Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356680) > Сторінка 1176 з 5945

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI6968BEDQ-T1-GE3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3 VISHAY si7101dn.pdf SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-E3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-GE3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3 VISHAY si7108dn.pdf description SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3 VISHAY si7108dn.pdf SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-GE3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3 VISHAY si7111edn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY si7113adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 17.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13.2A
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.134Ω
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.72 грн
10+105.05 грн
16+69.89 грн
43+66.21 грн
1000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY si7114ad.pdf SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 VISHAY si7115dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.26 грн
14+78.17 грн
38+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 VISHAY si7116dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16.4A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 VISHAY si7116dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16.4A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-GE3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 VISHAY Si7120ADN.PDF SI7120ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 17.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.35 грн
10+45.27 грн
43+25.29 грн
118+23.91 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 VISHAY si7129dn.pdf SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3 VISHAY si7135dp.pdf SI7135DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3 VISHAY si7137dp.pdf SI7137DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 VISHAY si7139dp.pdf SI7139DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 VISHAY si7141dp.pdf SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3 VISHAY si7143dp.pdf SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 VISHAY si7145dp.pdf SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 31W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.08 грн
32+36.00 грн
87+32.74 грн
500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 VISHAY si7149dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.64 грн
47+23.27 грн
128+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 VISHAY si7155dp.pdf SI7155DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 VISHAY si7157dp.pdf SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 VISHAY si7164dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 VISHAY si7172adp.pdf SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 VISHAY si7172dp.pdf SI7172DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 VISHAY si7174dp.pdf SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3 VISHAY si7178dp.pdf description SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY si7190adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14.4A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 VISHAY si7190dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18.4A
On-state resistance: 124mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3 VISHAY si7192dp.pdf SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3 VISHAY si7220dn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3 VISHAY si7220dn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 VISHAY si7223dn.pdf SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
Виробник: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3 si7101dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-E3 si7104dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-GE3 si7104dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3 si7106dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3 description si7108dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3 si7108dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3 si7110dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-GE3 si7110dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3 si7111edn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3 si7112dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3 si7112dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 17.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13.2A
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.134Ω
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.72 грн
10+105.05 грн
16+69.89 грн
43+66.21 грн
1000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3 si7114dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3 si7114dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7114DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.26 грн
14+78.17 грн
38+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 si7116dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16.4A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 si7116dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.4A; Idm: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16.4A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 si7117dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-GE3 si7117dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 si7119dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3 si7119dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7119DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN.PDF
Виробник: VISHAY
SI7120ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 17.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.35 грн
10+45.27 грн
43+25.29 грн
118+23.91 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3 si7135dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7135DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3 si7137dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7137DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3 si7139dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7139DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3 si7141dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3 si7143dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3 73314.pdf
Виробник: VISHAY
SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-GE3 73314.pdf
Виробник: VISHAY
SI7148DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 31W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.08 грн
32+36.00 грн
87+32.74 грн
500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.64 грн
47+23.27 грн
128+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7155DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 si7172dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7172DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 si7174dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3 description si7178dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 si7190adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14.4A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3 si7190dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18.4A
On-state resistance: 124mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3 si7192dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3 si7212dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 si7216dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3 si7216dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3 si7220dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3 si7220dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7223DN-T1-GE3 si7223dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]