Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357027) > Сторінка 1177 з 5951

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1190 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3129DV-T1-GE3 VISHAY si3129dv.pdf SI3129DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3 VISHAY si3407dv.pdf SI3407DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.57 грн
25+28.39 грн
50+24.86 грн
51+21.47 грн
139+20.27 грн
500+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3 VISHAY si3410dv.pdf SI3410DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 VISHAY si3417dv.pdf SI3417DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 19.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 69nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.20 грн
10+40.58 грн
50+28.90 грн
57+18.99 грн
157+17.98 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3 VISHAY si3424cdv.pdf SI3424CDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY si3424cdv.pdf SI3424CDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY si3429edv.pdf SI3429EDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3 VISHAY si3430dv.pdf SI3430DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3 VISHAY si3430dv.pdf SI3430DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3 VISHAY si3433cdv.pdf SI3433CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 VISHAY si3433cdv.pdf SI3433CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3 VISHAY si3437dv.pdf SI3437DV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 VISHAY si3437dv.pdf SI3437DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3 VISHAY si3438dv.pdf SI3438DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 VISHAY si3438dv.pdf SI3438DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 VISHAY si3440adv.pdf SI3440ADV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 VISHAY si3440dv.pdf SI3440DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 VISHAY si3440dv.pdf SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 VISHAY si3442bd.pdf SI3442BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3 VISHAY si3442bd.pdf SI3442BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9110E993790143&compId=SI3443BDV.pdf?ci_sign=059f171c3bc7d8454f6eedc30333e8c09a498806 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.67 грн
25+22.29 грн
66+16.39 грн
182+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-GE3 VISHAY 72749.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-E3 VISHAY si3443cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF91176921790143&compId=SI3443CDV.pdf?ci_sign=e093c65eaa61745bd0673150c61693376343b424 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 VISHAY si3443ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF911CA5CB788143&compId=SI3443DDV.pdf?ci_sign=a61b6a8c7c4ab1934f3a31d9b5964a4555ab543d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3453DV-T1-GE3 VISHAY si3453dv.pdf SI3453DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 VISHAY si3456ddv.pdf SI3456DDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 VISHAY si3456ddv.pdf SI3456DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3 VISHAY si3457cdv.pdf SI3457CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.31 грн
10+38.11 грн
50+28.99 грн
75+14.40 грн
206+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-BE3 VISHAY si3458bdv.pdf SI3458BDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 VISHAY si3458bdv.pdf SI3458BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.38 грн
40+27.43 грн
108+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.61 грн
54+20.18 грн
147+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.51 грн
12+23.91 грн
50+17.98 грн
100+16.15 грн
107+10.18 грн
293+9.63 грн
3000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-GE3 VISHAY si3464dv.pdf SI3464DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 VISHAY si3469dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-GE3 VISHAY si3469dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.34 грн
50+21.74 грн
136+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DDV-T1-GE3 VISHAY si3473ddv.pdf SI3473DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 VISHAY si3474dv.pdf SI3474DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 VISHAY si3476dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Pulsed drain current: 18A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3 VISHAY si3477dv.pdf SI3477DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY SI3483CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.42 грн
10+34.01 грн
47+23.21 грн
127+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 VISHAY si3483ddv.pdf SI3483DDV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3 VISHAY si3483ddv.pdf SI3483DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 VISHAY si3493bdv.pdf SI3493BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-GE3 VISHAY si3493bdv.pdf SI3493BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 VISHAY si3493ddv.pdf SI3493DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-BE3 VISHAY si3499dv.pdf SI3499DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 VISHAY si3499dv.pdf SI3499DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.47 грн
36+30.55 грн
97+28.90 грн
3000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A494CC0621E2E143&compId=si3585cd.pdf?ci_sign=fd1ba4d1f70583e057233df9309c2b07d3a62f13 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.77 грн
50+32.30 грн
66+16.42 грн
182+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 si3129dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3129DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-BE3 si3407dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3407DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.57 грн
25+28.39 грн
50+24.86 грн
51+21.47 грн
139+20.27 грн
500+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3 si3410dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3410DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 si3417dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3417DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 19.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 69nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.20 грн
10+40.58 грн
50+28.90 грн
57+18.99 грн
157+17.98 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-BE3 si3424cdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3424CDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3424CDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3429EDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-E3 si3430dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3430DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3 si3430dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3430DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-E3 si3433cdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3433CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3433CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-E3 si3437dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3437DV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 si3437dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3437DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3 si3438dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3438DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 si3438dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3438DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 si3440adv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3440ADV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 si3440dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3440DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 si3440dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 si3442bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3442BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-GE3 si3442bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3442BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9110E993790143&compId=SI3443BDV.pdf?ci_sign=059f171c3bc7d8454f6eedc30333e8c09a498806
SI3443BDV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.67 грн
25+22.29 грн
66+16.39 грн
182+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-GE3 72749.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-E3 si3443cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF91176921790143&compId=SI3443CDV.pdf?ci_sign=e093c65eaa61745bd0673150c61693376343b424
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 si3443ddv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF911CA5CB788143&compId=SI3443DDV.pdf?ci_sign=a61b6a8c7c4ab1934f3a31d9b5964a4555ab543d
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3453DV-T1-GE3 si3453dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3453DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 si3456ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3456DDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 si3456ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3456DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3 si3457cdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3457CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.31 грн
10+38.11 грн
50+28.99 грн
75+14.40 грн
206+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-BE3 si3458bdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 si3458bdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.38 грн
40+27.43 грн
108+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.61 грн
54+20.18 грн
147+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.51 грн
12+23.91 грн
50+17.98 грн
100+16.15 грн
107+10.18 грн
293+9.63 грн
3000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-GE3 si3464dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3464DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 si3469dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-GE3 si3469dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 si3473cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3473CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.34 грн
50+21.74 грн
136+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DDV-T1-GE3 si3473ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3473DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 si3474dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3474DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 si3476dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Pulsed drain current: 18A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3 si3477dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3477DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 si3483cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV.pdf
SI3483CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.42 грн
10+34.01 грн
47+23.21 грн
127+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 si3483ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483DDV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3 si3483ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 si3493bdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3493BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-GE3 si3493bdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3493BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 si3493ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3493DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-BE3 si3499dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3499DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3499DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.47 грн
36+30.55 грн
97+28.90 грн
3000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A494CC0621E2E143&compId=si3585cd.pdf?ci_sign=fd1ba4d1f70583e057233df9309c2b07d3a62f13
SI3585CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.77 грн
50+32.30 грн
66+16.42 грн
182+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1190 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]