Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40689) > Сторінка 548 з 679

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 543 544 545 546 547 548 549 550 551 552 553 603 670 679  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-EPU6006L-N3 VS-EPU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-epu6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.77 грн
10+170.81 грн
100+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6006LHN3 VS-E5PX6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5px6006lhn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.17 грн
10+300.05 грн
100+245.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6006L-N3 VS-E5PX6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5px6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.22 грн
10+239.67 грн
100+196.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PW6006LHN3 VS-E5PW6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5pw6006lhn3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.94 грн
50+197.61 грн
100+180.12 грн
500+140.28 грн
1000+132.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-CPU6006L-N3 VS-CPU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-cpu6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.63 грн
25+126.87 грн
100+123.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C4PU6006L-N3 VS-C4PU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-c4pu6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.04 грн
10+202.67 грн
100+162.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-CPU6006LHN3 VS-CPU6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-cpu6006lhn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.44 грн
10+266.03 грн
100+217.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ15C-HG3_A/H PLZ15C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO219AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ15C-HG3_A/H PLZ15C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO219AC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+31.09 грн
14+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16A-HG3_A/H PLZ16A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.67 грн
9000+3.22 грн
13500+3.06 грн
22500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16A-HG3_A/H PLZ16A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.68 грн
35+9.65 грн
100+6.45 грн
500+4.62 грн
1000+4.14 грн
2000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16C-HG3_A/H PLZ16C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16C-HG3_A/H PLZ16C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.64 грн
19+18.21 грн
100+8.89 грн
500+6.96 грн
1000+4.84 грн
2000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24D-HG3_A/H PLZ24D-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24D-HG3_A/H PLZ24D-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.82 грн
36+9.31 грн
100+3.95 грн
500+3.37 грн
1000+2.76 грн
2000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ33C-HG3_A/H PLZ33C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 65 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ33C-HG3_A/H PLZ33C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 65 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
15+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16B-HG3_A/H PLZ16B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16B-HG3_A/H PLZ16B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.36 грн
15+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506S2L-M3 VS-E5TX1506S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1506s2l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.59 грн
1600+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506S2L-M3 VS-E5TX1506S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1506s2l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.99 грн
10+106.70 грн
100+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2106S2L-M3 VS-E5TH2106S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th2106s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2106S2L-M3 VS-E5TH2106S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th2106s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+166.68 грн
10+109.36 грн
100+81.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1506S2L-M3 VS-E5TH1506S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th1506s2l-m3_.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1506S2L-M3 VS-E5TH1506S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th1506s2l-m3_.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.86 грн
10+107.20 грн
100+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2112S2L-M3 VS-E5TX2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2112s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2112S2L-M3 VS-E5TX2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2112s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.72 грн
10+138.63 грн
100+110.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2L-M3 VS-E5TX1512S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1512s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2L-M3 VS-E5TX1512S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1512s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.08 грн
10+131.23 грн
100+104.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1512S2L-M3 VS-E5TH1512S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th1512s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1512S2L-M3 VS-E5TH1512S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th1512s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.31 грн
10+140.54 грн
100+111.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006S2L-M3 VS-E5TH3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3006s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006S2L-M3 VS-E5TH3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3006s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.77 грн
10+129.90 грн
100+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2L-M3 VS-E5TX3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2L-M3 VS-E5TX3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.31 грн
10+156.26 грн
100+116.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2L-M3 VS-E5TH3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2L-M3 VS-E5TH3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.13 грн
10+182.37 грн
100+136.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2L-M3 VS-E5TX3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3006s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2L-M3 VS-E5TX3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3006s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.31 грн
10+129.82 грн
100+95.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2106S2L-M3 VS-E5TX2106S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2106s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2106S2L-M3 VS-E5TX2106S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2106s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+166.68 грн
10+110.02 грн
100+81.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2112S2L-M3 VS-E5TH2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th2112s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.92 грн
1600+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2112S2L-M3 VS-E5TH2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th2112s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.44 грн
10+156.76 грн
