Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (360006) > Сторінка 1282 з 6001

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 600 1200 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 6000 6001  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.27 грн
12+27.08 грн
50+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 VISHAY SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.91 грн
74+15.96 грн
202+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.40 грн
108+10.82 грн
297+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.93 грн
10+36.69 грн
50+26.96 грн
100+23.72 грн
500+17.52 грн
1000+15.15 грн
1500+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.51 грн
10+33.93 грн
11+28.83 грн
100+18.50 грн
500+13.48 грн
1000+11.81 грн
3000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.39 грн
10+35.05 грн
25+25.78 грн
100+22.54 грн
250+22.04 грн
500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.41 грн
10+47.42 грн
25+39.85 грн
50+35.72 грн
100+31.98 грн
250+27.75 грн
500+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 VISHAY si2318ds.pdf SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.75 грн
58+20.47 грн
158+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cd.pdf SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.62 грн
50+23.42 грн
138+22.14 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.46 грн
96+12.20 грн
264+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.13 грн
34+34.91 грн
92+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.88 грн
38+31.10 грн
104+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.57 грн
10+33.72 грн
100+26.47 грн
500+23.03 грн
1000+21.75 грн
3000+19.88 грн
6000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.11 грн
10+39.45 грн
50+28.24 грн
100+24.80 грн
250+20.76 грн
500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.79 грн
12+25.00 грн
50+22.14 грн
100+20.96 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.76 грн
58+20.27 грн
159+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+63.37 грн
44+27.06 грн
119+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.77 грн
10+40.67 грн
50+32.67 грн
100+30.21 грн
250+27.16 грн
500+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.18 грн
10+50.99 грн
100+32.87 грн
500+25.59 грн
1000+23.32 грн
3000+20.47 грн
6000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.45 грн
9+34.75 грн
10+29.72 грн
100+19.09 грн
500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.20 грн
111+10.53 грн
304+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.70 грн
31+38.18 грн
85+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+52.35 грн
67+17.52 грн
184+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.43 грн
68+17.32 грн
186+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.29 грн
10+40.67 грн
50+31.10 грн
100+28.24 грн
500+22.54 грн
1000+20.57 грн
3000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.73 грн
16+19.62 грн
50+13.19 грн
100+11.32 грн
500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.17 грн
114+10.23 грн
313+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
19+16.76 грн
50+11.22 грн
100+9.64 грн
500+7.18 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.39 грн
10+31.07 грн
50+22.24 грн
100+19.58 грн
500+14.86 грн
1000+13.38 грн
3000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.48 грн
69+16.93 грн
190+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.20 грн
96+12.20 грн
263+11.61 грн
1000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.50 грн
69+16.93 грн
190+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.08 грн
66+17.91 грн
180+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.85 грн
13+24.63 грн
25+21.75 грн
50+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.53 грн
61+19.19 грн
168+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 VISHAY si3440dv.pdf SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.83 грн
36+32.47 грн
99+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.99 грн
67+17.60 грн
183+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.29 грн
10+42.21 грн
50+30.41 грн
100+26.67 грн
500+19.88 грн
1000+17.52 грн
3000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.63 грн
40+29.42 грн
110+27.85 грн
6000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+52.35 грн
60+19.68 грн
163+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.58 грн
112+10.43 грн
307+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.80 грн
50+23.72 грн
136+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.24 грн
47+25.29 грн
127+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.93 грн
36+33.26 грн
97+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY si3585cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.47 грн
10+42.82 грн
50+28.05 грн
100+23.91 грн
500+17.22 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.47 грн
45+26.27 грн
123+24.80 грн
500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.61 грн
59+19.78 грн
163+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.68 грн
44+27.06 грн
119+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.70 грн
34+35.33 грн
91+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.67 грн
20+25.85 грн
50+23.32 грн
100+22.04 грн
200+20.76 грн
500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.68 грн
17+72.82 грн
45+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.81 грн
5+110.37 грн
25+93.49 грн
100+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.60 грн
10+56.92 грн
100+37.00 грн
500+26.27 грн
1000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.54 грн
5+66.42 грн
10+57.47 грн
100+37.39 грн
500+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.41 грн
7+47.72 грн
10+42.41 грн
25+40.74 грн
100+36.41 грн
250+35.52 грн
500+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.57 грн
10+30.86 грн
100+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY si4425ddy.pdf SI4425DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.20 грн
40+29.82 грн
108+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf SI4431BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.81 грн
22+53.73 грн
60+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.27 грн
