Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362882) > Сторінка 1178 з 6049

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1208 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6049  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B92B461FE143&compId=IRF9540S.pdf?ci_sign=2754fdd6caded63da1a82268f46511c2306090d0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.05 грн
10+111.71 грн
50+92.47 грн
100+86.81 грн
200+80.21 грн
250+78.32 грн
500+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.36 грн
10+67.03 грн
50+59.17 грн
100+56.99 грн
250+54.26 грн
500+52.28 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.44 грн
10+75.45 грн
50+66.05 грн
500+59.45 грн
1000+57.56 грн
2000+55.67 грн
5000+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.94 грн
10+108.77 грн
50+88.70 грн
100+80.21 грн
250+68.88 грн
500+58.50 грн
1000+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.94 грн
10+108.77 грн
50+93.42 грн
100+86.81 грн
250+79.26 грн
500+72.66 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.49 грн
50+75.65 грн
100+67.66 грн
250+60.01 грн
500+53.98 грн
750+50.29 грн
1000+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.78 грн
5+79.37 грн
10+70.77 грн
50+63.22 грн
500+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3DCC7682A00C7&compId=irf9z34.pdf?ci_sign=426febe0a30d9734ff79e0dd1ec09ece99d6f9b5 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.16 грн
10+75.94 грн
50+66.05 грн
100+63.22 грн
250+59.26 грн
500+56.43 грн
1000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910510D612A143&compId=IRF9Z34S.pdf?ci_sign=2fa22ef4867f659ce8fdcebbf32f67f1c67a2f43 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.74 грн
50+96.03 грн
500+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.37 грн
10+147.97 грн
50+95.31 грн
100+84.93 грн
1000+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+311.98 грн
10+268.50 грн
20+238.74 грн
50+212.31 грн
100+198.16 грн
1000+185.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.39 грн
3+184.22 грн
10+156.64 грн
50+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.37 грн
50+117.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.39 грн
50+66.14 грн
100+56.99 грн
250+52.65 грн
500+45.20 грн
1000+41.42 грн
2000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.67 грн
10+97.19 грн
50+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.30 грн
10+101.91 грн
15+76.43 грн
41+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.60 грн
50+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3F7C028F760C7&compId=IRFBE20.pdf?ci_sign=e50d3f6680978554c2460c053e905c8201585866 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.80 грн
10+90.15 грн
19+59.45 грн
51+56.62 грн
2000+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.25 грн
10+118.57 грн
50+99.08 грн
100+92.47 грн
250+82.10 грн
500+74.55 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.76 грн
50+125.43 грн
100+115.12 грн
250+108.52 грн
500+102.85 грн
1000+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.35 грн
10+67.94 грн
50+61.34 грн
250+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.52 грн
50+111.71 грн
250+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.49 грн
10+75.45 грн
50+61.34 грн
100+58.50 грн
250+54.73 грн
500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.07 грн
6+58.01 грн
25+44.35 грн
69+42.46 грн
500+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA1CA9DBB2469&compId=IRFD9014PBF.pdf?ci_sign=8c8420f06cb86b7a81ab39bc7a688f557b5768a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -800mA
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.91 грн
10+50.56 грн
25+46.14 грн
50+43.97 грн
100+41.80 грн
500+36.90 грн
1000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.59 грн
10+88.70 грн
50+67.94 грн
100+63.22 грн
200+60.39 грн
500+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.36 грн
10+67.71 грн
100+55.77 грн
200+53.03 грн
500+49.45 грн
1000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF VISHAY sihfd921.pdf IRFD9210PBF THT P channel transistors
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.17 грн
35+32.46 грн
95+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Drain current: -0.36A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.23 грн
10+91.13 грн
24+46.24 грн
66+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+152.43 грн
10+103.09 грн
50+69.92 грн
100+61.24 грн
250+52.84 грн
500+48.41 грн
1000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ED44C28028143&compId=IRFI540G.pdf?ci_sign=a6e672a226915ac5e42a5860cafd9959f002946b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.38 грн
10+75.45 грн
50+65.11 грн
100+57.56 грн
250+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.67 грн
50+90.15 грн
100+83.04 грн
250+79.26 грн
500+74.55 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.51 грн
10+107.79 грн
50+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFF16C93A6143&compId=IRFI644G.pdf?ci_sign=7cd2c9e3d0db0f8a4bba0b1411672bf1800d2be8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 40W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.80 грн
50+97.99 грн
100+91.53 грн
