Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40576) > Сторінка 545 з 677

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 540 541 542 543 544 545 546 547 548 549 550 603 670 677  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
U3D-M3/9AT U3D-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division u3b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U3D-M3/9AT U3D-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division u3b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/9AT RS3G-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3a.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/9AT RS3G-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3a.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.65 грн
10+36.68 грн
100+27.61 грн
500+19.97 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MURS320-E3/9AT MURS320-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs320.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURS320-E3/9AT MURS320-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs320.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.73 грн
10+44.41 грн
100+30.61 грн
500+22.86 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10TTS08-M3 VS-10TTS08-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10tts08-m.pdf Description: SCR 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 95A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 6.5 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.15 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 10 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.05 грн
50+115.32 грн
100+94.88 грн
500+75.35 грн
1000+63.93 грн
2000+60.73 грн
5000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28EB-150-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28E_EB_EY_UG10xCT_UGB10xCT_UGF10xCT_Rev05_6-5-19.pdf Description: DIODE ARRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28EB-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28E_EB_EY_UG10xCT_UGB10xCT_UGF10xCT_Rev05_6-5-19.pdf Description: DIODE ARRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28EB-100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28E_EB_EY_UG10xCT_UGB10xCT_UGF10xCT_Rev05_6-5-19.pdf Description: DIODE ARRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMC3K58CA-M3/57 SMC3K58CA-M3/57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smc3k22ca.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMC3K58CA-M3/57 SMC3K58CA-M3/57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smc3k22ca.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VS-80PF80W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-80pfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33CAHM3_A/H P6SMB33CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33CAHM3_A/H P6SMB33CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33CAHE3_A/H P6SMB33CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33CAHE3_A/H P6SMB33CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.24 грн
10+39.55 грн
100+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S10CJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s10cgjkm.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+21.68 грн
7000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
S10CJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s10cgjkm.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.59 грн
10+44.18 грн
100+34.81 грн
500+25.32 грн
1000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MB20H100CTHE3_B/I MB20H100CTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division mb20hxxct.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTH03STRL-M3 VS-20CTH03STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20cth03s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.55 грн
1600+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTH03STRL-M3 VS-20CTH03STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20cth03s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+96.72 грн
100+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-30EPH03-N3 VS-30EPH03-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eph03p.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC-2L
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 300 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.21 грн
25+248.18 грн
100+227.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3211R VS-1N3211R Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n3208series.pdf Description: DIODE STD REV 300V 15A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 300 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.44 грн
10+405.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTH03SHM3 VS-20CTH03SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20cth03shm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.17 грн
50+112.97 грн
100+101.98 грн
500+77.57 грн
1000+71.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ100AHM3/H SMCJ100AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 111V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 162V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10SHM3/I V8PAM10SHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10SHM3/I V8PAM10SHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.40 грн
13+26.39 грн
100+21.39 грн
500+15.31 грн
1000+13.14 грн
2000+12.47 грн
5000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10S-M3/I V8PAM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 14000
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10S-M3/I V8PAM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.61 грн
14+23.28 грн
100+18.38 грн
500+13.08 грн
1000+10.65 грн
2000+10.44 грн
5000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10SHM3/H V8PAM10SHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+12.84 грн
7000+11.18 грн
10500+11.10 грн
17500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10SHM3/H V8PAM10SHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.37 грн
11+29.42 грн
100+23.20 грн
500+16.60 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10S-M3/H V8PAM10S-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+10.04 грн
7000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10S-M3/H V8PAM10S-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.95 грн
15+22.73 грн
100+17.93 грн
500+12.76 грн
1000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HFLR100S05 VS-70HFLR100S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40-70-85-hflseries.pdf Description: DIODE GP REV 1KV 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 219.8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1236.28 грн
10+1048.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HFR100 VS-70HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-70hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 1000 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.82 грн
10+821.54 грн
100+710.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HFR10 VS-70HFR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-70hfrseries.pdf Description: DIODE STD REV 100V 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 100 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.50 грн
10+386.25 грн
