Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40049) > Сторінка 546 з 668

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 66 132 198 264 330 396 462 528 541 542 543 544 545 546 547 548 549 550 551 594 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SM5S16HE3/2D SM5S16HE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM5S10_-_SM5S36A_July,22,2016.pdf Description: TVS DIODE 16VWM 28.8VC DO218AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S26A-71HE4_A/J SM5S26A-71HE4_A/J Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s.pdf Description: TVS DIODE 26VWM DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 86A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12-E3-18 BZX84B12-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12-E3-18 BZX84B12-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 9854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.35 грн
45+6.90 грн
100+3.56 грн
500+3.01 грн
1000+2.67 грн
2000+2.51 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V9-E3-08 BZT52B3V9-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52_series.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
6000+3.52 грн
9000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V9-E3-08 BZT52B3V9-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52_series.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
20+15.48 грн
100+7.55 грн
500+5.91 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ES3D-E3/57T ES3D-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+13.42 грн
1700+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
ES3D-E3/57T ES3D-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 10481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.34 грн
12+27.82 грн
100+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SAC10-E3/54 SAC10-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sac.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 16.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAC10-E3/54 SAC10-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sac.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 16.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX3012L-N3 VS-E5PX3012L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5px3012l-n3.pdf Description: DIODE FREDS 1200V 30A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX3012LHN3 VS-E5PX3012LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5px3012lhn3.pdf Description: FREDS - TO-247G5,30A,1200V, LOW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5243B-T 1N5243B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5221.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C5PH6006LHN3 VS-C5PH6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-c5ph6006lhn3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.70 грн
50+228.66 грн
100+215.79 грн
500+175.81 грн
1000+156.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C5PX6006LHN3 VS-C5PX6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-c5px6006lhn3.pdf Description: 2X30A, 600V, "X" SERIES GEN5 FRE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.56 грн
10+282.32 грн
100+228.40 грн
500+190.53 грн
1000+163.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C5PW6006LHN3 VS-C5PW6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-c5pw6006lhn3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.16 грн
50+267.16 грн
100+228.99 грн
500+191.02 грн
1000+163.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-EPU6006L-N3 VS-EPU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-epu6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.24 грн
10+157.41 грн
100+126.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6006LHN3 VS-E5PX6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5px6006lhn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.92 грн
10+276.49 грн
100+226.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6006L-N3 VS-E5PX6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5px6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.45 грн
10+220.86 грн
100+180.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PW6006LHN3 VS-E5PW6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5pw6006lhn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.71 грн
50+244.64 грн
100+209.69 грн
500+174.93 грн
1000+149.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-CPU6006L-N3 VS-CPU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-cpu6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.05 грн
25+116.91 грн
100+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C4PU6006L-N3 VS-C4PU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-c4pu6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.66 грн
10+186.76 грн
100+150.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-CPU6006LHN3 VS-CPU6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-cpu6006lhn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.31 грн
10+245.15 грн
100+200.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ15C-HG3_A/H PLZ15C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO219AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ15C-HG3_A/H PLZ15C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO219AC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
14+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16A-HG3_A/H PLZ16A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.38 грн
9000+2.97 грн
13500+2.82 грн
22500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16A-HG3_A/H PLZ16A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
35+8.89 грн
100+5.94 грн
500+4.25 грн
1000+3.81 грн
2000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16C-HG3_A/H PLZ16C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16C-HG3_A/H PLZ16C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
19+16.78 грн
100+8.19 грн
500+6.42 грн
1000+4.46 грн
2000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24D-HG3_A/H PLZ24D-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+3.07 грн
9000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24D-HG3_A/H PLZ24D-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
18+17.17 грн
100+8.38 грн
500+6.56 грн
1000+4.56 грн
2000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ33C-HG3_A/H PLZ33C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 65 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ33C-HG3_A/H PLZ33C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 65 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
15+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16B-HG3_A/H PLZ16B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16B-HG3_A/H PLZ16B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
15+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506S2L-M3 VS-E5TX1506S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1506s2l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.73 грн
1600+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506S2L-M3 VS-E5TX1506S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1506s2l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+98.32 грн