250+86.81 грн
500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF IRFI740GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.71 грн
10+145.03 грн
50+92.47 грн
100+67.94 грн
500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.40 грн
10+107.79 грн
50+92.47 грн
100+86.81 грн
250+80.21 грн
500+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ABEA75EC0E469&compId=IRFI840GPBF.pdf?ci_sign=3b1cb21447751f6a70ee8518831459f235e91772 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.81 грн
10+153.85 грн
50+139.66 грн
100+126.45 грн
500+102.85 грн
1000+95.31 грн
2000+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E7015EEA2143&compId=IRFI9530G.pdf?ci_sign=2d8aaba937e7337c35e0101f82b4ee472206543e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.54 грн
25+82.31 грн
50+72.66 грн
100+66.05 грн
250+60.39 грн
500+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.59 грн
10+111.71 грн
50+91.53 грн
100+85.87 грн
250+78.32 грн
500+72.66 грн
750+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.37 грн
10+68.59 грн
50+62.28 грн
100+61.34 грн
500+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910AD7B8E7E143&compId=IRFI9Z34G.pdf?ci_sign=1c699a177c38388fe2c5ca7c3152fa6cd6a85c0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.20 грн
10+65.65 грн
50+59.45 грн
100+58.50 грн
250+57.56 грн
500+55.67 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.66 грн
50+133.27 грн
1000+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.65 грн
4+90.15 грн
10+76.43 грн
50+68.88 грн
250+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.67 грн
10+97.19 грн
50+86.81 грн
250+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.76 грн
10+149.93 грн
25+125.50 грн
50+107.57 грн
100+93.42 грн
250+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E8BE6B5300143&compId=IRFIZ48G.pdf?ci_sign=1933aab56fbd5aaff519a0ab4bf9ddb3b516fc42 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.06 грн
5+115.63 грн
10+107.57 грн
50+98.14 грн
100+93.42 грн
250+87.76 грн
500+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.97 грн
10+52.03 грн
20+47.94 грн
40+45.58 грн
100+42.56 грн
200+40.39 грн
500+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.86 грн
10+43.90 грн
50+37.65 грн
100+35.86 грн
250+33.59 грн
500+32.18 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.94 грн
10+45.66 грн
100+35.01 грн
250+31.61 грн
500+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.89 грн
50+46.06 грн
100+41.61 грн
250+37.56 грн
500+34.25 грн
1000+30.95 грн
2500+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ADB2890B3C469&compId=IRFL9110PBF.pdf?ci_sign=e6856d66840c829bc42f1655d46b67569bd7dc20 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP048RPBF IRFP048RPBF VISHAY sihfp048.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.34 грн
25+155.81 грн
100+133.05 грн
500+120.78 грн
1000+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054PBF IRFP054PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.32 грн
10+262.62 грн
25+229.30 грн
50+213.26 грн
100+200.05 грн
125+196.27 грн
250+185.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE918641C0469&compId=IRFP064PBF.pdf?ci_sign=f96cff53cbbcb17c18ec4b52dba178fd69454b2e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+259.13 грн
1000+232.24 грн
2500+200.05 грн
5000+188.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140PBF IRFP140PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.92 грн
5+159.73 грн
10+142.49 грн
25+128.33 грн
50+116.07 грн
100+105.69 грн
250+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150PBF IRFP150PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B1A260681C469&compId=IRFP150PBF.pdf?ci_sign=d53e0b757325c6cfb5bd7844136cc27705b965ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+278.44 грн
5+229.30 грн
10+201.93 грн
25+178.34 грн
50+164.19 грн
100+153.81 грн
125+150.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+396.32 грн
10+271.44 грн
25+243.45 грн
50+231.19 грн
100+218.92 грн
125+216.09 грн
200+208.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.66 грн
5+121.51 грн
10+98.14 грн
25+90.59 грн
50+86.81 грн
100+83.98 грн
250+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B92B461FE143&compId=IRF9540S.pdf?ci_sign=2754fdd6caded63da1a82268f46511c2306090d0
IRF9540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.05 грн
10+111.71 грн
50+92.47 грн
100+86.81 грн
200+80.21 грн
250+78.32 грн
500+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46
IRF9610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.36 грн
10+67.03 грн
50+59.17 грн
100+56.99 грн
250+54.26 грн
500+52.28 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61
IRF9620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.44 грн
10+75.45 грн
50+66.05 грн
500+59.45 грн
1000+57.56 грн
2000+55.67 грн
5000+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7
IRF9630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.94 грн
10+108.77 грн
50+88.70 грн
100+80.21 грн
250+68.88 грн
500+58.50 грн
1000+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.94 грн
10+108.77 грн
50+93.42 грн
100+86.81 грн
250+79.26 грн
