Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349216) > Сторінка 1125 з 5821

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1120 1121 1122 1123 1124 1125 1126 1127 1128 1129 1130 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR112DP-T1-RE3 VISHAY sir112dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 VISHAY sir120dp.pdf SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 VISHAY sir122dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59.6A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY sir122ldp.pdf SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 VISHAY sir124dp.pdf SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 VISHAY sir1309dp.pdf SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 VISHAY sir140dp.pdf SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3 VISHAY sir150dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 VISHAY sir158dp.pdf SIR158DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 VISHAY sir158dp.pdf SIR158DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 VISHAY sir164dp-new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 VISHAY sir165dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 VISHAY sir166dp.pdf SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 VISHAY sir167dp.pdf SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR170DP-T1-RE3 VISHAY sir170dp.pdf SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 VISHAY sir172adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.8W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR178DP-T1-RE3 VISHAY sir178dp.pdf SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 VISHAY sir180adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180DP-T1-RE3 VISHAY sir180dp.pdf SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 VISHAY sir182dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 117A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182LDP-T1-RE3 VISHAY sir182ldp.pdf SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 VISHAY sir184dp.pdf SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 VISHAY sir186dp.pdf SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.90 грн
5+75.06 грн
30+37.06 грн
82+35.04 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 VISHAY sir188dp.pdf SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3 VISHAY sir188ldp.pdf SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 VISHAY sir402dp.pdf SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 VISHAY sir403edp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 VISHAY sir404dp.pdf SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 VISHAY sir410d.pdf SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 VISHAY sir414dp.pdf SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 VISHAY sir418dp.pdf SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.09 грн
5+81.17 грн
19+58.85 грн
52+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 VISHAY sir424dp.pdf SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 VISHAY sir426dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.7W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 VISHAY sir438dp.pdf SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR440DP-T1-GE3 VISHAY sir440dp.pdf SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 VISHAY sir4602ldp.pdf SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY sir4604ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 VISHAY sir4606dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4608DP-T1-GE3 VISHAY sir4608dp.pdf SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 VISHAY sir460dp.pdf SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 VISHAY sir462dp.pdf SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 VISHAY sir464dp.pdf SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 VISHAY sir466dp.pdf SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3 VISHAY sir470dp.pdf SIR470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 VISHAY sir474dp.pdf SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 VISHAY sir500dp.pdf SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 VISHAY sir5102dp.pdf SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 VISHAY sir510dp.pdf SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 VISHAY sir516dp.pdf SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 VISHAY sir5708dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 VISHAY sir570dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3 VISHAY sir572dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 59.7A
Power dissipation: 92.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3 VISHAY sir574dp.pdf SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3 VISHAY sir576dp.pdf SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 VISHAY sir578dp.pdf SIR578DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY sir5802dp.pdf SIR5802DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3 sir112dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 sir120dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 sir122dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59.6A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 sir122ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 sir124dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 sir1309dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3 sir150dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 sir158dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR158DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 sir158dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR158DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 sir164dp-new.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 sir165dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 sir167dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR170DP-T1-RE3 sir170dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 sir172adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.8W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR178DP-T1-RE3 sir178dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 sir180adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180DP-T1-RE3 sir180dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 sir182dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 117A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182LDP-T1-RE3 sir182ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 sir186dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
SIR186LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.90 грн
5+75.06 грн
30+37.06 грн
82+35.04 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 sir188dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3 sir188ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 sir402dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 sir403edp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 sir404dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 sir410d.pdf
Виробник: VISHAY
SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 sir414dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 sir418dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.09 грн
5+81.17 грн
19+58.85 грн
52+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 sir424dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.7W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 sir438dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR440DP-T1-GE3 sir440dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 sir4602ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 sir4604ldp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 sir4606dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4608DP-T1-GE3 sir4608dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 sir460dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 sir464dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3 sir470dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 sir474dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 sir500dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 sir516dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 sir5708dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 sir570dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3 sir572dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 59.7A
Power dissipation: 92.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3 sir574dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3 sir576dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 sir578dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR578DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 sir5802dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR5802DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1120 1121 1122 1123 1124 1125 1126 1127 1128 1129 1130 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]