100+78.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2106S2L-M3 VS-E5TH2106S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th2106s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.25 грн
1600+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2106S2L-M3 VS-E5TH2106S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th2106s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.02 грн
10+118.86 грн
100+84.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1506S2L-M3 VS-E5TH1506S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th1506s2l-m3_.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1506S2L-M3 VS-E5TH1506S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th1506s2l-m3_.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+98.78 грн
100+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2112S2L-M3 VS-E5TX2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2112s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2112S2L-M3 VS-E5TX2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2112s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.16 грн
10+127.75 грн
100+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2L-M3 VS-E5TX1512S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1512s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2L-M3 VS-E5TX1512S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx1512s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.20 грн
10+120.93 грн
100+96.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1512S2L-M3 VS-E5TH1512S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th1512s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1512S2L-M3 VS-E5TH1512S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th1512s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.55 грн
10+129.51 грн
100+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006S2L-M3 VS-E5TH3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3006s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006S2L-M3 VS-E5TH3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3006s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.24 грн
10+119.70 грн
100+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2L-M3 VS-E5TX3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2L-M3 VS-E5TX3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.40 грн
10+154.80 грн
100+115.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2L-M3 VS-E5TH3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2L-M3 VS-E5TH3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th3012s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.82 грн
10+168.06 грн
100+125.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2L-M3 VS-E5TX3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3006s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2L-M3 VS-E5TX3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3006s2l-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.20 грн
10+128.67 грн
100+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2106S2L-M3 VS-E5TX2106S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2106s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2106S2L-M3 VS-E5TX2106S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2106s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.61 грн
10+117.25 грн
100+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2112S2L-M3 VS-E5TH2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th2112s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.65 грн
1600+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2112S2L-M3 VS-E5TH2112S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5th2112s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.78 грн
10+144.45 грн
100+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2N682 VS-2N682 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2n681-2n5205series.pdf Description: SCR 50V 25A TO208AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 145A, 150A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2 V
Current - Off State (Max): 6.5 mA
Supplier Device Package: TO-208AA (TO-48)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 50 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.42 грн
10+551.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S16HE3/2D SM5S10_-_SM5S36A_July,22,2016.pdf
SM5S16HE3/2D
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 16VWM 28.8VC DO218AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S26A-71HE4_A/J sm5s.pdf
SM5S26A-71HE4_A/J
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 26VWM DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 86A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12-E3-18 bzx84_series.pdf
BZX84B12-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12-E3-18 bzx84_series.pdf
BZX84B12-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 9854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
45+6.90 грн
100+3.56 грн
500+3.01 грн
1000+2.67 грн
2000+2.51 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V9-E3-08 bzt52_series.pdf
BZT52B3V9-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.94 грн
6000+3.52 грн
9000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V9-E3-08 bzt52_series.pdf
BZT52B3V9-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
20+15.48 грн
100+7.55 грн
500+5.91 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ES3D-E3/57T es3.pdf
ES3D-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+13.42 грн
1700+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
ES3D-E3/57T es3.pdf
ES3D-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 10481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.34 грн
12+27.82 грн
100+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SAC10-E3/54 sac.pdf
SAC10-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 16.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAC10-E3/54 sac.pdf
SAC10-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 16.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX3012L-N3 vs-e5px3012l-n3.pdf
VS-E5PX3012L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE FREDS 1200V 30A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX3012LHN3 vs-e5px3012lhn3.pdf
VS-E5PX3012LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: FREDS - TO-247G5,30A,1200V, LOW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5243B-T 1n5221.pdf
1N5243B-T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C5PH6006LHN3 vs-c5ph6006lhn3.pdf
VS-C5PH6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.70 грн
50+228.66 грн
100+215.79 грн
500+175.81 грн
1000+156.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C5PX6006LHN3 vs-c5px6006lhn3.pdf
VS-C5PX6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 2X30A, 600V, "X" SERIES GEN5 FRE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.56 грн
10+282.32 грн
100+228.40 грн
500+190.53 грн
1000+163.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C5PW6006LHN3 vs-c5pw6006lhn3.pdf
VS-C5PW6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.16 грн
50+267.16 грн
100+228.99 грн
500+191.02 грн
1000+163.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-EPU6006L-N3 vs-epu6006l-n3.pdf
VS-EPU6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.24 грн
10+157.41 грн