100+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2N682 VS-2N682 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2n681-2n5205series.pdf Description: SCR 50V 25A TO208AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 145A, 150A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2 V
Current - Off State (Max): 6.5 mA
Supplier Device Package: TO-208AA (TO-48)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 50 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.01 грн
10+598.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B30-TAP BZX55B30-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx55.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 22 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.50 грн
55+6.15 грн
121+2.77 грн
500+2.46 грн
1000+2.26 грн
2000+2.22 грн
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B30-TAP BZX55B30-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx55.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 22 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V20PWM45HM3/I V20PWM45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pwm45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 45 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V20PWM45HM3/I V20PWM45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pwm45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 45 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.72 грн
10+62.37 грн
100+43.43 грн
500+32.78 грн
1000+30.17 грн
2000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V40PW45C-M3/I V40PW45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40pw45c.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V40PW45C-M3/I V40PW45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40pw45c.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 45 V
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+114.86 грн
10+90.31 грн
100+70.26 грн
500+55.90 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V20KL45-M3/H V20KL45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20kl45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 5.4A FLATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.4A
Supplier Device Package: FlatPAK (5x6)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.09 грн
3000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
V20KL45-M3/H V20KL45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20kl45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 5.4A FLATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.4A
Supplier Device Package: FlatPAK (5x6)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.45 грн
10+53.14 грн
100+37.57 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V40DM45C-M3/I V40DM45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40dm45c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V40DM45C-M3/I V40DM45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40dm45c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 45 V
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.31 грн
10+125.32 грн
100+99.74 грн
500+79.20 грн
1000+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
V40D45C-M3/I V40D45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40d45c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 45 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.04 грн
10+126.57 грн
100+100.68 грн
500+79.95 грн
1000+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC3V9-GS18 TZMC3V9-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC3V9-GS18 TZMC3V9-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.86 грн
21+16.13 грн
100+8.57 грн
500+5.29 грн
1000+3.59 грн
2000+3.24 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8ETH06S-M3 VS-8ETH06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8eth06s-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 8949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.95 грн
50+35.08 грн
100+34.36 грн
500+28.15 грн
1000+27.86 грн
2000+26.56 грн
5000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ45AHM3/H SMAJ45AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 45V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 50V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 72.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ45AHE3_A/H SMAJ45AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 45V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 50V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 72.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-EPU6006L-N3 vs-epu6006l-n3.pdf
VS-EPU6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.77 грн
10+170.81 грн
100+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6006LHN3 vs-e5px6006lhn3.pdf
VS-E5PX6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.17 грн
10+300.05 грн
100+245.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6006L-N3 vs-e5px6006l-n3.pdf
VS-E5PX6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.22 грн
10+239.67 грн
100+196.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PW6006LHN3 vs-e5pw6006lhn3.pdf
VS-E5PW6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.94 грн
50+197.61 грн
100+180.12 грн
500+140.28 грн
1000+132.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-CPU6006L-N3 vs-cpu6006l-n3.pdf
VS-CPU6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.63 грн
25+126.87 грн
100+123.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C4PU6006L-N3 vs-c4pu6006l-n3.pdf
VS-C4PU6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.04 грн
10+202.67 грн
100+162.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-CPU6006LHN3 vs-cpu6006lhn3.pdf
VS-CPU6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.44 грн
10+266.03 грн
100+217.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ15C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ15C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO219AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ15C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ15C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO219AC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.09 грн
14+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16A-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16A-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.67 грн
9000+3.22 грн
13500+3.06 грн
22500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16A-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16A-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.68 грн
35+9.65 грн
100+6.45 грн
500+4.62 грн
1000+4.14 грн
2000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
19+18.21 грн
100+8.89 грн
500+6.96 грн
1000+4.84 грн
2000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24D-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ24D-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24D-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ24D-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.82 грн
36+9.31 грн
100+3.95 грн
500+3.37 грн
1000+2.76 грн
2000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ33C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ33C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 65 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ33C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ33C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 65 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.23 грн
15+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.36 грн
15+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506S2L-M3 vs-e5tx1506s2l-n3.pdf
