Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356680) > Сторінка 1177 з 5945

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3 VISHAY si7234dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY si7252adp.pdf SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.69 грн
10+90.72 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
500+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 VISHAY 73419.pdf SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 VISHAY si7308dn.pdf SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 VISHAY si7309dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 VISHAY si7309dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3 VISHAY si7315dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 VISHAY si7317dn.pdf SI7317DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 VISHAY si7322dn.pdf SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3 VISHAY si7326dn.pdf SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 VISHAY si7326dn.pdf SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-E3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-E3 VISHAY 73560.pdf SI7374DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-E3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-GE3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-GE3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 VISHAY Si7423DN.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-GE3 VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 VISHAY si7434adp.pdf SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-RE3 VISHAY SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY si7454ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 VISHAY 71618.pdf SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3 VISHAY si7454dp.pdf SI7454DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY si7454fdp.pdf SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 VISHAY si7456cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY si7456ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A; 22.8W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 VISHAY si7456dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.3A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 VISHAY 71603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-GE3 VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB864CDC929B20C7&compId=si7461dp.pdf?ci_sign=89e116b3cb357b822b076c12ef43a090d0be44d0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; -11.5A; Idm: -60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: -11.5A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.84 грн
10+109.82 грн
11+102.08 грн
29+96.56 грн
1000+93.80 грн
3000+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 VISHAY si7463adp.pdf SI7463ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3 si7234dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.69 грн
10+90.72 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
500+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
Виробник: VISHAY
SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 si7309dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 si7309dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3 si7315dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7317DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 si7322dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3 si7326dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 si7326dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-E3 si7328dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 si7370dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7374DP-T1-E3 73560.pdf
Виробник: VISHAY
SI7374DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 si7386dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-E3 si7390dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-GE3 si7390dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 si7415dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
Виробник: VISHAY
SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-GE3 72416.pdf
Виробник: VISHAY
SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-GE3 72582.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3 si7431dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3 si7434dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3 si7434dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3 si7439dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 si7439dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 si7450dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 71618.pdf
Виробник: VISHAY
SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3 si7454dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7454DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3 si7454fdp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 si7456cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A; 22.8W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.3A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 71603.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-GE3 si7460dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB864CDC929B20C7&compId=si7461dp.pdf?ci_sign=89e116b3cb357b822b076c12ef43a090d0be44d0
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; -11.5A; Idm: -60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: -11.5A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.84 грн
10+109.82 грн
11+102.08 грн
29+96.56 грн
1000+93.80 грн
3000+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 si7463adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7463ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]