Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356955) > Сторінка 1178 з 5950

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1190 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 VISHAY si4062dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3 VISHAY si4090bdy.pdf SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 VISHAY si4090dy.pdf SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3 VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3 VISHAY si4101dy.pdf SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 VISHAY si4114dy.pdf SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 VISHAY si4114dy.pdf SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 VISHAY si4122dy.pdf SI4122DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3 VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 VISHAY si4126dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3 VISHAY si4128dy-old.pdf SI4128DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.97 грн
59+18.26 грн
162+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3 VISHAY si4136dy.pdf SI4136DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY si4143dy.pdf SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3 VISHAY si4151dy.pdf SI4151DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3 VISHAY si4153dy.pdf SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 VISHAY si4154dy.pdf SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 VISHAY si4156dy.pdf SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3 VISHAY si4160dy.pdf SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.94 грн
43+25.23 грн
118+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 VISHAY si4164dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 VISHAY si4166dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 VISHAY si4168dy.pdf SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.82 грн
32+34.04 грн
87+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.46 грн
50+34.30 грн
52+20.92 грн
100+20.82 грн
143+19.72 грн
2500+19.08 грн
12500+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 VISHAY si4186dy.pdf SI4186DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 VISHAY si4190ady.pdf SI4190ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 VISHAY si4202dy.pdf SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3 VISHAY si4204dy.pdf SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-E3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf SI4214DDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf SI4214DDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3 VISHAY si4228dy.pdf SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.92 грн
10+78.12 грн
17+66.97 грн
45+63.30 грн
500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3 VISHAY si4368dy.pdf SI4368DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 VISHAY si4386dy.pdf SI4386DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 VISHAY si4386dy.pdf SI4386DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392ADY-T1-E3 VISHAY SI4392ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.52 грн
5+111.46 грн
13+86.23 грн
35+81.65 грн
500+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.86 грн
10+57.26 грн
43+25.23 грн
117+23.85 грн
10000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.11 грн
6+55.25 грн
25+47.89 грн
30+36.60 грн
81+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.25 грн
6+47.92 грн
10+42.66 грн
25+40.92 грн
30+35.96 грн
83+33.94 грн
1000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.14 грн
8+38.68 грн
25+32.84 грн
38+28.51 грн
104+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 VISHAY si4408dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DY-T1-GE3 VISHAY 70687.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 VISHAY si4420bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3 VISHAY 73067.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3 VISHAY si4421dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3 VISHAY si4421dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3 VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 VISHAY si4425bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 VISHAY si4425bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.92 грн
10+65.64 грн
39+27.71 грн
107+26.24 грн
2500+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3 VISHAY si4425fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 si4062dy.pdf
SI4062DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3 si4090bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 si4090dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3 si4100dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3 si4101dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 si4114dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 si4116dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4122DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3 si4124dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 si4124dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3 si4128dy-old.pdf
Виробник: VISHAY
SI4128DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.97 грн
59+18.26 грн
162+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3 si4136dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4136DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3 si4151dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4151DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3 si4153dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3 si4160dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.94 грн
43+25.23 грн
118+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 si4164dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.82 грн
32+34.04 грн
87+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6
SI4178DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.46 грн
50+34.30 грн
52+20.92 грн
100+20.82 грн
143+19.72 грн
2500+19.08 грн
12500+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4186DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 si4190ady.pdf
Виробник: VISHAY
SI4190ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3 si4204dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-E3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Виробник: VISHAY
SI4214DDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Виробник: VISHAY
SI4214DDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3 si4228dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
10+78.12 грн
17+66.97 грн
45+63.30 грн
500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4368DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4386DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 si4386dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4386DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392ADY-T1-E3
Виробник: VISHAY
SI4392ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.52 грн
5+111.46 грн
13+86.23 грн
35+81.65 грн
500+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.86 грн
10+57.26 грн
43+25.23 грн
117+23.85 грн
10000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.11 грн
6+55.25 грн
25+47.89 грн
30+36.60 грн
81+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.25 грн
6+47.92 грн
10+42.66 грн
25+40.92 грн
30+35.96 грн
83+33.94 грн
1000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.14 грн
8+38.68 грн
25+32.84 грн
38+28.51 грн
104+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 si4408dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DY-T1-GE3 70687.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 si4420bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3 73067.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3 si4421dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3 si4421dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 si4423dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3 si4423dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 si4425bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db
SI4425DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
10+65.64 грн
39+27.71 грн
107+26.24 грн
2500+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3 si4425fdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1190 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950  [ Наступна Сторінка >> ]