Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SFH636-X016 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SFH640-3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SFH640-3X019T | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SFH690ABT | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SFH690AT | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SFH690BT | VISHAY |
![]() Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V Mounting: SMD Case: SOP4 Collector-emitter voltage: 70V Turn-on time: 5µs Turn-off time: 3µs Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 3.75kV CTR@If: 100-300%@5mA Type of optocoupler: optocoupler Manufacturer series: SFH690 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SFH690CT | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SFH690DT | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SFH6916 | VISHAY |
![]() Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V Case: SOP16 Number of channels: 4 Mounting: SMD Kind of output: transistor Insulation voltage: 3.75kV CTR@If: 300%@5mA Type of optocoupler: optocoupler Collector-emitter voltage: 70V Turn-on time: 5µs Turn-off time: 4µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4853 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SFH691AT | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SG3R2200JR18 | VISHAY |
![]() Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm Type of resistor: wire-wound Mounting: THT Resistance: 0.22Ω Power: 3W Tolerance: ±5% Max. operating voltage: 100V Leads dimensions: Ø0.8x25mm Body dimensions: Ø4.8x13mm Operating temperature: -55...250°C Resistor features: non-flammable Temperature coefficient: 150ppm/°C Leads: axial кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SG3R6800JR18 | VISHAY | SG3W-0R68 Power resistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SG3W 15R 5% | VISHAY | SG3W-15R Power resistors |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SG333R00JR18 | VISHAY |
![]() Description: Resistor: wire-wound; THT; 33Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial Type of resistor: wire-wound Resistance: 33Ω Power: 3W Tolerance: ±5% Max. operating voltage: 100V Temperature coefficient: 150ppm/°C Resistor features: non-flammable Leads: axial Operating temperature: -55...250°C Mounting: THT Body dimensions: Ø4.8x13mm Leads dimensions: Ø0.8x25mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SG347R00JR18 | VISHAY |
![]() Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial Type of resistor: wire-wound Resistance: 47Ω Power: 3W Tolerance: ±5% Max. operating voltage: 100V Temperature coefficient: 150ppm/°C Resistor features: non-flammable Leads: axial Operating temperature: -55...250°C Mounting: THT Body dimensions: Ø4.8x13mm Leads dimensions: Ø0.8x25mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SGL41-20-E3/96 | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 20V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SGL41-30-E3/96 | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 30V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SGL41-40-E3/96 | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 903 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SGL41-50-E3/96 | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 50V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SGL41-60-E3/96 | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 593 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.63A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
SI1012R-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A; ESD Case: SC75A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 80mW Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 0.75nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SI1012X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Case: SC89 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -1.5A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SI1013R-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1013X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI1016X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1021R-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() +1 |
SI1022R-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.13W Case: SC75A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1023X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -390mA Pulsed drain current: -0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1024X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1025X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1026X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.13W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1029X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1031R-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1032R-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI1032X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1034X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SI1036X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Case: SC89; SOT563 Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SI1040X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1050X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A Drain-source voltage: 8V Drain current: 1.34A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 236mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1062X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 5896 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI1070X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1077X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Si1078X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1079X-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1302DL-T1-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SI1302DL-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70 Case: SC70 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.48A On-state resistance: 0.48Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.86nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI1308EDL-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A On-state resistance: 132mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 4.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SI1317DL-T1-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A Pulsed drain current: -6A Power dissipation: 0.5W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1317DL-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI1330EDL-T1-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1330EDL-T1-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1330EDL-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1401EDH-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SI1403BDL-T1-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -5A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SI1403BDL-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -5A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SFH636-X016 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SFH636-X016 Optocouplers - analog output
SFH636-X016 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFH640-3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SFH640-3 Optocouplers - analog output
SFH640-3 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFH640-3X019T |
![]() |
Виробник: VISHAY
SFH640-3X019T Optocouplers - analog output
SFH640-3X019T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFH690ABT |
![]() |
Виробник: VISHAY
SFH690ABT Optocouplers - analog output
SFH690ABT Optocouplers - analog output
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.62 грн |
72+ | 14.68 грн |
197+ | 13.76 грн |
SFH690AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
SFH690AT Optocouplers - analog output
SFH690AT Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFH690BT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V
Mounting: SMD
Case: SOP4
Collector-emitter voltage: 70V
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 3µs
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 100-300%@5mA
Type of optocoupler: optocoupler
Manufacturer series: SFH690
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V
Mounting: SMD
Case: SOP4
Collector-emitter voltage: 70V
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 3µs
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 100-300%@5mA
Type of optocoupler: optocoupler
Manufacturer series: SFH690
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.20 грн |
10+ | 35.63 грн |
50+ | 24.04 грн |
72+ | 15.05 грн |
197+ | 14.22 грн |
4000+ | 13.67 грн |
SFH690CT |
![]() |
Виробник: VISHAY
SFH690CT Optocouplers - analog output
SFH690CT Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFH690DT |
![]() |
Виробник: VISHAY
