Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356682) > Сторінка 1178 з 5945

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7463ADP-T1-GE3 VISHAY si7463adp.pdf SI7463ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 VISHAY si7463dp.pdf SI7463DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 VISHAY si7463dp.pdf SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.92 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
3000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3 VISHAY si7469adp.pdf SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 VISHAY si7469dp.pdf SI7469DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 VISHAY si7469dp.pdf SI7469DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 VISHAY si7489dp.pdf SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3 VISHAY si7489dp.pdf SI7489DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY si7540adp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3 VISHAY si7611dn.pdf SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 VISHAY si7613dn.pdf SI7613DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.38 грн
33+32.83 грн
91+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 VISHAY si7615cdn.pdf SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.25 грн
25+44.88 грн
66+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 VISHAY si7619dn.pdf SI7619DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 VISHAY si7623dn.pdf SI7623DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3 VISHAY si7625dn.pdf SI7625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3 VISHAY si7629dn.pdf SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3 VISHAY si7633dp.pdf SI7633DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-E3 VISHAY si7634bd.pdf SI7634BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3 VISHAY si7634bd.pdf SI7634BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-E3 VISHAY si7636dp.pdf SI7636DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-GE3 VISHAY si7636dp.pdf SI7636DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.40 грн
10+50.33 грн
29+37.34 грн
80+35.31 грн
3000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 VISHAY si7655dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 VISHAY si7658adp.pdf SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 VISHAY SI7716ADN.pdf SI7716ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7726DN-T1-GE3 VISHAY si7726dn.pdf SI7726DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3 VISHAY si7742dp.pdf SI7742DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7772DP-T1-GE3 VISHAY si7772dp.pdf SI7772DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 VISHAY 72317.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3 VISHAY 72995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-GE3 VISHAY 72995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 VISHAY 70689.pdf SI7810DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-GE3 VISHAY 70689.pdf SI7810DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 VISHAY si7812dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 16A; Idm: 25A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-GE3 VISHAY si7812dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 7.2A; Idm: 25A; 33W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 7.2A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3 VISHAY si7820dn.pdf SI7820DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 VISHAY si7820dn.pdf SI7820DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 VISHAY Si7846DP.PDF SI7846DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-GE3 VISHAY 71442.pdf SI7846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA347CE5B66A469&compId=SI7848BDP-T1-E3.pdf?ci_sign=e4c19ce2fb6610499a543c4b5ccefdf3ab1807c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; 36W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 VISHAY si7848bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 50A; 23W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 VISHAY si7850adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 10.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.3A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.22 грн
10+130.83 грн
17+64.37 грн
47+60.69 грн
3000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3 VISHAY si7852ad.pdf SI7852ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3 VISHAY si7852ad.pdf description SI7852ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 si7463adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7463ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 si7463dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7463DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 si7463dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 si7464dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-GE3 si7464dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
Виробник: VISHAY
SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.92 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
3000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
Виробник: VISHAY
SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3 si7469adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 si7469dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7469DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7469DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3 si7478dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-GE3 si7478dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 si7489dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3 si7489dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7489DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 si7540adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3 si7611dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7613DN-T1-GE3 si7613dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7613DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.38 грн
33+32.83 грн
91+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 si7615cdn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.25 грн
25+44.88 грн
66+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7619DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 si7623dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7623DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3 si7625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3 si7629dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3 si7633dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7633DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-E3 si7634bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI7634BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3 si7634bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI7634BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-E3 si7636dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7636DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-GE3 si7636dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7636DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.40 грн
10+50.33 грн
29+37.34 грн
80+35.31 грн
3000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 si7655dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 si7658adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 si7686dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 si7686dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7686DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN.pdf
Виробник: VISHAY
SI7716ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7726DN-T1-GE3 si7726dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7726DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 si7738dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7738DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 si7738dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3 si7742dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7742DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7772DP-T1-GE3 si7772dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7772DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 72317.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3 72995.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-GE3 72995.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 70689.pdf
Виробник: VISHAY
SI7810DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-GE3 70689.pdf
Виробник: VISHAY
SI7810DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 si7812dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 16A; Idm: 25A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-GE3 si7812dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 7.2A; Idm: 25A; 33W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 7.2A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 si7818dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 si7818dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3 si7820dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7820DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7820DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 Si7846DP.PDF
Виробник: VISHAY
SI7846DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-GE3 71442.pdf
Виробник: VISHAY
SI7846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA347CE5B66A469&compId=SI7848BDP-T1-E3.pdf?ci_sign=e4c19ce2fb6610499a543c4b5ccefdf3ab1807c8
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; 36W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 si7848bdp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 50A; 23W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 71625.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 10.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.3A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.22 грн
10+130.83 грн
17+64.37 грн
47+60.69 грн
3000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-E3 si7852ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI7852ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3 description si7852ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI7852ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]