Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349213) > Сторінка 1127 з 5821

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1122 1123 1124 1125 1126 1127 1128 1129 1130 1131 1132 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR872DP-T1-GE3 VISHAY sir872dp.pdf SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 VISHAY sir873dp.pdf SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 VISHAY sir876adp.pdf SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 VISHAY sir876bdp.pdf SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 VISHAY sir878bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3 VISHAY sir880adp.pdf SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 VISHAY sir880dp.pdf SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 VISHAY sir882adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3 VISHAY sir882bdp.pdf SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3 VISHAY sir882dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY sira00dp.pdf SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY sira01dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 VISHAY sira02dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3 VISHAY sira04dp.pdf SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY sira10bdp.pdf SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 140A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 51nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.21 грн
25+50.30 грн
26+43.22 грн
70+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3 VISHAY sira12bdp.pdf SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 VISHAY SIRA12DP.pdf SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 VISHAY sira14bdp.pdf SIRA14BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 130A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.43 грн
9+33.42 грн
25+28.97 грн
49+22.71 грн
135+21.43 грн
3000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.45 грн
25+23.11 грн
65+17.10 грн
100+17.01 грн
179+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY sira18bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 11W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 VISHAY sira18dp.pdf SIRA18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3 VISHAY sira20bdp.pdf SIRA20BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY sira20dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3 VISHAY sira24dp.pdf SIRA24DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY sira32dp.pdf SIRA32DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 VISHAY sira36dp.pdf SIRA36DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 VISHAY sira50adp.pdf SIRA50ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3 VISHAY sira50dp.pdf SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf SIRA52ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52DP-T1-GE3 VISHAY sira52dp.pdf SIRA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54DP-T1-GE3 VISHAY SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3 VISHAY sira58adp.pdf SIRA58ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58DP-T1-GE3 VISHAY sira58dp.pdf SIRA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 VISHAY sira60dp.pdf SIRA60DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 VISHAY sira62dp.pdf SIRA62DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-GE3 VISHAY sira64dp.pdf SIRA64DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA72DP-T1-GE3 VISHAY sira72dp.pdf SIRA72DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 VISHAY doc?77640 SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA80DP-T1-RE3 VISHAY sira80dp.pdf SIRA80DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 VISHAY sira84dp.pdf SIRA84DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88BDP-T1-GE3 VISHAY sira88bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 11W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 VISHAY sira88dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36.4A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.38 грн
5+113.64 грн
18+64.37 грн
48+60.69 грн
3000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-RE3 VISHAY sira90dp.pdf SIRA90DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA96DP-T1-GE3 VISHAY sira96dp.pdf SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 VISHAY sirb40dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 29.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3 VISHAY sirc06dp.pdf SIRC06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 VISHAY sirc10dp.pdf SIRC10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 VISHAY sirc18dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 34.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.54mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-RE3 VISHAY SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS106DN-T1-GE3 VISHAY sis106dn.pdf SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS108DN-T1-GE3 VISHAY SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 VISHAY sis110dn.pdf SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872DP-T1-GE3 sir872dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 sir876adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 sir876bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 sir878bdp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3 sir880adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 sir880dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 sir882adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3 sir882bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3 sir882dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 sira00dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 sira02dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3 sira04dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 sira10bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 140A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 51nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.21 грн
25+50.30 грн
26+43.22 грн
70+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3 sira12bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 sira14bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA14BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 130A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.43 грн
9+33.42 грн
25+28.97 грн
49+22.71 грн
135+21.43 грн
3000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.45 грн
25+23.11 грн
65+17.10 грн
100+17.01 грн
179+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3 sira18bdp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 11W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 sira18dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3 sira20bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA20BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3 sira24dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA24DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 sira32dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA32DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 sira36dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA36DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA50ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3 sira50dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA52ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52DP-T1-GE3 sira52dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3 sira58adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA58ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58DP-T1-GE3 sira58dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 sira60dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA60DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 sira62dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA62DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-GE3 sira64dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA64DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA72DP-T1-GE3 sira72dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA72DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 doc?77640
Виробник: VISHAY
SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA80DP-T1-RE3 sira80dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA80DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 sira84dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA84DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88BDP-T1-GE3 sira88bdp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 11W
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 sira88dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36.4A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.38 грн
5+113.64 грн
18+64.37 грн
48+60.69 грн
3000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-RE3 sira90dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA90DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA96DP-T1-GE3 sira96dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 sirb40dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 29.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC06DP-T1-GE3 sirc06dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC10DP-T1-GE3 sirc10dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 sirc18dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 34.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.54mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS700DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS106DN-T1-GE3 sis106dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS108DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 582 1122 1123 1124 1125 1126 1127 1128 1129 1130 1131 1132 1164 1746 2328 2910 3492 4074 4656 5238 5820 5821  [ Наступна Сторінка >> ]