VS-E5TX1506S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.59 грн
1600+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506S2L-M3 vs-e5tx1506s2l-n3.pdf
VS-E5TX1506S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.99 грн
10+106.70 грн
100+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2106S2L-M3 vs-e5th2106s2l-m3.pdf
VS-E5TH2106S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2106S2L-M3 vs-e5th2106s2l-m3.pdf
VS-E5TH2106S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.68 грн
10+109.36 грн
100+81.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1506S2L-M3 vs-e5th1506s2l-m3_.pdf
VS-E5TH1506S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1506S2L-M3 vs-e5th1506s2l-m3_.pdf
VS-E5TH1506S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.86 грн
10+107.20 грн
100+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2112S2L-M3 vs-e5tx2112s2l-m3.pdf
VS-E5TX2112S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2112S2L-M3 vs-e5tx2112s2l-m3.pdf
VS-E5TX2112S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.72 грн
10+138.63 грн
100+110.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2L-M3 vs-e5tx1512s2l-m3.pdf
VS-E5TX1512S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2L-M3 vs-e5tx1512s2l-m3.pdf
VS-E5TX1512S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.08 грн
10+131.23 грн
100+104.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1512S2L-M3 vs-e5th1512s2l-m3.pdf
VS-E5TH1512S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1512S2L-M3 vs-e5th1512s2l-m3.pdf
VS-E5TH1512S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.31 грн
10+140.54 грн
100+111.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006S2L-M3 vs-e5th3006s2l-m3.pdf
VS-E5TH3006S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006S2L-M3 vs-e5th3006s2l-m3.pdf
VS-E5TH3006S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.77 грн
10+129.90 грн
100+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2L-M3 vs-e5tx3012s2l-m3.pdf
VS-E5TX3012S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2L-M3 vs-e5tx3012s2l-m3.pdf
VS-E5TX3012S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.31 грн
10+156.26 грн
100+116.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2L-M3 vs-e5th3012s2l-m3.pdf
VS-E5TH3012S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+103.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2L-M3 vs-e5th3012s2l-m3.pdf
VS-E5TH3012S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.13 грн
10+182.37 грн
100+136.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2L-M3 vs-e5tx3006s2l-m3.pdf
VS-E5TX3006S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2L-M3 vs-e5tx3006s2l-m3.pdf
VS-E5TX3006S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.31 грн
10+129.82 грн
100+95.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2106S2L-M3 vs-e5tx2106s2l-m3.pdf
VS-E5TX2106S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2106S2L-M3 vs-e5tx2106s2l-m3.pdf
VS-E5TX2106S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.68 грн
10+110.02 грн
100+81.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2112S2L-M3 vs-e5th2112s2l-m3.pdf
VS-E5TH2112S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+79.92 грн
1600+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2112S2L-M3 vs-e5th2112s2l-m3.pdf
VS-E5TH2112S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.44 грн
10+156.76 грн
100+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2N682 vs-2n681-2n5205series.pdf
VS-2N682
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 50V 25A TO208AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 145A, 150A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2 V
Current - Off State (Max): 6.5 mA
Supplier Device Package: TO-208AA (TO-48)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 50 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.01 грн
10+598.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B30-TAP bzx55.pdf
BZX55B30-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 22 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.50 грн
55+6.15 грн
121+2.77 грн
500+2.46 грн
1000+2.26 грн
2000+2.22 грн
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B30-TAP bzx55.pdf
BZX55B30-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 22 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V20PWM45HM3/I v20pwm45.pdf
V20PWM45HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 45 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V20PWM45HM3/I v20pwm45.pdf
V20PWM45HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 45 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.72 грн
10+62.37 грн
100+43.43 грн
500+32.78 грн
1000+30.17 грн
2000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V40PW45C-M3/I v40pw45c.pdf
V40PW45C-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V40PW45C-M3/I v40pw45c.pdf
V40PW45C-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 45 V
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.86 грн
10+90.31 грн
100+70.26 грн
500+55.90 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V20KL45-M3/H v20kl45.pdf
V20KL45-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 5.4A FLATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.4A
Supplier Device Package: FlatPAK (5x6)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+21.09 грн
3000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
V20KL45-M3/H v20kl45.pdf
V20KL45-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 5.4A FLATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.4A
Supplier Device Package: FlatPAK (5x6)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.45 грн
10+53.14 грн
100+37.57 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V40DM45C-M3/I v40dm45c.pdf
V40DM45C-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V40DM45C-M3/I v40dm45c.pdf
V40DM45C-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 45 V
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.31 грн
10+125.32 грн
100+99.74 грн
500+79.20 грн
1000+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
V40D45C-M3/I v40d45c.pdf
V40D45C-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 45 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.04 грн
10+126.57 грн
100+100.68 грн
500+79.95 грн
1000+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC3V9-GS18 tzm.pdf
TZMC3V9-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC3V9-GS18 tzm.pdf
TZMC3V9-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.86 грн
21+16.13 грн
100+8.57 грн
500+5.29 грн
1000+3.59 грн
2000+3.24 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8ETH06S-M3 vs-8eth06s-m3.pdf
VS-8ETH06S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 8949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.95 грн
50+35.08 грн
100+34.36 грн
500+28.15 грн
1000+27.86 грн
2000+26.56 грн
5000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ45AHM3/H smaj50a.pdf
SMAJ45AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 45V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 50V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 72.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ45AHE3_A/H smaj50a.pdf
SMAJ45AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 45V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 50V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 72.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 543 544 545 546 547 548 549 550 551 552 553 603 670 679  [ Наступна Сторінка >> ]