100+317.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HF160M VS-70HF160M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-70hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.46 V @ 220 A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1531.90 грн
10+1097.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HFR80M VS-70HFR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-70hfrseries.pdf Description: DIODE GP REV 800V 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1498.77 грн
10+1072.64 грн
100+938.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HF100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-70hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HF120M VS-70HF120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-70hfrseries.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.38 грн
10+1062.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-G3-08 BAS16LTH-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16lth.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-G3-08 BAS16LTH-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16lth.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.25 грн
39+8.21 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+3.73 грн
2000+3.55 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-HG3-08 BAS16LTH-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16lth.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-HG3-08 BAS16LTH-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16lth.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.90 грн
34+9.57 грн
100+6.86 грн
500+4.73 грн
1000+3.78 грн
2000+3.70 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LTH-G3-08 BAS40LTH-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas40lth.pdf Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LTH-G3-08 BAS40LTH-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas40lth.pdf Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.25 грн
39+8.29 грн
100+6.72 грн
500+4.63 грн
1000+3.87 грн
2000+3.62 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LTH-HG3-08 BAS40LTH-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas40lth.pdf Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LTH-HG3-08 BAS40LTH-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas40lth.pdf Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.25 грн
38+8.53 грн
100+6.93 грн
500+4.78 грн
1000+3.80 грн
2000+3.66 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SSA23L-E3/5AT SSA23L-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssa23l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
SSA23L-M3/5AT SSA23L-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssa23l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSA23L-M3/5AT SSA23L-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssa23l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.15 грн
16+20.89 грн
100+12.51 грн
500+10.87 грн
1000+7.39 грн
2000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC15-M-08 TZMC15-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM-M.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.33 грн
5000+2.86 грн
7500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC15-M-08 TZMC15-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM-M.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.76 грн
45+7.10 грн
100+3.38 грн
500+3.11 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC15-M-18 TZMC15-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM-M.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC15-M-18 TZMC15-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM-M.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.94 грн
48+6.78 грн
109+2.94 грн
500+2.63 грн
1000+2.37 грн
2000+2.34 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
1N4946GP-E3/54 1N4946GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4946GP-E3/54 1N4946GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 9246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.26 грн
11+30.70 грн
100+21.35 грн
500+15.64 грн
1000+12.71 грн
2000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N4944GP-E3/54 1N4944GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
1N4944GP-E3/54 1N4944GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.26 грн
11+30.70 грн
100+21.35 грн
500+15.64 грн
1000+12.71 грн
2000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
U3D-M3/9AT u3b.pdf
U3D-M3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U3D-M3/9AT u3b.pdf
U3D-M3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/9AT rs3a.pdf
RS3G-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/9AT rs3a.pdf
RS3G-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.65 грн
10+36.68 грн
100+27.61 грн
500+19.97 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MURS320-E3/9AT murs320.pdf
MURS320-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURS320-E3/9AT murs320.pdf
MURS320-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.73 грн
10+44.41 грн
100+30.61 грн
500+22.86 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10TTS08-M3 vs-10tts08-m.pdf
VS-10TTS08-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 95A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 6.5 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.15 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 10 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.05 грн
50+115.32 грн
100+94.88 грн
500+75.35 грн
1000+63.93 грн
2000+60.73 грн
5000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28EB-150-E3/45 BYQ28E_EB_EY_UG10xCT_UGB10xCT_UGF10xCT_Rev05_6-5-19.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28EB-200-E3/45 BYQ28E_EB_EY_UG10xCT_UGB10xCT_UGF10xCT_Rev05_6-5-19.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28EB-100-E3/45 BYQ28E_EB_EY_UG10xCT_UGB10xCT_UGF10xCT_Rev05_6-5-19.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMC3K58CA-M3/57 smc3k22ca.pdf
SMC3K58CA-M3/57
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMC3K58CA-M3/57 smc3k22ca.pdf
SMC3K58CA-M3/57
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VS-80PF80W vs-80pfrseries.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33CAHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB33CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33CAHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB33CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33CAHE3_A/H p6smb.pdf
P6SMB33CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB33CAHE3_A/H p6smb.pdf
P6SMB33CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.24 грн
10+39.55 грн
100+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S10CJHM3/I s10cgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+21.68 грн
7000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
S10CJHM3/I s10cgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.59 грн
10+44.18 грн
100+34.81 грн
500+25.32 грн
1000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MB20H100CTHE3_B/I mb20hxxct.pdf
MB20H100CTHE3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTH03STRL-M3 vs-20cth03s-m3.pdf
VS-20CTH03STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.55 грн
1600+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTH03STRL-M3 vs-20cth03s-m3.pdf