100+126.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6006LHN3 vs-e5px6006lhn3.pdf
VS-E5PX6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.92 грн
10+276.49 грн
100+226.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6006L-N3 vs-e5px6006l-n3.pdf
VS-E5PX6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.45 грн
10+220.86 грн
100+180.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PW6006LHN3 vs-e5pw6006lhn3.pdf
VS-E5PW6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.71 грн
50+244.64 грн
100+209.69 грн
500+174.93 грн
1000+149.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-CPU6006L-N3 vs-cpu6006l-n3.pdf
VS-CPU6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.05 грн
25+116.91 грн
100+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C4PU6006L-N3 vs-c4pu6006l-n3.pdf
VS-C4PU6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.66 грн
10+186.76 грн
100+150.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-CPU6006LHN3 vs-cpu6006lhn3.pdf
VS-CPU6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.31 грн
10+245.15 грн
100+200.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ15C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ15C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO219AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ15C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ15C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO219AC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
14+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16A-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16A-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.38 грн
9000+2.97 грн
13500+2.82 грн
22500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16A-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16A-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
35+8.89 грн
100+5.94 грн
500+4.25 грн
1000+3.81 грн
2000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 18 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
19+16.78 грн
100+8.19 грн
500+6.42 грн
1000+4.46 грн
2000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24D-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ24D-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.07 грн
9000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24D-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ24D-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
18+17.17 грн
100+8.38 грн
500+6.56 грн
1000+4.56 грн
2000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ33C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ33C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 65 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ33C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ33C-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 65 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
15+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ16B-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ16B-HG3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
15+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506S2L-M3 vs-e5tx1506s2l-n3.pdf
VS-E5TX1506S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.73 грн
1600+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1506S2L-M3 vs-e5tx1506s2l-n3.pdf
VS-E5TX1506S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.55 грн
10+98.32 грн
100+78.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2106S2L-M3 vs-e5th2106s2l-m3.pdf
VS-E5TH2106S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.25 грн
1600+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2106S2L-M3 vs-e5th2106s2l-m3.pdf
VS-E5TH2106S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.02 грн
10+118.86 грн
100+84.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1506S2L-M3 vs-e5th1506s2l-m3_.pdf
VS-E5TH1506S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1506S2L-M3 vs-e5th1506s2l-m3_.pdf
VS-E5TH1506S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.35 грн
10+98.78 грн
100+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2112S2L-M3 vs-e5tx2112s2l-m3.pdf
VS-E5TX2112S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2112S2L-M3 vs-e5tx2112s2l-m3.pdf
VS-E5TX2112S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.16 грн
10+127.75 грн
100+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2L-M3 vs-e5tx1512s2l-m3.pdf
VS-E5TX1512S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX1512S2L-M3 vs-e5tx1512s2l-m3.pdf
VS-E5TX1512S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.20 грн
10+120.93 грн
100+96.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1512S2L-M3 vs-e5th1512s2l-m3.pdf
VS-E5TH1512S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH1512S2L-M3 vs-e5th1512s2l-m3.pdf
VS-E5TH1512S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.55 грн
10+129.51 грн
100+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006S2L-M3 vs-e5th3006s2l-m3.pdf
VS-E5TH3006S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3006S2L-M3 vs-e5th3006s2l-m3.pdf
VS-E5TH3006S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.24 грн
10+119.70 грн
100+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2L-M3 vs-e5tx3012s2l-m3.pdf
VS-E5TX3012S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2L-M3 vs-e5tx3012s2l-m3.pdf
VS-E5TX3012S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.40 грн
10+154.80 грн
100+115.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2L-M3 vs-e5th3012s2l-m3.pdf
VS-E5TH3012S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH3012S2L-M3 vs-e5th3012s2l-m3.pdf
VS-E5TH3012S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.82 грн
10+168.06 грн
100+125.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2L-M3 vs-e5tx3006s2l-m3.pdf
VS-E5TX3006S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2L-M3 vs-e5tx3006s2l-m3.pdf
VS-E5TX3006S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.20 грн
10+128.67 грн
100+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2106S2L-M3 vs-e5tx2106s2l-m3.pdf
VS-E5TX2106S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX2106S2L-M3 vs-e5tx2106s2l-m3.pdf
VS-E5TX2106S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.61 грн
10+117.25 грн
100+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2112S2L-M3 vs-e5th2112s2l-m3.pdf
VS-E5TH2112S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.65 грн
1600+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TH2112S2L-M3 vs-e5th2112s2l-m3.pdf
VS-E5TH2112S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.78 грн
10+144.45 грн
100+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2N682 vs-2n681-2n5205series.pdf
VS-2N682
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 50V 25A TO208AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 145A, 150A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2 V
Current - Off State (Max): 6.5 mA
Supplier Device Package: TO-208AA (TO-48)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 50 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+793.42 грн
10+551.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 66 132 198 264 330 396 462 528 541 542 543 544 545 546 547 548 549 550 551 594 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]