Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349216) > Сторінка 1128 з 5821

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1123 1124 1125 1126 1127 1128 1129 1130 1131 1132 1133 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS126DN-T1-GE3 VISHAY sis126dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 36.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY sis128ldn.pdf SIS128LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 VISHAY sis176ldn.pdf SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3 VISHAY sis178ldn.pdf SIS178LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 VISHAY sis184dn.pdf SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3 VISHAY sis322dnt.pdf SIS322DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 VISHAY sis402dn.pdf SIS402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.2A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.2A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.02 грн
25+50.12 грн
26+43.22 грн
70+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 VISHAY sis407adn.pdf SIS407ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3 VISHAY sis407dn.pdf SIS407DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3 VISHAY sis410dn.pdf SIS410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.84 грн
25+40.87 грн
36+29.98 грн
99+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
10+39.92 грн
25+28.05 грн
50+22.35 грн
137+21.06 грн
500+20.78 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY sis415dnt.pdf SIS415DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY sis427edn.pdf SIS427EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS429DNT-T1-GE3 VISHAY sis429dnt.pdf SIS429DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 VISHAY sis434dn.pdf SIS434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 VISHAY sis435dnt.pdf SIS435DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 VISHAY sis438dn.pdf SIS438DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.34 грн
10+140.38 грн
19+60.69 грн
50+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS444DN-T1-GE3 VISHAY sis444dn.pdf SIS444DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3 VISHAY sis447dn.pdf SIS447DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3 VISHAY sis454dn.pdf SIS454DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3 VISHAY sis4604ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 36.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 21.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3 VISHAY sis4608ldn.pdf SIS4608LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 VISHAY sis468dn.pdf SIS468DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472ADN-T1-GE3 VISHAY sis472adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A; 18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472BDN-T1-GE3 VISHAY sis472bdn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3 VISHAY sis472dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 VISHAY sis476dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 77nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3 VISHAY sis488dn.pdf SIS488DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS606BDN-T1-GE3 VISHAY sis606bdn.pdf SIS606BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS698DN-T1-GE3 VISHAY SIS698DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS780DN-T1-GE3 VISHAY sis780dn.pdf SIS780DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS822DNT-T1-GE3 VISHAY sis822dnt.pdf SIS822DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 VISHAY sis862adn.pdf SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 VISHAY sis862dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 VISHAY sis888dn.pdf SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 VISHAY sis890adn.pdf SIS890ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 VISHAY sis890dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 60A; 33W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY SIS892ADN-T1-GE3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.04 грн
10+68.09 грн
25+44.23 грн
67+41.84 грн
500+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 VISHAY sis892dn.pdf SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 VISHAY sis903dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 14.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY sis932edn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 14.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 VISHAY sis990dn.pdf SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3 VISHAY sisa01dn.pdf SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 VISHAY sisa04dn.pdf SISA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 VISHAY sisa10dn.pdf SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 VISHAY sisa12adn.pdf SISA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14BDN-T1-GE3 VISHAY sisa14bdn.pdf SISA14BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 VISHAY sisa14dn.pdf SISA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 VISHAY sisa18adn.pdf SISA18ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 VISHAY sisa24dn.pdf SISA24DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 VISHAY sisa35dn.pdf SISA35DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA40DN-T1-GE3 VISHAY sisa40dn.pdf SISA40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY sisa72adn.pdf SISA72ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 VISHAY sisa72dn.pdf SISA72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 VISHAY SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf SISA88DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 VISHAY sisa96dn.pdf SISA96DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 VISHAY sisb46dn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.3A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 14.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 sis126dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 36.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 sis128ldn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS128LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 sis176ldn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3 sis178ldn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS178LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 sis184dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3 sis322dnt.pdf
Виробник: VISHAY
SIS322DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 sis402dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
SiS406DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.2A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.2A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.02 грн
25+50.12 грн
26+43.22 грн
70+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 sis407adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS407ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3 sis407dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS407DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3 sis410dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
25+40.87 грн
36+29.98 грн
99+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
10+39.92 грн
25+28.05 грн
50+22.35 грн
137+21.06 грн
500+20.78 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3 sis415dnt.pdf
Виробник: VISHAY
SIS415DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 sis427edn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS427EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS429DNT-T1-GE3 sis429dnt.pdf
Виробник: VISHAY
SIS429DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS434DN-T1-GE3 sis434dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 sis435dnt.pdf
Виробник: VISHAY
SIS435DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS438DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
SIS443DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.34 грн
10+140.38 грн
19+60.69 грн
50+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS444DN-T1-GE3 sis444dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS444DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3 sis447dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS447DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3 sis454dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS454DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4604LDN-T1-GE3 sis4604ldn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 36.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 21.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608LDN-T1-GE3 sis4608ldn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS4608LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 sis468dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS468DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472ADN-T1-GE3 sis472adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A; 18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472BDN-T1-GE3 sis472bdn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3 sis472dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 sis476dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 77nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3 sis488dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS488DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS606BDN-T1-GE3 sis606bdn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS606BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS698DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIS698DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS780DN-T1-GE3 sis780dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS780DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS822DNT-T1-GE3 sis822dnt.pdf
Виробник: VISHAY
SIS822DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 sis862adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 sis888dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 sis890adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS890ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 sis890dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 60A; 33W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3.pdf
SIS892ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.04 грн
10+68.09 грн
25+44.23 грн
67+41.84 грн
500+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 sis892dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 14.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 sis932edn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 14.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 sis990dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3 sisa01dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 sisa04dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 sisa10dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 sisa12adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14BDN-T1-GE3 sisa14bdn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA14BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 sisa14dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 sisa18adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA18ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 sisa24dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA24DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 sisa35dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA35DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA40DN-T1-GE3 sisa40dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72ADN-T1-GE3 sisa72adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA72ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 sisa72dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf
Виробник: VISHAY
SISA88DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 sisa96dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA96DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 sisb46dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.3A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 14.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1123 1124 1125 1126 1127 1128 1129 1130 1131 1132 1133 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]