Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUM50020EL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM55P06-19L-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SUM60020E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM60061EL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
SUM60N10-17-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 660 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
SUM70030E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM70030M-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
SUM70040E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263 Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 76nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
SUM70040M-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM70042E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM70060E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM70090E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM70101EL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM80090E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM85N15-19-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM90100E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM90140E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM90142E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM90220E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM90330E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM90N03-2M2P-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUM90N10-8M2P-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 590 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
SUM90P10-19L-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A; 125W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Pulsed drain current: -90A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 326nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 624 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
SUP10250E-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SUP40010EL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP40012EL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP50010E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP50020E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP50020EL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 523 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
SUP57N20-33-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
SUP60020E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP60030E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 120A; Idm: 250A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 141nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP70030E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP70040E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP70042E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP70060E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 131A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP70090E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP70101EL-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SUP80090E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
SUP85N10-10-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SUP85N10-10-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 85A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
SUP85N15-21-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP90100E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 150A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP90140E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP90142E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP90220E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP90330E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP90N06-6M0P-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 272W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SUP90P06-09L-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 507 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
T1110P6-SD-F | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
T18104KT10 | VISHAY |
![]() Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 100kΩ; 750mW; ±10%; linear Min. insulation resistance: 1TΩ Operating temperature: -55...125°C Power: 0.75W Resistance: 100kΩ Tolerance: ±10% Temperature coefficient: 100ppm/°C IP rating: IP67 Potentiometer standard: 19mm Type of potentiometer: mounting Number of electrical turns: 15 ±1 Characteristics: linear Track material: cermet Kind of potentiometer: multiturn Engineering PN: 43P; 89; 3006 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
T18101KT10 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
T18103KT10 | VISHAY |
![]() Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 750mW; ±10%; linear Min. insulation resistance: 1TΩ Operating temperature: -55...125°C Power: 0.75W Resistance: 10kΩ Tolerance: ±10% Temperature coefficient: 100ppm/°C IP rating: IP67 Potentiometer standard: 19mm Type of potentiometer: mounting Number of electrical turns: 15 ±1 Characteristics: linear Track material: cermet Kind of potentiometer: multiturn Engineering PN: 43P; 89; 3006 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
T18100KT10 | VISHAY |
![]() Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10Ω; 750mW; ±10%; linear Resistance: 10Ω Power: 0.75W Tolerance: ±10% Temperature coefficient: 200ppm/°C IP rating: IP67 Type of potentiometer: mounting Number of electrical turns: 15 ±1 Characteristics: linear Track material: cermet Kind of potentiometer: multiturn Engineering PN: 43P; 89; 3006 Potentiometer standard: 19mm Mounting: THT Min. insulation resistance: 1TΩ Operating temperature: -55...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
T18102KT10 | VISHAY |
![]() Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1kΩ; 750mW; ±10%; linear Min. insulation resistance: 1TΩ Operating temperature: -55...125°C Power: 0.75W Resistance: 1kΩ Tolerance: ±10% Temperature coefficient: 100ppm/°C IP rating: IP67 Potentiometer standard: 19mm Type of potentiometer: mounting Number of electrical turns: 15 ±1 Characteristics: linear Track material: cermet Kind of potentiometer: multiturn Engineering PN: 43P; 89; 3006 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
T18105KT10 | VISHAY |
![]() Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1MΩ; 750mW; ±10%; linear Resistance: 1MΩ Power: 0.75W Tolerance: ±10% Temperature coefficient: 100ppm/°C IP rating: IP67 Potentiometer standard: 19mm Type of potentiometer: mounting Number of electrical turns: 15 ±1 Characteristics: linear Track material: cermet Kind of potentiometer: multiturn Engineering PN: 43P; 89; 3006 Mounting: THT Min. insulation resistance: 1TΩ Operating temperature: -55...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
T18201KT10 | VISHAY |
![]() Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 200Ω; 750mW; ±10%; linear Resistance: 200Ω Power: 0.75W Tolerance: ±10% Temperature coefficient: 100ppm/°C IP rating: IP67 Type of potentiometer: mounting Number of electrical turns: 15 ±1 Characteristics: linear Track material: cermet Kind of potentiometer: multiturn Engineering PN: 43P; 89; 3006 Potentiometer standard: 19mm Mounting: THT Min. insulation resistance: 1TΩ Operating temperature: -55...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
T18203KT10 | VISHAY |
![]() Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 20kΩ; 750mW; ±10%; linear Operating temperature: -55...125°C Tolerance: ±10% Temperature coefficient: 100ppm/°C IP rating: IP67 Potentiometer standard: 19mm Type of potentiometer: mounting Number of electrical turns: 15 ±1 Characteristics: linear Track material: cermet Kind of potentiometer: multiturn Engineering PN: 43P; 89; 3006 Mounting: THT Min. insulation resistance: 1TΩ Power: 0.75W Resistance: 20kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 632 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
