Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356680) > Сторінка 1175 з 5945

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C92E232A5C469&compId=SI4925BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=eb641e9b7f8dcef9e6fee4fa9bb8c5c0be01552d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.73 грн
5+86.33 грн
10+68.60 грн
32+34.12 грн
88+32.19 грн
5000+32.09 грн
7500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3 VISHAY si4931dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 VISHAY si4931dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 VISHAY si4932dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3 VISHAY Si4936BDY.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.18 грн
10+52.33 грн
37+29.70 грн
100+28.05 грн
500+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 VISHAY si4943bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.4A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 VISHAY si4943cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 VISHAY si4943cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.86 грн
10+93.01 грн
25+44.51 грн
67+42.03 грн
5000+41.47 грн
10000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+148.55 грн
23+49.66 грн
63+45.15 грн
2500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY si4946cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 51.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 VISHAY si4948be.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.1A; 2.4W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY si4948be.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.25 грн
10+62.84 грн
31+35.40 грн
85+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3 VISHAY si4963bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-GE3 VISHAY si4963bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 VISHAY si5403dc.pdf SI5403DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 VISHAY si5418du.pdf SI5418DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 VISHAY si5419du.pdf SI5419DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3 VISHAY si5424dc.pdf SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 VISHAY si5429du.pdf SI5429DU.pdf SI5429DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3 VISHAY 73207.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerPAK® ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3 VISHAY 73207.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerPAK® ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 VISHAY si5442du.pdf SI5442DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 VISHAY si5448du.pdf SI5448DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 VISHAY si5457dc.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3 VISHAY si5458du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3 VISHAY si5459du.pdf SI5459DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3 VISHAY si5468dc.pdf SI5468DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 VISHAY si5471dc.pdf SI5471DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 VISHAY si5476du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3 VISHAY si5504bdc.pdf SI5504BDC-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 VISHAY si5504bdc.pdf SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3 VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3 VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3 VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 VISHAY si5517du.pdf SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-E3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 VISHAY si5908dc.pdf SI5908DC-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3 VISHAY si5908dc.pdf SI5908DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5922DU-T1-GE3 VISHAY SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 VISHAY si5935cdc.pdf SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY Si5935CDC.PDF SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3 VISHAY si5936du.pdf SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5948DU-T1-GE3 VISHAY si5948du.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3 VISHAY 70639.pdf SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3 VISHAY si6415dq.pdf SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY si6562cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-E3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-GE3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 VISHAY SI6926ADQ-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY 72754.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 VISHAY 71130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-GE3 VISHAY 71130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-E3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C92E232A5C469&compId=SI4925BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=eb641e9b7f8dcef9e6fee4fa9bb8c5c0be01552d
SI4925BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.73 грн
5+86.33 грн
10+68.60 грн
32+34.12 грн
88+32.19 грн
5000+32.09 грн
7500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3 si4931dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 si4931dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 si4932dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3 Si4936BDY.PDF
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb
SI4936CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.18 грн
10+52.33 грн
37+29.70 грн
100+28.05 грн
500+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3 si4943bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.4A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3 si4943cdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 si4943cdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59
SI4946BEY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.86 грн
10+93.01 грн
25+44.51 грн
67+42.03 грн
5000+41.47 грн
10000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59
SI4946BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+148.55 грн
23+49.66 грн
63+45.15 грн
2500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 si4946cdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 51.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.1A; 2.4W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.25 грн
10+62.84 грн
31+35.40 грн
85+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-E3 si4963bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4963BDY-T1-GE3 si4963bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 si5403dc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5403DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 si5418du.pdf
Виробник: VISHAY
SI5418DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
Виробник: VISHAY
SI5419DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3 si5424dc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 si5429du.pdf SI5429DU.pdf
Виробник: VISHAY
SI5429DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-E3 73207.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerPAK® ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3 73207.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerPAK® ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
Виробник: VISHAY
SI5442DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
Виробник: VISHAY
SI5448DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 si5457dc.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3 si5458du.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3 si5459du.pdf
Виробник: VISHAY
SI5459DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3 si5468dc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5468DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 si5471dc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5471DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 si5476du.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3 si5504bdc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5504BDC-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 si5504bdc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3 si5513cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-GE3 si5513cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI5513CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-E3 si5515cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 si5517du.pdf
Виробник: VISHAY
SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-E3 si5902bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI5902BDC-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 si5902bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5908DC-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3 si5908dc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5908DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5922DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 si5935cdc.pdf
Виробник: VISHAY
SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 Si5935CDC.PDF
Виробник: VISHAY
SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3 si5936du.pdf
Виробник: VISHAY
SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5948DU-T1-GE3 si5948du.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
Виробник: VISHAY
SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3 si6415dq.pdf
Виробник: VISHAY
SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3 72257.pdf
Виробник: VISHAY
SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3 72257.pdf
Виробник: VISHAY
SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-E3 si6913dq.pdf
Виробник: VISHAY
SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-GE3 si6913dq.pdf
Виробник: VISHAY
SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3.pdf
SI6926ADQ-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-GE3 71130.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-E3 si6968be.pdf
Виробник: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]