Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357027) > Сторінка 1175 з 5951

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1190 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY si1403cd.pdf SI1403CDL-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 VISHAY si1411dh.pdf SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 VISHAY si1416ed.pdf SI1416EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3 VISHAY si1424ed.pdf SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 VISHAY si1427ed.pdf SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1428EDH-T1-GE3 VISHAY SI1428EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3 VISHAY si1441ed.pdf SI1441EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.54 грн
118+9.08 грн
325+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; SC70; ESD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.48 грн
10+32.58 грн
25+22.38 грн
81+13.30 грн
221+12.57 грн
3000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3 VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3 VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3 VISHAY si1480dh.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 2.8W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-E3 VISHAY si1499dh.pdf SI1499DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-GE3 VISHAY si1499dh.pdf SI1499DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY si1539cdl.pdf SI1539CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY si1553cdl.pdf SI1553CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DDL-T1-GE3 VISHAY Si1865DDL.pdf SI1865DDL-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3 VISHAY SI1869DH.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Case: SC70
Supply voltage: 1.8...20V DC
On-state resistance: 132mΩ
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.27 грн
10+38.87 грн
91+11.83 грн
249+11.19 грн
12000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 VISHAY si1900dl.pdf SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-GE3 VISHAY SI1900DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.59 грн
14+21.82 грн
100+11.56 грн
102+10.55 грн
281+10.00 грн
1000+9.91 грн
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3 VISHAY si1902dl.pdf SI1902DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 VISHAY si1902dl.pdf SI1902DL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 VISHAY si1922edh.pdf SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 VISHAY si1926dl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 370mA; Idm: 0.65A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 510mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 VISHAY si1926dl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 370mA; Idm: 0.65A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 510mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3 VISHAY SI1965DH.pdf SI1965DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3 VISHAY si1965dh.pdf SI1965DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3 VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.61 грн
15+20.10 грн
86+12.48 грн
236+11.83 грн
2500+11.65 грн
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.53 грн
10+30.96 грн
25+26.15 грн
80+13.49 грн
219+12.75 грн
3000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 VISHAY si2301cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.66 грн
17+16.96 грн
50+14.40 грн
100+13.49 грн
126+8.53 грн
346+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.58 грн
11+28.01 грн
50+22.66 грн
75+21.65 грн
90+12.02 грн
246+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.32 грн
11+27.44 грн
25+21.28 грн
100+16.15 грн
114+9.45 грн
314+8.90 грн
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.31 грн
20+44.20 грн
50+34.68 грн
100+10.73 грн
275+10.18 грн
6000+10.00 грн
18000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3 VISHAY si2304bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY si2304bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.46 грн
12+25.34 грн
50+16.97 грн
100+10.73 грн
275+10.18 грн
1500+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
12+24.77 грн
50+17.71 грн
96+11.19 грн
263+10.64 грн
1000+10.46 грн
1500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
12+24.77 грн
50+17.71 грн
96+11.19 грн
263+10.64 грн
1000+10.46 грн
1500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.31 грн
10+34.58 грн
43+24.95 грн
119+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 VISHAY si2306bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 138mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.51 грн
15+33.06 грн
50+27.25 грн
75+25.60 грн
87+12.38 грн
238+11.74 грн
2500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.39 грн
20+35.73 грн
73+14.89 грн
199+14.07 грн
6000+13.76 грн
9000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAC6EDAFEBAB3D7&compId=si2308bds.pdf?ci_sign=8ee93d83d7913be999b725702a177bf3604ba28a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.37 грн
10+34.30 грн
68+15.96 грн
185+15.14 грн
3000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.72 грн
19+15.24 грн
25+13.21 грн
100+11.65 грн
107+10.09 грн
293+9.54 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 VISHAY si2309cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.34 грн
10+32.87 грн
79+13.58 грн
217+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 VISHAY si2312bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY si2312bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
10+30.01 грн
90+12.02 грн
246+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 VISHAY si2314ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3 si1403cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI1403CDL-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 si1411dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 si1416ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1416EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3 si1424ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 si1427ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1428EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI1428EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3 si1441ed.pdf
Виробник: VISHAY
SI1441EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.54 грн
118+9.08 грн
325+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; SC70; ESD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.48 грн
10+32.58 грн
25+22.38 грн
81+13.30 грн
221+12.57 грн
3000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3 si1467dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1467DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 si1467dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 si1469dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3 si1469dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1469DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3 si1480dh.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 2.8W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-E3 si1499dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1499DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-GE3 si1499dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1499DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-GE3 si1539cdl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1539CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 si1553cdl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1553CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DDL-T1-GE3 Si1865DDL.pdf
Виробник: VISHAY
SI1865DDL-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-E3 SI1869DH.pdf
SI1869DH-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Case: SC70
Supply voltage: 1.8...20V DC
On-state resistance: 132mΩ
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.27 грн
10+38.87 грн
91+11.83 грн
249+11.19 грн
12000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI1900DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.59 грн
14+21.82 грн
100+11.56 грн
102+10.55 грн
281+10.00 грн
1000+9.91 грн
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3 si1902dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1902DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1902DL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 370mA; Idm: 0.65A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 510mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 si1926dl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 370mA; Idm: 0.65A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 510mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH.pdf
Виробник: VISHAY
SI1965DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3 si1965dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1965DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1967DH-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3 si1967dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1967DH-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.61 грн
15+20.10 грн
86+12.48 грн
236+11.83 грн
2500+11.65 грн
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3 si2301bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.53 грн
10+30.96 грн
25+26.15 грн
80+13.49 грн
219+12.75 грн
3000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.66 грн
17+16.96 грн
50+14.40 грн
100+13.49 грн
126+8.53 грн
346+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.58 грн
11+28.01 грн
50+22.66 грн
75+21.65 грн
90+12.02 грн
246+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.32 грн
11+27.44 грн
25+21.28 грн
100+16.15 грн
114+9.45 грн
314+8.90 грн
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-BE3 si2303cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 si2303cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.31 грн
20+44.20 грн
50+34.68 грн
100+10.73 грн
275+10.18 грн
6000+10.00 грн
18000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-E3 si2304bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
SI2304BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.46 грн
12+25.34 грн
50+16.97 грн
100+10.73 грн
275+10.18 грн
1500+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
12+24.77 грн
50+17.71 грн
96+11.19 грн
263+10.64 грн
1000+10.46 грн
1500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
12+24.77 грн
50+17.71 грн
96+11.19 грн
263+10.64 грн
1000+10.46 грн
1500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.31 грн
10+34.58 грн
43+24.95 грн
119+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3 si2306bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3 si2307bd.pdf
SI2307BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 138mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.51 грн
15+33.06 грн
50+27.25 грн
75+25.60 грн
87+12.38 грн
238+11.74 грн
2500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.39 грн
20+35.73 грн
73+14.89 грн
199+14.07 грн
6000+13.76 грн
9000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAC6EDAFEBAB3D7&compId=si2308bds.pdf?ci_sign=8ee93d83d7913be999b725702a177bf3604ba28a
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.37 грн
10+34.30 грн
68+15.96 грн
185+15.14 грн
3000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.72 грн
19+15.24 грн
25+13.21 грн
100+11.65 грн
107+10.09 грн
293+9.54 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.34 грн
10+32.87 грн
79+13.58 грн
217+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 si2312bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5A; Idm: 15A; 1.25W
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3 si2312bds.pdf
SI2312BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
10+30.01 грн
90+12.02 грн
246+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3 si2314ed.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1190 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]