SFH690DT Optocouplers - analog output
SFH690DT Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFH6916 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V
Case: SOP16
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300%@5mA
Type of optocoupler: optocoupler
Collector-emitter voltage: 70V
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 4µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V
Case: SOP16
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300%@5mA
Type of optocoupler: optocoupler
Collector-emitter voltage: 70V
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 4µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.11 грн |
10+ | 100.03 грн |
15+ | 72.47 грн |
42+ | 67.89 грн |
SFH691AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
SFH691AT Optocouplers - analog output
SFH691AT Optocouplers - analog output
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.15 грн |
41+ | 26.60 грн |
112+ | 25.14 грн |
SG3R2200JR18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.22Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.22Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SG3R6800JR18 |
Виробник: VISHAY
SG3W-0R68 Power resistors
SG3W-0R68 Power resistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 148.19 грн |
66+ | 16.42 грн |
181+ | 15.50 грн |
SG3W 15R 5% |
Виробник: VISHAY
SG3W-15R Power resistors
SG3W-15R Power resistors
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.01 грн |
10+ | 67.64 грн |
18+ | 60.55 грн |
49+ | 56.88 грн |
SG333R00JR18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 33Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 33Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Resistor features: non-flammable
Leads: axial
Operating temperature: -55...250°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 33Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 33Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Resistor features: non-flammable
Leads: axial
Operating temperature: -55...250°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 296.39 грн |
10+ | 28.58 грн |
50+ | 20.00 грн |
66+ | 16.42 грн |
179+ | 15.50 грн |
250+ | 15.14 грн |
SG347R00JR18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Resistor features: non-flammable
Leads: axial
Operating temperature: -55...250°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Resistor features: non-flammable
Leads: axial
Operating temperature: -55...250°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.23 грн |
10+ | 120.04 грн |
18+ | 60.55 грн |
49+ | 56.88 грн |
SGL41-20-E3/96 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.28 грн |
10+ | 50.59 грн |
47+ | 23.03 грн |
129+ | 21.83 грн |
24000+ | 21.01 грн |
SGL41-30-E3/96 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 30V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 30V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SGL41-40-E3/96 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
10+ | 38.68 грн |
50+ | 31.19 грн |
56+ | 19.36 грн |
154+ | 18.26 грн |
1500+ | 17.52 грн |
SGL41-50-E3/96 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 50V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 50V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SGL41-60-E3/96 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.41 грн |
10+ | 39.06 грн |
50+ | 32.20 грн |
61+ | 18.00 грн |
166+ | 17.02 грн |
SI1012CR-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
17+ | 17.53 грн |
50+ | 13.49 грн |
100+ | 12.20 грн |
125+ | 8.62 грн |
344+ | 8.16 грн |
2000+ | 7.89 грн |
SI1012R-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A; ESD
Case: SC75A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80mW
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A; ESD
Case: SC75A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80mW
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.40 грн |
25+ | 20.86 грн |
58+ | 18.81 грн |
100+ | 17.80 грн |
159+ | 17.71 грн |
500+ | 17.06 грн |
SI1012X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1013CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Case: SC89
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Case: SC89
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.43 грн |
16+ | 17.91 грн |
25+ | 13.03 грн |
100+ | 9.45 грн |
182+ | 5.87 грн |
500+ | 5.60 грн |
3000+ | 5.41 грн |
SI1013R-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1013X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1013X-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1013X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1016CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1016CX-T1-GE3 Multi channel transistors
SI1016CX-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.54 грн |
96+ | 11.19 грн |
264+ | 10.64 грн |
SI1016X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1016X-T1-GE3 Multi channel transistors
SI1016X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1021R-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1022R-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.22 грн |
10+ | 42.49 грн |
50+ | 32.84 грн |
63+ | 17.16 грн |
174+ | 16.24 грн |
3000+ | 15.50 грн |
SI1023CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1023X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
Pulsed drain current: -0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
Pulsed drain current: -0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1024X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1025X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1025X-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1025X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1026X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1029X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1031R-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1032R-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.06 грн |
73+ | 14.86 грн |
199+ | 14.04 грн |
SI1032X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1032X-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1032X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1034CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1034CX-T1-GE3 Multi channel transistors
SI1034CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1034X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1034X-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1034X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1036X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
14+ | 21.91 грн |
100+ | 14.13 грн |
141+ | 7.61 грн |
389+ | 7.16 грн |
3000+ | 6.88 грн |
SI1040X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1050X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1062X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.93 грн |
189+ | 5.71 грн |
518+ | 5.39 грн |
SI1070X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1070X-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1070X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1077X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1077X-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1077X-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.41 грн |
113+ | 9.54 грн |
311+ | 8.99 грн |
Si1078X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1079X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1079X-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1079X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1302DL-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1302DL-T1-E3 SMD N channel transistors
SI1302DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1302DL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.86nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.86nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.88 грн |
11+ | 28.39 грн |
82+ | 13.03 грн |
226+ | 12.29 грн |
1000+ | 11.83 грн |
SI1308EDL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.57 грн |
13+ | 23.44 грн |
50+ | 17.43 грн |
90+ | 11.93 грн |
247+ | 11.28 грн |
500+ | 10.92 грн |
SI1317DL-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1317DL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.52 грн |
99+ | 10.83 грн |
272+ | 10.27 грн |
SI1330EDL-T1-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1330EDL-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1330EDL-T1-E3 SMD N channel transistors
SI1330EDL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1330EDL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1330EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1330EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1401EDH-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1403BDL-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI1403BDL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.