500+72.66 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f
IRF9Z24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.49 грн
50+75.65 грн
100+67.66 грн
250+60.01 грн
500+53.98 грн
750+50.29 грн
1000+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.78 грн
5+79.37 грн
10+70.77 грн
50+63.22 грн
500+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3DCC7682A00C7&compId=irf9z34.pdf?ci_sign=426febe0a30d9734ff79e0dd1ec09ece99d6f9b5
IRF9Z34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.16 грн
10+75.94 грн
50+66.05 грн
100+63.22 грн
250+59.26 грн
500+56.43 грн
1000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910510D612A143&compId=IRF9Z34S.pdf?ci_sign=2fa22ef4867f659ce8fdcebbf32f67f1c67a2f43
IRF9Z34SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.74 грн
50+96.03 грн
500+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0
IRFB11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.37 грн
10+147.97 грн
50+95.31 грн
100+84.93 грн
1000+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70
IRFB17N50LPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+311.98 грн
10+268.50 грн
20+238.74 грн
50+212.31 грн
100+198.16 грн
1000+185.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB18N50KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5
IRFB18N50KPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.39 грн
3+184.22 грн
10+156.64 грн
50+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
50+117.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.39 грн
50+66.14 грн
100+56.99 грн
250+52.65 грн
500+45.20 грн
1000+41.42 грн
2000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.67 грн
10+97.19 грн
50+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.30 грн
10+101.91 грн
15+76.43 грн
41+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.60 грн
50+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3F7C028F760C7&compId=IRFBE20.pdf?ci_sign=e50d3f6680978554c2460c053e905c8201585866
IRFBE20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.80 грн
10+90.15 грн
19+59.45 грн
51+56.62 грн
2000+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.25 грн
10+118.57 грн
50+99.08 грн
100+92.47 грн
250+82.10 грн
500+74.55 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc
IRFBE30SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.76 грн
50+125.43 грн
100+115.12 грн
250+108.52 грн
500+102.85 грн
1000+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55
IRFBF20SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.35 грн
10+67.94 грн
50+61.34 грн
250+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33
IRFBF30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.52 грн
50+111.71 грн
250+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.49 грн
10+75.45 грн
50+61.34 грн
100+58.50 грн
250+54.73 грн
500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646
IRFD420PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.07 грн
6+58.01 грн
25+44.35 грн
69+42.46 грн
500+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA1CA9DBB2469&compId=IRFD9014PBF.pdf?ci_sign=8c8420f06cb86b7a81ab39bc7a688f557b5768a3
IRFD9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -800mA
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.91 грн
10+50.56 грн
25+46.14 грн
50+43.97 грн
100+41.80 грн
500+36.90 грн
1000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
IRFD9020PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.59 грн
10+88.70 грн
50+67.94 грн
100+63.22 грн
200+60.39 грн
500+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c
IRFD9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.36 грн
10+67.71 грн
100+55.77 грн
200+53.03 грн
500+49.45 грн
1000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF sihfd921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9210PBF THT P channel transistors
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.17 грн
35+32.46 грн
95+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4
IRFD9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Drain current: -0.36A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.23 грн
10+91.13 грн
24+46.24 грн
66+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
IRFI510GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+152.43 грн
10+103.09 грн
50+69.92 грн
100+61.24 грн
250+52.84 грн
500+48.41 грн
1000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ED44C28028143&compId=IRFI540G.pdf?ci_sign=a6e672a226915ac5e42a5860cafd9959f002946b
IRFI540GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.38 грн
10+75.45 грн
50+65.11 грн
100+57.56 грн
250+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df
IRFI630GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.67 грн
50+90.15 грн
100+83.04 грн
250+79.26 грн
500+74.55 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb
IRFI640GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.51 грн
10+107.79 грн
50+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFF16C93A6143&compId=IRFI644G.pdf?ci_sign=7cd2c9e3d0db0f8a4bba0b1411672bf1800d2be8
IRFI644GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 40W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.80 грн
50+97.99 грн
