Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (359905) > Сторінка 1284 з 5999

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 1198 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5999  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.70 грн
5+138.98 грн
10+113.17 грн
50+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+399.53 грн
5+347.45 грн
25+295.22 грн
100+264.71 грн
500+250.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+292.50 грн
5+243.22 грн
10+212.56 грн
25+200.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.02 грн
3+251.39 грн
10+203.70 грн
25+191.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 VISHAY sip32408_9.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 44mΩ
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.39 грн
11+28.82 грн
25+24.90 грн
100+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
17+18.09 грн
25+15.65 грн
100+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Integrated circuit features: output discharge
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.48 грн
5+61.32 грн
10+29.52 грн
25+15.75 грн
100+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.91 грн
30+39.26 грн
82+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.74 грн
19+63.96 грн
25+61.32 грн
51+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.13 грн
16+73.81 грн
44+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.62 грн
14+86.60 грн
38+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.54 грн
10+62.13 грн
100+48.32 грн
500+40.45 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.00 грн
6+59.48 грн
10+53.24 грн
100+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.65 грн
10+46.40 грн
100+30.31 грн
500+23.62 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.39 грн
10+33.11 грн
11+28.44 грн
100+18.89 грн
500+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.88 грн
25+28.24 грн
100+22.83 грн
500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.69 грн
5+99.13 грн
10+87.58 грн
25+76.76 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.13 грн
10+104.24 грн
50+78.73 грн
100+71.84 грн
250+62.98 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.82 грн
5+212.56 грн
10+182.05 грн
25+153.51 грн
100+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.77 грн
17+72.82 грн
45+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.18 грн
25+44.86 грн
70+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.27 грн
36+32.47 грн
99+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.49 грн
18+64.95 грн
50+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.72 грн
25+47.33 грн
68+44.78 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.57 грн
35+33.46 грн
97+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.50 грн
5+83.80 грн
25+72.82 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.68 грн
38+31.10 грн
104+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.73 грн
29+41.04 грн
79+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.51 грн
10+85.84 грн
100+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.05 грн
128+9.15 грн
350+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+17.27 грн
169+6.99 грн
463+6.59 грн
30000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 VISHAY sl02.pdf SL03-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 21279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+35.29 грн
177+6.59 грн
486+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+35.29 грн
163+7.18 грн
449+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.42 грн
17+18.29 грн
71+16.63 грн
194+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL22-E3/52T VISHAY sl22.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.44V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.84 грн
24+13.08 грн
100+11.71 грн
250+11.21 грн
500+10.04 грн
750+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T VISHAY sl22.pdf SL23-E3/52T SMD Schottky diodes
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.85 грн
108+10.82 грн
297+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SL42-E3/57T VISHAY sl42.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 8A
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.81 грн
10+42.92 грн
100+38.38 грн
250+36.41 грн
500+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T SL43-E3/57T VISHAY sl42.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.84 грн
10+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.54 грн
7+44.56 грн
25+38.18 грн
100+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.54 грн
7+44.56 грн
25+38.18 грн
100+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.60 грн
67+17.42 грн
185+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+22.36 грн
157+7.48 грн
431+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+18.55 грн
216+5.41 грн
594+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 SM6T15A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.61 грн
14+23.10 грн
15+19.98 грн
100+12.10 грн
500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 SM6T15CA-E3/52 VISHAY sm6t.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.31 грн
15+20.64 грн
17+18.11 грн
100+11.29 грн
500+7.53 грн
750+6.86 грн
1500+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T18A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T18A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.56 грн
157+7.48 грн
431+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 SM6T33A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
16+19.93 грн
25+16.53 грн
50+14.47 грн
100+12.69 грн
250+10.43 грн
500+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 SM6T36A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+20.67 грн
100+9.15 грн
250+8.36 грн
500+7.77 грн
750+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T36CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+39.21 грн
175+6.69 грн
482+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T39A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.51 грн
197+5.95 грн
540+5.63 грн
3750+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 SM6T6V8A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.66 грн
30+10.42 грн
31+9.74 грн
50+8.76 грн
100+8.27 грн
250+7.77 грн
500+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8CA-E3/52 SM6T6V8CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+20.14 грн
100+15.23 грн
250+12.50 грн
500+10.73 грн
750+9.64 грн
1500+7.68 грн
2250+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I VISHAY sm8s.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.28 грн
50+204.38 грн
100+177.13 грн
250+150.56 грн
500+135.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S36ATHE3/I SM8S36ATHE3/I VISHAY sm8s10atthrusm8s43at.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 114A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.32 грн
5+251.39 грн
25+214.53 грн
100+192.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J18A-E3/61 VISHAY sma6jm3.pdf SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.72 грн
87+13.38 грн
240+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ10A-E3/61 VISHAY smaj50a.pdf SMAJ10A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.40 грн
180+6.49 грн
495+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ10CA-E3/61 SMAJ10CA-E3/61 VISHAY smaj50a.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.31 грн
18+17.99 грн
20+15.45 грн
22+13.78 грн
50+11.51 грн
100+10.04 грн
200+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12A-E3/61 SMAJ12A-E3/61 VISHAY smajA-CA_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+20.14 грн
20+15.33 грн
24+12.79 грн
29+10.39 грн
100+7.43 грн
250+5.95 грн
500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.70 грн
5+138.98 грн
10+113.17 грн