VS-20CTH03STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.55 грн
10+96.72 грн
100+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-30EPH03-N3 vs-30eph03p.pdf
VS-30EPH03-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 300V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC-2L
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 300 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.21 грн
25+248.18 грн
100+227.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3211R vs-1n3208series.pdf
VS-1N3211R
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 300V 15A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 300 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.44 грн
10+405.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20CTH03SHM3 vs-20cth03shm3.pdf
VS-20CTH03SHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.17 грн
50+112.97 грн
100+101.98 грн
500+77.57 грн
1000+71.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ100AHM3/H smcj.pdf
SMCJ100AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 111V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 162V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10SHM3/I v8pam10s.pdf
V8PAM10SHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10SHM3/I v8pam10s.pdf
V8PAM10SHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.40 грн
13+26.39 грн
100+21.39 грн
500+15.31 грн
1000+13.14 грн
2000+12.47 грн
5000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10S-M3/I v8pam10s.pdf
V8PAM10S-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 14000
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10S-M3/I v8pam10s.pdf
V8PAM10S-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.61 грн
14+23.28 грн
100+18.38 грн
500+13.08 грн
1000+10.65 грн
2000+10.44 грн
5000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10SHM3/H v8pam10s.pdf
V8PAM10SHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+12.84 грн
7000+11.18 грн
10500+11.10 грн
17500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10SHM3/H v8pam10s.pdf
V8PAM10SHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.37 грн
11+29.42 грн
100+23.20 грн
500+16.60 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10S-M3/H v8pam10s.pdf
V8PAM10S-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+10.04 грн
7000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAM10S-M3/H v8pam10s.pdf
V8PAM10S-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.8A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.8A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.95 грн
15+22.73 грн
100+17.93 грн
500+12.76 грн
1000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HFLR100S05 vs-40-70-85-hflseries.pdf
VS-70HFLR100S05
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP REV 1KV 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 219.8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1236.28 грн
10+1048.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HFR100 vs-70hfrseries.pdf
VS-70HFR100
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 1000 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+968.82 грн
10+821.54 грн
100+710.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HFR10 vs-70hfrseries.pdf
VS-70HFR10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 100V 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 100 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.50 грн
10+386.25 грн
100+317.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HF160M vs-70hfrseries.pdf
VS-70HF160M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.46 V @ 220 A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1531.90 грн
10+1097.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HFR80M vs-70hfrseries.pdf
VS-70HFR80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP REV 800V 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1498.77 грн
10+1072.64 грн
100+938.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HF100M vs-70hfrseries.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-70HF120M vs-70hfrseries.pdf
VS-70HF120M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 70A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 220 A
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1534.38 грн
10+1062.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-G3-08 bas16lth.pdf
BAS16LTH-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-G3-08 bas16lth.pdf
BAS16LTH-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
39+8.21 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+3.73 грн
2000+3.55 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-HG3-08 bas16lth.pdf
BAS16LTH-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-HG3-08 bas16lth.pdf
BAS16LTH-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.90 грн
34+9.57 грн
100+6.86 грн
500+4.73 грн
1000+3.78 грн
2000+3.70 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LTH-G3-08 bas40lth.pdf
BAS40LTH-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LTH-G3-08 bas40lth.pdf
BAS40LTH-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
39+8.29 грн
100+6.72 грн
500+4.63 грн
1000+3.87 грн
2000+3.62 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LTH-HG3-08 bas40lth.pdf
BAS40LTH-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LTH-HG3-08 bas40lth.pdf
BAS40LTH-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
38+8.53 грн
100+6.93 грн
500+4.78 грн
1000+3.80 грн
2000+3.66 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SSA23L-E3/5AT ssa23l.pdf
SSA23L-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
SSA23L-M3/5AT ssa23l.pdf
SSA23L-M3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSA23L-M3/5AT ssa23l.pdf
SSA23L-M3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.15 грн
16+20.89 грн
100+12.51 грн
500+10.87 грн
1000+7.39 грн
2000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC15-M-08 TZM-M.pdf
TZMC15-M-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+3.33 грн
5000+2.86 грн
7500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC15-M-08 TZM-M.pdf
TZMC15-M-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.76 грн
45+7.10 грн
100+3.38 грн
500+3.11 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC15-M-18 TZM-M.pdf
TZMC15-M-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC15-M-18 TZM-M.pdf
TZMC15-M-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.94 грн
48+6.78 грн
109+2.94 грн
500+2.63 грн
1000+2.37 грн
2000+2.34 грн
5000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
1N4946GP-E3/54 1n4942gp.pdf
1N4946GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4946GP-E3/54 1n4942gp.pdf
1N4946GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 9246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.26 грн
11+30.70 грн
100+21.35 грн
500+15.64 грн
1000+12.71 грн
2000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N4944GP-E3/54 1n4942gp.pdf
1N4944GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5500+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
1N4944GP-E3/54 1n4942gp.pdf
1N4944GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.26 грн
11+30.70 грн
100+21.35 грн
500+15.64 грн
1000+12.71 грн
2000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 540 541 542 543 544 545 546 547 548 549 550 603 670 677  [ Наступна Сторінка >> ]