Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349216) > Сторінка 1129 з 5821

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1124 1125 1126 1127 1128 1129 1130 1131 1132 1133 1134 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISC06DN-T1-GE3 VISHAY sisc06dn.pdf SISC06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 VISHAY sisf00dn.pdf SISF00DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3 VISHAY sisf02dn.pdf SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3 VISHAY sisf06dn.pdf SISF06DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3 VISHAY sisf20dn.pdf SISF20DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3 VISHAY sish101dn.pdf SISH101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3 VISHAY sish106dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 VISHAY sish108dn.pdf SISH108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3 VISHAY sish110dn.pdf SISH110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH112DN-T1-GE3 VISHAY sish112dn.pdf SISH112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 VISHAY tf-sish114adn-t1-ge3.pdf SISH114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 VISHAY sish116dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 60A; 2W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH129DN-T1-GE3 VISHAY sish129dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 VISHAY sish402dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3 VISHAY sish407dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 21W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 VISHAY sish410dn.pdf SISH410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3 VISHAY sish434dn.pdf SISH434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3 VISHAY sish472dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3 VISHAY sish536dn.pdf SISH536DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 VISHAY sish615adn.pdf SISH615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 VISHAY sish617dn.pdf SISH617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.42 грн
10+45.93 грн
36+31.27 грн
98+29.52 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY sish892bdn.pdf SISH892BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf SISHA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3 VISHAY SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3 VISHAY tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3 VISHAY sisha14dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 17W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3 VISHAY vis-siss02dn-t1-ge3.pdf SISS02DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 VISHAY siss04dn.pdf SISS04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY siss05dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -86.6A; Idm: -300A; 42W
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -86.6A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.95 грн
5+92.63 грн
14+77.25 грн
39+72.65 грн
500+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 VISHAY siss06dn.pdf SISS06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 VISHAY siss08dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 156.4A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 156.4A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 VISHAY siss10adn.pdf SISS10ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3 VISHAY siss10dn.pdf SISS10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 VISHAY siss12dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 200A; 42W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 89nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3 VISHAY siss22dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 VISHAY siss22ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 74A; Idm: 150A; 42W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 VISHAY siss26dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain current: 60A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 37nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 VISHAY siss26ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain current: 65A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3 VISHAY siss27adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.1mΩ
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3 SISS27DN-T1-GE3 VISHAY siss27dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
10+56.63 грн
41+27.04 грн
112+25.56 грн
1000+25.11 грн
3000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3 VISHAY siss28dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 VISHAY siss30adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 43.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 VISHAY siss30dn.pdf SISS30DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30LDN-T1-GE3 VISHAY siss30ldn.pdf SISS30LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 VISHAY siss32adn.pdf SISS32ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32DN-T1-GE3 VISHAY siss32dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY siss32ldn.pdf SISS32LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS40DN-T1-GE3 VISHAY siss40dn.pdf SISS40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42DN-T1-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32.4A; Idm: 80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32.4A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3 VISHAY siss42ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31.2A; Idm: 80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3 VISHAY siss46dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.2A
On-state resistance: 14.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3 VISHAY siss50dn.pdf SISS50DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3 VISHAY siss5108dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55.9A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 VISHAY siss54dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3 VISHAY siss5808dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 66.6A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3 VISHAY siss588dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46.5A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3 VISHAY siss60dn.pdf SISS60DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Power dissipation: 42.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 231nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -89.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.99 грн
10+67.42 грн
28+38.44 грн
77+36.32 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISC06DN-T1-GE3 sisc06dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISC06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 sisf00dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISF00DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3 sisf02dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3 sisf06dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISF06DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3 sisf20dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISF20DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3 sish101dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3 sish106dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 sish108dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3 sish110dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH112DN-T1-GE3 sish112dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
SISH114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 sish116dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 60A; 2W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH129DN-T1-GE3 sish129dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 sish402dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3 sish407dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 21W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 sish410dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3 sish434dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3 sish472dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3 sish536dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH536DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 sish615adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
SISH625DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.42 грн
10+45.93 грн
36+31.27 грн
98+29.52 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 sish892bdn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH892BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
SISHA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3 tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3 sisha14dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 17W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3 vis-siss02dn-t1-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
SISS02DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 siss04dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 siss05dn.pdf
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -86.6A; Idm: -300A; 42W
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -86.6A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.95 грн
5+92.63 грн
14+77.25 грн
39+72.65 грн
500+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 siss06dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 siss08dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 156.4A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 156.4A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 siss10adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS10ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3 siss10dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 siss12dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 200A; 42W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 89nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3 siss22dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3 siss22ldn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 74A; Idm: 150A; 42W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 siss26dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain current: 60A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 37nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 siss26ldn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain current: 65A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3 siss27adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.1mΩ
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3 siss27dn.pdf
SISS27DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.21 грн
10+56.63 грн
41+27.04 грн
112+25.56 грн
1000+25.11 грн
3000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3 siss28dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 siss30adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 43.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 siss30dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS30DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30LDN-T1-GE3 siss30ldn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS30LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 siss32adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS32ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32DN-T1-GE3 siss32dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 siss32ldn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS32LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS40DN-T1-GE3 siss40dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32.4A; Idm: 80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32.4A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3 siss42ldn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31.2A; Idm: 80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3 siss46dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.2A
On-state resistance: 14.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3 siss50dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS50DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5108DN-T1-GE3 siss5108dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55.9A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3 siss5808dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 66.6A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3 siss588dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46.5A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3 siss60dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS60DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Power dissipation: 42.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 231nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -89.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.99 грн
10+67.42 грн
28+38.44 грн
77+36.32 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1124 1125 1126 1127 1128 1129 1130 1131 1132 1133 1134 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]