SUM50020EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM55P06-19L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.58 грн |
13+ | 85.32 грн |
35+ | 80.73 грн |
SUM60020E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors
SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM60061EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors
SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM60N10-17-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.99 грн |
10+ | 143.85 грн |
11+ | 104.58 грн |
29+ | 98.16 грн |
SUM65N20-30-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM70030E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM70030M-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM70040E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 257.86 грн |
7+ | 184.82 грн |
17+ | 167.88 грн |
50+ | 161.46 грн |
SUM70040M-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM70042E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM70060E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM70090E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM80090E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM85N15-19-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM90100E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM90140E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM90142E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM90142E-GE3 SMD N channel transistors
SUM90142E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM90220E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM90330E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM90N03-2M2P-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM90N10-8M2P-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 355.66 грн |
8+ | 139.44 грн |
22+ | 132.10 грн |
SUM90P10-19L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 347.76 грн |
5+ | 263.89 грн |
12+ | 240.36 грн |
50+ | 239.44 грн |
100+ | 230.26 грн |
SUP10250E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.46 грн |
7+ | 177.97 грн |
17+ | 168.80 грн |
SUP40010EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP40012EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP50010E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP50020E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP50020EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 214.39 грн |
9+ | 131.19 грн |
23+ | 123.85 грн |
SUP57N20-33-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.58 грн |
9+ | 133.37 грн |
23+ | 121.10 грн |
SUP60020E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP60030E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 120A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 120A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP70030E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP70030E-GE3 THT N channel transistors
SUP70030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP70040E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP70040E-GE3 THT N channel transistors
SUP70040E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP70042E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP70042E-GE3 THT N channel transistors
SUP70042E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP70060E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP70090E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP70090E-GE3 THT N channel transistors
SUP70090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP70101EL-GE3 THT P channel transistors
SUP70101EL-GE3 THT P channel transistors
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 301.33 грн |
6+ | 188.06 грн |
16+ | 177.97 грн |
SUP80090E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP80090E-GE3 THT N channel transistors
SUP80090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 489.04 грн |
7+ | 177.20 грн |
18+ | 161.46 грн |
SUP85N10-10-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 438.65 грн |
6+ | 185.77 грн |
17+ | 168.80 грн |
SUP85N15-21-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP85N15-21-E3 THT N channel transistors
SUP85N15-21-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP90100E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP90140E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP90140E-GE3 THT N channel transistors
SUP90140E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP90142E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP90142E-GE3 THT N channel transistors
SUP90142E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP90220E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP90220E-GE3 THT N channel transistors
SUP90220E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP90330E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP90330E-GE3 THT N channel transistors
SUP90330E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP90N06-6M0P-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 272W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 272W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUP90P06-09L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUP90P06-09L-E3 THT P channel transistors
SUP90P06-09L-E3 THT P channel transistors
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 552.27 грн |
3+ | 378.88 грн |
8+ | 358.70 грн |
T1110P6-SD-F |
![]() |
Виробник: VISHAY
T1110P6-SD-F Photodiodes
T1110P6-SD-F Photodiodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T18104KT10 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 100kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 100kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 100kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 100kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.68 грн |
5+ | 146.71 грн |
10+ | 130.27 грн |
11+ | 107.33 грн |
28+ | 100.91 грн |
T18101KT10 |
![]() |
Виробник: VISHAY
T18100R 19mm multiturn THT trimmers
T18100R 19mm multiturn THT trimmers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T18103KT10 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.30 грн |
5+ | 159.10 грн |
10+ | 136.69 грн |
11+ | 105.50 грн |
29+ | 100.00 грн |
T18100KT10 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10Ω; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 10Ω
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10Ω; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 10Ω
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.05 грн |
5+ | 150.52 грн |
10+ | 107.33 грн |
28+ | 101.83 грн |
T18102KT10 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 181.78 грн |
10+ | 114.32 грн |
28+ | 103.66 грн |
T18105KT10 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1MΩ; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 1MΩ
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1MΩ; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 1MΩ
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.59 грн |
10+ | 110.51 грн |
28+ | 100.91 грн |
25000+ | 97.24 грн |
T18201KT10 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 200Ω; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 200Ω
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 200Ω; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 200Ω
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 220.31 грн |
5+ | 143.85 грн |
10+ | 107.33 грн |
28+ | 101.83 грн |
2500+ | 100.00 грн |
5000+ | 97.24 грн |
T18203KT10 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 20kΩ; 750mW; ±10%; linear
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Power: 0.75W
Resistance: 20kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 20kΩ; 750mW; ±10%; linear
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Power: 0.75W
Resistance: 20kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.54 грн |
5+ | 174.34 грн |
10+ | 107.33 грн |
28+ | 101.83 грн |
25000+ | 97.24 грн |