Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHU3N50D-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHU4N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHU5N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHU6N62E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHU6N65E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHU6N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 62.5W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 22.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHU7N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHW21N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHW61N65EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIHW70N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 229A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ150DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ186DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ188DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ438ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ438DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ462ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ462DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ470DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ478DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Power dissipation: 62.5W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 150A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ4819DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJ482DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SiJ494DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJA52ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJA52DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJA54DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJA58ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJA58DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJA72ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJH112E-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJH5100E-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJH5800E-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 302A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 333W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJH600E-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIJH800E-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP12107DMP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP12108ADMP-T1GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP12108DMP-T1GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP12109DMP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP12110DMP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP12116DMP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷15VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 3A; DFN10 Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: DC/DC converter Supply voltage: 4.5...5.5V Case: DFN10 Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Output voltage: 0.6...5.5V DC Output current: 3A Input voltage: 4.5...15V DC Efficiency: 95% Kind of package: reel; tape Protection: over current OCP; overheating OTP; undervoltage UVP Topology: buck Frequency: 0.6...0.6MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP12117DMP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP2801DY-T1-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP2804DY-T1-E3 | VISHAY | SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32401ADNP-T1GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32409DNP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIP32411DR-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32419DN-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: DFN10 Supply voltage: 6...28V DC On-state resistance: 56mΩ Output current: 3.5A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32429DN-T1-GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32431DNP3-T1GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4 Type of integrated circuit: power switch Mounting: SMD Case: TDFN4 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.105Ω Output current: 1.4A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of integrated circuit: high-side Supply voltage: 1.5...5.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SIP32431DR3-T1GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70 Type of integrated circuit: power switch Mounting: SMD Case: SC70 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 147mΩ Output current: 1.4A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of integrated circuit: high-side Supply voltage: 1.5...5.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SIP32458DB-T2-GE1 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6 On-state resistance: 20mΩ Output current: 3A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: WCSP6 Supply voltage: 1.5...5.5V DC кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32461DB-T2-GE1 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SIP32509DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23 Type of integrated circuit: power switch Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.1...5.5V DC Kind of integrated circuit: high-side кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIP32510DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23 Type of integrated circuit: power switch Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.2...5.5V DC Kind of integrated circuit: high-side кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SIR104ADP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR104DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR106ADP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR108DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SIHU3N50D-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHU3N50D-GE3 THT N channel transistors
SIHU3N50D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHU4N80AE-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHU5N50D-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHU6N62E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHU6N62E-GE3 THT N channel transistors
SIHU6N62E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHU6N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHU6N65E-GE3 THT N channel transistors
SIHU6N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHU6N80AE-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHU7N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHW21N80AE-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHW21N80AE-GE3 THT N channel transistors
SIHW21N80AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHW61N65EF-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 199A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 371nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 199A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 371nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHW70N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 229A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 229A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ150DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ186DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ188DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ438ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ438ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ438ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ438DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ462ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ462DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ470DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ478DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ4819DP-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJ482DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiJ494DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJA52ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJA52ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA52ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJA52DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJA54DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJA58DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJA72ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJH112E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJH5100E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJH5800E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 333W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 333W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJH600E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIJH800E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP12107DMP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP12107DMP-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12107DMP-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP12108ADMP-T1GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP12108ADMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12108ADMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP12108DMP-T1GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP12108DMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12108DMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP12109DMP-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP12109DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12109DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP12110DMP-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP12110DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12110DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP12116DMP-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷15VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 3A; DFN10
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Supply voltage: 4.5...5.5V
Case: DFN10
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 3A
Input voltage: 4.5...15V DC
Efficiency: 95%
Kind of package: reel; tape
Protection: over current OCP; overheating OTP; undervoltage UVP
Topology: buck
Frequency: 0.6...0.6MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷15VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 3A; DFN10
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Supply voltage: 4.5...5.5V
Case: DFN10
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 3A
Input voltage: 4.5...15V DC
Efficiency: 95%
Kind of package: reel; tape
Protection: over current OCP; overheating OTP; undervoltage UVP
Topology: buck
Frequency: 0.6...0.6MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP12117DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12117DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP2801DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP2801DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
SIP2801DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP2804DY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32401ADNP-T1GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32401ADNP-T1GE4 Power switches - integrated circuits
SIP32401ADNP-T1GE4 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32409DNP-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
SIP32409DNP-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.51 грн |
61+ | 17.84 грн |
167+ | 16.83 грн |
SIP32411DR-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32411DR-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
SIP32411DR-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32419DN-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DFN10
Supply voltage: 6...28V DC
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DFN10
Supply voltage: 6...28V DC
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32429DN-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32429DN-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
SIP32429DN-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Case: TDFN4
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.105Ω
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Case: TDFN4
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.105Ω
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.55 грн |
10+ | 32.09 грн |
25+ | 27.86 грн |
48+ | 22.71 грн |
131+ | 21.52 грн |
500+ | 21.43 грн |
1000+ | 20.69 грн |
SIP32431DR3-T1GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 147mΩ
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 147mΩ
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.55 грн |
10+ | 32.18 грн |
25+ | 27.59 грн |
48+ | 22.53 грн |
132+ | 21.24 грн |
2500+ | 20.69 грн |
SIP32458DB-T2-GE1 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: WCSP6
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: WCSP6
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32461DB-T2-GE1 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32461DB-T2-GE1 Power switches - integrated circuits
SIP32461DB-T2-GE1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32509DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.58 грн |
10+ | 32.76 грн |
25+ | 27.13 грн |
68+ | 16.28 грн |
187+ | 15.36 грн |
1000+ | 14.81 грн |
3000+ | 14.71 грн |
SIP32510DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.63 грн |
10+ | 29.03 грн |
25+ | 24.09 грн |
83+ | 13.43 грн |
226+ | 12.69 грн |
3000+ | 12.51 грн |
9000+ | 12.23 грн |
SIR104ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR104DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR104LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR106ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR106DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR108DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.