100+91.53 грн
250+86.81 грн
500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5
IRFI740GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.71 грн
10+145.03 грн
50+92.47 грн
100+67.94 грн
500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890
IRFI830GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.40 грн
10+107.79 грн
50+92.47 грн
100+86.81 грн
250+80.21 грн
500+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ABEA75EC0E469&compId=IRFI840GPBF.pdf?ci_sign=3b1cb21447751f6a70ee8518831459f235e91772
IRFI840GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.81 грн
10+153.85 грн
50+139.66 грн
100+126.45 грн
500+102.85 грн
1000+95.31 грн
2000+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E7015EEA2143&compId=IRFI9530G.pdf?ci_sign=2d8aaba937e7337c35e0101f82b4ee472206543e
IRFI9530GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.54 грн
25+82.31 грн
50+72.66 грн
100+66.05 грн
250+60.39 грн
500+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532
IRFI9540GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea
IRFI9630GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.59 грн
10+111.71 грн
50+91.53 грн
100+85.87 грн
250+78.32 грн
500+72.66 грн
750+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9634GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340
IRFI9634GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
10+68.59 грн
50+62.28 грн
100+61.34 грн
500+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910AD7B8E7E143&compId=IRFI9Z34G.pdf?ci_sign=1c699a177c38388fe2c5ca7c3152fa6cd6a85c0e
IRFI9Z34GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.20 грн
10+65.65 грн
50+59.45 грн
100+58.50 грн
250+57.56 грн
500+55.67 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee
IRFIB6N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.66 грн
50+133.27 грн
1000+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560
IRFIBC30GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.65 грн
4+90.15 грн
10+76.43 грн
50+68.88 грн
250+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd
IRFIBE30GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.67 грн
10+97.19 грн
50+86.81 грн
250+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15
IRFIBF20GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.76 грн
10+149.93 грн
25+125.50 грн
50+107.57 грн
100+93.42 грн
250+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E8BE6B5300143&compId=IRFIZ48G.pdf?ci_sign=1933aab56fbd5aaff519a0ab4bf9ddb3b516fc42
IRFIZ48GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.06 грн
5+115.63 грн
10+107.57 грн
50+98.14 грн
100+93.42 грн
250+87.76 грн
500+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476
IRFL014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.97 грн
10+52.03 грн
20+47.94 грн
40+45.58 грн
100+42.56 грн
200+40.39 грн
500+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.86 грн
10+43.90 грн
50+37.65 грн
100+35.86 грн
250+33.59 грн
500+32.18 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919
IRFL210TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.94 грн
10+45.66 грн
100+35.01 грн
250+31.61 грн
500+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c
IRFL9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.89 грн
50+46.06 грн
100+41.61 грн
250+37.56 грн
500+34.25 грн
1000+30.95 грн
2500+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ADB2890B3C469&compId=IRFL9110PBF.pdf?ci_sign=e6856d66840c829bc42f1655d46b67569bd7dc20
IRFL9110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP048RPBF sihfp048.pdf
IRFP048RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.34 грн
25+155.81 грн
100+133.05 грн
500+120.78 грн
1000+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970
IRFP054PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.32 грн
10+262.62 грн
25+229.30 грн
50+213.26 грн
100+200.05 грн
125+196.27 грн
250+185.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE918641C0469&compId=IRFP064PBF.pdf?ci_sign=f96cff53cbbcb17c18ec4b52dba178fd69454b2e
IRFP064PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.13 грн
1000+232.24 грн
2500+200.05 грн
5000+188.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86
IRFP140PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.92 грн
5+159.73 грн
10+142.49 грн
25+128.33 грн
50+116.07 грн
100+105.69 грн
250+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B1A260681C469&compId=IRFP150PBF.pdf?ci_sign=d53e0b757325c6cfb5bd7844136cc27705b965ed
IRFP150PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.44 грн
5+229.30 грн
10+201.93 грн
25+178.34 грн
50+164.19 грн
100+153.81 грн
125+150.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255
IRFP22N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.32 грн
10+271.44 грн
25+243.45 грн
50+231.19 грн
100+218.92 грн
125+216.09 грн
200+208.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3
IRFP240PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.66 грн
5+121.51 грн
10+98.14 грн
25+90.59 грн
50+86.81 грн
100+83.98 грн
250+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1208 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6049  [ Наступна Сторінка >> ]