50+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.53 грн
5+347.45 грн
25+295.22 грн
100+264.71 грн
500+250.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.50 грн
5+243.22 грн
10+212.56 грн
25+200.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.02 грн
3+251.39 грн
10+203.70 грн
25+191.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 sip32408_9.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 44mΩ
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.39 грн
11+28.82 грн
25+24.90 грн
100+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
17+18.09 грн
25+15.65 грн
100+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Integrated circuit features: output discharge
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.48 грн
5+61.32 грн
10+29.52 грн
25+15.75 грн
100+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.91 грн
30+39.26 грн
82+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.74 грн
19+63.96 грн
25+61.32 грн
51+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.13 грн
16+73.81 грн
44+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.62 грн
14+86.60 грн
38+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.54 грн
10+62.13 грн
100+48.32 грн
500+40.45 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.00 грн
6+59.48 грн
10+53.24 грн
100+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.65 грн
10+46.40 грн
100+30.31 грн
500+23.62 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.39 грн
10+33.11 грн
11+28.44 грн
100+18.89 грн
500+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
SIRA28BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.88 грн
25+28.24 грн
100+22.83 грн
500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.69 грн
5+99.13 грн
10+87.58 грн
25+76.76 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.13 грн
10+104.24 грн
50+78.73 грн
100+71.84 грн
250+62.98 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.82 грн
5+212.56 грн
10+182.05 грн
25+153.51 грн
100+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.77 грн
17+72.82 грн
45+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.18 грн
25+44.86 грн
70+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Виробник: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.27 грн
36+32.47 грн
99+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.49 грн
18+64.95 грн
50+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.72 грн
25+47.33 грн
68+44.78 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.57 грн
35+33.46 грн
97+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.50 грн
5+83.80 грн
25+72.82 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.68 грн
38+31.10 грн
104+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.73 грн
29+41.04 грн
79+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.51 грн
10+85.84 грн
100+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.05 грн
128+9.15 грн
350+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 sl02.pdf
Виробник: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.27 грн
169+6.99 грн
463+6.59 грн
30000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 sl02.pdf
Виробник: VISHAY
SL03-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 21279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.29 грн
177+6.59 грн
486+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 sl04.pdf
Виробник: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.29 грн
163+7.18 грн
449+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T sl12.pdf
Виробник: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.42 грн
17+18.29 грн
71+16.63 грн
194+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL22-E3/52T sl22.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.44V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.84 грн
24+13.08 грн
100+11.71 грн
250+11.21 грн
500+10.04 грн
750+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T sl22.pdf
Виробник: VISHAY
SL23-E3/52T SMD Schottky diodes
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.85 грн
108+10.82 грн
297+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SL42-E3/57T sl42.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 8A
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.81 грн
10+42.92 грн
100+38.38 грн
250+36.41 грн
500+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T sl42.pdf
SL43-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.84 грн
10+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.54 грн
7+44.56 грн
25+38.18 грн
100+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.54 грн
7+44.56 грн
25+38.18 грн
100+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T sm15t.pdf
Виробник: VISHAY
SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.60 грн
67+17.42 грн
185+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
157+7.48 грн
431+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.55 грн
216+5.41 грн
594+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.61 грн
14+23.10 грн
15+19.98 грн
100+12.10 грн
500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 sm6t.pdf
SM6T15CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.31 грн
15+20.64 грн
17+18.11 грн
100+11.29 грн
500+7.53 грн
750+6.86 грн
1500+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T18A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T18A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.56 грн
157+7.48 грн
431+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T33A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
16+19.93 грн
25+16.53 грн
50+14.47 грн
100+12.69 грн
250+10.43 грн
500+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 sm6t.pdf
SM6T36A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+20.67 грн
100+9.15 грн
250+8.36 грн
500+7.77 грн
750+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T36CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.21 грн
175+6.69 грн
482+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T39A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
197+5.95 грн
540+5.63 грн
3750+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T6V8A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.66 грн
30+10.42 грн
31+9.74 грн
50+8.76 грн
100+8.27 грн
250+7.77 грн
500+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T6V8CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.14 грн
100+15.23 грн
250+12.50 грн
500+10.73 грн
750+9.64 грн
1500+7.68 грн
2250+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.28 грн
50+204.38 грн
100+177.13 грн
250+150.56 грн
500+135.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S36ATHE3/I sm8s10atthrusm8s43at.pdf
SM8S36ATHE3/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 114A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.32 грн
5+251.39 грн
25+214.53 грн
100+192.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J18A-E3/61 sma6jm3.pdf
Виробник: VISHAY
SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.72 грн
87+13.38 грн
240+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ10A-E3/61 smaj50a.pdf
Виробник: VISHAY
SMAJ10A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.40 грн
180+6.49 грн
495+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ10CA-E3/61 smaj50a.pdf
SMAJ10CA-E3/61
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.31 грн
18+17.99 грн
20+15.45 грн
22+13.78 грн
50+11.51 грн
100+10.04 грн
200+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12A-E3/61 smajA-CA_ser.pdf
SMAJ12A-E3/61
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.14 грн
20+15.33 грн
24+12.79 грн
29+10.39 грн
100+7.43 грн
250+5.95 грн
500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 1198 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5999  [ Наступна Сторінка >> ]