.98 грн
10+76.97 грн
23+47.82 грн
63+45.15 грн
1000+43.68 грн
2500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY si4840bdy.pdf SI4840BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3 VISHAY si4842bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY si4848ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.133Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.03 грн
17+66.85 грн
46+60.69 грн
500+59.77 грн
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3 VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY si4850bdy.pdf SI4850BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-E3 SI4850EY-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C85083ED3A469&compId=SI4850EY-E3.pdf?ci_sign=c7427b873f0c2aaa0d235feef8f4560d3754ed86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.97 грн
25+43.68 грн
68+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.41 грн
10+120.61 грн
26+42.12 грн
71+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3 VISHAY 71146.pdf SI4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DY-T1-E3 VISHAY si4862dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 25A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4864DY-T1-E3 VISHAY 71449.pdf SI4864DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 VISHAY Si4874BDY.PDF SI4874BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 VISHAY si4890dy.pdf SI4890DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C884B12280469&compId=SI4894BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=d8083397ddd23514ccb8c6017cdd4c6614203a39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3 VISHAY si4894bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 VISHAY 71300.pdf SI4896DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3 VISHAY 71300.pdf SI4896DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-GE3 si4463bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.05 грн
10+65.70 грн
26+42.21 грн
71+39.91 грн
500+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3 si4464dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 si4465ad.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3 si4465ad.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -13.7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4477DY-T1-GE3 si4477dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4477DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca
SI4483ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.05 грн
5+84.04 грн
15+74.49 грн
25+71.73 грн
41+69.89 грн
100+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3 si4485dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
Виробник: VISHAY
SI4488DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C727DBC5F0469&compId=SI4490DY-E3.pdf?ci_sign=f612db75eeba4637e85f7093b3dabe03e0193e5b
SI4490DY-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 si4490dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3 si4490dy.pdf
SI4490DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4491EDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90D3F2226A2143&compId=SI4497DY.pdf?ci_sign=f077607bae8cfa6b6f9f15eb29c9649780b3a094
SI4497DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.18 грн
10+132.74 грн
11+106.67 грн
28+100.24 грн
100+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 si4501bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-8V; 12/-8A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-8V
Drain current: 12/-8A
On-state resistance: 37/20mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.1/4.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42/25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9/12nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.28 грн
10+51.00 грн
50+21.79 грн
137+20.60 грн
2500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 si4554dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-8A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-8A
On-state resistance: 34/27mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.2/3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63/20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3 si4559ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22/20nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22/20nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.77 грн
10+89.29 грн
30+36.88 грн
81+34.94 грн
10000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 si4590dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4590DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4599DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.36 грн
44+24.83 грн
120+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4626ADY-T1-E3 si4626ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4626ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-E3 73685.pdf
Виробник: VISHAY
SI4630DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-GE3 73685.pdf
Виробник: VISHAY
SI4630DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-E3 si4634dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4634DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-GE3 si4634dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4670DY-T1-GE3 si4670dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.18 грн
32+34.03 грн
87+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-GE3 si4686dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 description SI4800BDY-E3.pdf
SI4800BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.49 грн
10+40.59 грн
46+23.63 грн
125+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-GE3 si4800bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4800BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY.pdf
SI4816BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY.pdf
SI4816BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4825DDY-T1-GE3 si4825ddy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.01 грн
26+43.22 грн
69+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.21 грн
29+38.35 грн
78+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838BDY-T1-GE3 si4838bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W
Case: SO8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 34A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4838DY-T1-E3 si4838dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Case: SO8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 25A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.98 грн
10+76.97 грн
23+47.82 грн
63+45.15 грн
1000+43.68 грн
2500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3 si4840bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4840BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-E3 si4842bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848ADY-T1-GE3 si4848ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.133Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
SI4848DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.03 грн
17+66.85 грн
46+60.69 грн
500+59.77 грн
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-GE3 si4848dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4850BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C85083ED3A469&compId=SI4850EY-E3.pdf?ci_sign=c7427b873f0c2aaa0d235feef8f4560d3754ed86
SI4850EY-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.97 грн
25+43.68 грн
68+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
SI4850EY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.41 грн
10+120.61 грн
26+42.12 грн
71+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3 71146.pdf
Виробник: VISHAY
SI4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DY-T1-E3 si4862dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 25A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4864DY-T1-E3 71449.pdf
Виробник: VISHAY
SI4864DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY.PDF
Виробник: VISHAY
SI4874BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 si4890dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4890DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C884B12280469&compId=SI4894BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=d8083397ddd23514ccb8c6017cdd4c6614203a39
SI4894BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-GE3 si4894bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 71300.pdf
Виробник: VISHAY
SI4896DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3 71300.pdf
Виробник: VISHAY
SI4896DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]