12+27.08 грн
50+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.91 грн
74+15.96 грн
202+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.40 грн
108+10.82 грн
297+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.93 грн
10+36.69 грн
50+26.96 грн
100+23.72 грн
500+17.52 грн
1000+15.15 грн
1500+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
10+33.93 грн
11+28.83 грн
100+18.50 грн
500+13.48 грн
1000+11.81 грн
3000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.39 грн
10+35.05 грн
25+25.78 грн
100+22.54 грн
250+22.04 грн
500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.41 грн
10+47.42 грн
25+39.85 грн
50+35.72 грн
100+31.98 грн
250+27.75 грн
500+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 si2318ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.75 грн
58+20.47 грн
158+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.62 грн
50+23.42 грн
138+22.14 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.46 грн
96+12.20 грн
264+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.13 грн
34+34.91 грн
92+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
38+31.10 грн
104+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.57 грн
10+33.72 грн
100+26.47 грн
500+23.03 грн
1000+21.75 грн
3000+19.88 грн
6000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.11 грн
10+39.45 грн
50+28.24 грн
100+24.80 грн
250+20.76 грн
500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.79 грн
12+25.00 грн
50+22.14 грн
100+20.96 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.76 грн
58+20.27 грн
159+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.37 грн
44+27.06 грн
119+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.77 грн
10+40.67 грн
50+32.67 грн
100+30.21 грн
250+27.16 грн
500+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.18 грн
10+50.99 грн
100+32.87 грн
500+25.59 грн
1000+23.32 грн
3000+20.47 грн
6000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.45 грн
9+34.75 грн
10+29.72 грн
100+19.09 грн
500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.20 грн
111+10.53 грн
304+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 si2337ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.70 грн
31+38.18 грн
85+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.35 грн
67+17.52 грн
184+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
68+17.32 грн
186+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.29 грн
10+40.67 грн
50+31.10 грн
100+28.24 грн
500+22.54 грн
1000+20.57 грн
3000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.73 грн
16+19.62 грн
50+13.19 грн
100+11.32 грн
500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.17 грн
114+10.23 грн
313+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
19+16.76 грн
50+11.22 грн
100+9.64 грн
500+7.18 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.39 грн
10+31.07 грн
50+22.24 грн
100+19.58 грн
500+14.86 грн
1000+13.38 грн
3000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
Виробник: VISHAY
SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.48 грн
69+16.93 грн
190+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.20 грн
96+12.20 грн
263+11.61 грн
1000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
69+16.93 грн
190+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
Виробник: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.08 грн
66+17.91 грн
180+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.85 грн
13+24.63 грн
25+21.75 грн
50+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.53 грн
61+19.19 грн
168+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 si3440dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.83 грн
36+32.47 грн
99+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.99 грн
67+17.60 грн
183+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.29 грн
10+42.21 грн
50+30.41 грн
100+26.67 грн
500+19.88 грн
1000+17.52 грн
3000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.63 грн
40+29.42 грн
110+27.85 грн
6000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.35 грн
60+19.68 грн
163+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.58 грн
112+10.43 грн
307+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.80 грн
50+23.72 грн
136+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.24 грн
47+25.29 грн
127+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.93 грн
36+33.26 грн
97+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 si3585cd.pdf
SI3585CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.47 грн
10+42.82 грн
50+28.05 грн
100+23.91 грн
500+17.22 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
Виробник: VISHAY
SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.47 грн
45+26.27 грн
123+24.80 грн
500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.61 грн
59+19.78 грн
163+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.68 грн
44+27.06 грн
119+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.70 грн
34+35.33 грн
91+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6
SI4178DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.67 грн
20+25.85 грн
50+23.32 грн
100+22.04 грн
200+20.76 грн
500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.68 грн
17+72.82 грн
45+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.81 грн
5+110.37 грн
25+93.49 грн
100+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.60 грн
10+56.92 грн
100+37.00 грн
500+26.27 грн
1000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.54 грн
5+66.42 грн
10+57.47 грн
100+37.39 грн
500+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.41 грн
7+47.72 грн
10+42.41 грн
25+40.74 грн
100+36.41 грн
250+35.52 грн
500+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.57 грн
10+30.86 грн
100+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 si4425ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4425DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.20 грн
40+29.82 грн
108+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4431BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.81 грн
22+53.73 грн
60+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 600 1200 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 6000 6001  [ Наступна Сторінка >> ]