| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IL300-DEFG | VISHAY |
Category: Optocouplers - othersDescription: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Kind of output: photodiode Insulation voltage: 5.3kV Case: DIP8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL300-EF | VISHAY |
Category: Optocouplers - othersDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: photodiode Insulation voltage: 5.3kV Case: DIP8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IL410 | VISHAY |
IL410 Optotriacs |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IL4118-X017 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; zero voltage crossing driver; Gull wing 6; Ch: 1 Type of optocoupler: optotriac Kind of output: zero voltage crossing driver Case: Gull wing 6 Trigger current: 1.3mA Mounting: SMD Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 588 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL420 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1 Number of channels: 1 Trigger current: 2mA Max. off-state voltage: 6V Output voltage: 600V Insulation voltage: 5.3kV Kind of output: without zero voltage crossing driver Case: DIP6 Type of optocoupler: optotriac Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL4208 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs Number of channels: 1 Trigger current: 2mA Max. off-state voltage: 6V Output voltage: 800V Insulation voltage: 5.3kV Slew rate: 10kV/μs Kind of output: without zero voltage crossing driver Case: DIP6 Type of optocoupler: optotriac Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 348 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL4208-X007T | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs Number of channels: 1 Trigger current: 2mA Output voltage: 800V Insulation voltage: 5.3kV Slew rate: 10kV/μs Kind of output: triac Case: Gull wing 6 Type of optocoupler: optotriac Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL4218 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1 Type of optocoupler: optotriac Insulation voltage: 5.3kV Kind of output: without zero voltage crossing driver Case: DIP6 Mounting: THT Number of channels: 1 Trigger current: 0.7mA Max. off-state voltage: 6V Output voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ILD615-2 | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP8 Case: DIP8 Number of channels: 2 Mounting: THT Type of optocoupler: optocoupler Kind of output: transistor Turn-off time: 2.3µs Turn-on time: 3µs CTR@If: 63-125%@10mA Collector-emitter voltage: 70V Insulation voltage: 5kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 768 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ILD621GB | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V Case: DIP8 Number of channels: 2 Mounting: THT Type of optocoupler: optocoupler Kind of output: transistor Turn-off time: 2.3µs Turn-on time: 3µs CTR@If: 100%@60mA Collector-emitter voltage: 70V Insulation voltage: 5.3kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ILQ2-X009 | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 4.42kV; Uce: 70V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 4 Kind of output: transistor Case: Gull wing 16 Collector-emitter voltage: 70V CTR@If: 50-100%@10mA Insulation voltage: 4.42kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ILQ30 | VISHAY |
ILQ30 Optocouplers - analog output |
на замовлення 559 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ615-4 | VISHAY |
ILQ615-4 Optocouplers - analog output |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ621 | VISHAY |
ILQ621 Optocouplers - analog output |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ621GB | VISHAY |
ILQ621GB Optocouplers - analog output |
на замовлення 307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IMBD4148-E3-08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Case: SOT23 Capacitance: 4pF Reverse recovery time: 4ns Leakage current: 50µA Load current: 0.15A Power dissipation: 0.35W Max. forward impulse current: 0.5A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 100V Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: 7 inch reel Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Type of diode: switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBD4148-HE3-08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Case: SOT23 Capacitance: 4pF Reverse recovery time: 4ns Leakage current: 50µA Load current: 0.15A Power dissipation: 0.35W Max. forward impulse current: 0.5A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 100V Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: 7 inch reel Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Type of diode: switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8310 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 601 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF530PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3091 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF530SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 472 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF610PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 704 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF620PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Gate charge: 14nC On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 50W Pulsed drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 651 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF634PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF640PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2366 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF640PBF-BE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF644PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 68nC On-state resistance: 0.28Ω Power dissipation: 125W Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Pulsed drain current: 56A Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 667 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF644SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 68nC On-state resistance: 0.28Ω Power dissipation: 125W Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Pulsed drain current: 56A Case: D2PAK; TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF710PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF710STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF720PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Gate charge: 20nC Power dissipation: 50W On-state resistance: 1.8Ω Pulsed drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF730PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 393 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 686 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740ASTRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 567 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2092 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740PBF-BE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 766 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 543 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 969 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 939 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 131 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Pulsed drain current: 28A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 708 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1308 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 502 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9520SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.8A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9530PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9530SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 622 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IL300-DEFG | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.13 грн |
| 25+ | 272.42 грн |
| 50+ | 238.74 грн |
| 100+ | 217.98 грн |
| 250+ | 194.39 грн |
| 500+ | 180.23 грн |
| IL300-EF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.82 грн |
| 25+ | 258.70 грн |
| IL410 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL410 Optotriacs
IL410 Optotriacs
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.38 грн |
| 7+ | 165.13 грн |
| 19+ | 155.70 грн |
| IL4118-X017 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; Gull wing 6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: Gull wing 6
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; Gull wing 6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: Gull wing 6
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 294.70 грн |
| 5+ | 238.12 грн |
| 10+ | 207.60 грн |
| 25+ | 184.01 грн |
| 50+ | 175.51 грн |
| IL420 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.97 грн |
| 10+ | 151.89 грн |
| 50+ | 144.37 грн |
| IL4208 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 800V
Insulation voltage: 5.3kV
Slew rate: 10kV/μs
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 800V
Insulation voltage: 5.3kV
Slew rate: 10kV/μs
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.05 грн |
| 10+ | 150.91 грн |
| 50+ | 142.49 грн |
| IL4208-X007T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Output voltage: 800V
Insulation voltage: 5.3kV
Slew rate: 10kV/μs
Kind of output: triac
Case: Gull wing 6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Output voltage: 800V
Insulation voltage: 5.3kV
Slew rate: 10kV/μs
Kind of output: triac
Case: Gull wing 6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.84 грн |
| 10+ | 172.46 грн |
| 25+ | 151.92 грн |
| 50+ | 141.54 грн |
| 100+ | 131.16 грн |
| 500+ | 130.22 грн |
| IL4218 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Mounting: THT
Number of channels: 1
Trigger current: 0.7mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Mounting: THT
Number of channels: 1
Trigger current: 0.7mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.64 грн |
| 7+ | 189.12 грн |
| 10+ | 168.91 грн |
| 50+ | 165.13 грн |
| ILD615-2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP8
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP8
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.20 грн |
| 10+ | 82.70 грн |
| 25+ | 72.09 грн |
| 29+ | 38.50 грн |
| 80+ | 36.42 грн |
| 5000+ | 35.67 грн |
| ILD621GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 100%@60mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5.3kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 100%@60mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5.3kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.03 грн |
| 10+ | 79.37 грн |
| 33+ | 33.97 грн |
| 90+ | 32.18 грн |
| ILQ2-X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 4.42kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Case: Gull wing 16
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 50-100%@10mA
Insulation voltage: 4.42kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 4.42kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Case: Gull wing 16
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 50-100%@10mA
Insulation voltage: 4.42kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.14 грн |
| 10+ | 97.99 грн |
| 15+ | 75.49 грн |
| 41+ | 71.72 грн |
| ILQ30 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ30 Optocouplers - analog output
ILQ30 Optocouplers - analog output
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.73 грн |
| 10+ | 114.18 грн |
| 27+ | 107.57 грн |
| ILQ615-4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.37 грн |
| 18+ | 65.11 грн |
| 48+ | 61.34 грн |
| ILQ621 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ621 Optocouplers - analog output
ILQ621 Optocouplers - analog output
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.12 грн |
| 17+ | 66.05 грн |
| 47+ | 62.28 грн |
| ILQ621GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ621GB Optocouplers - analog output
ILQ621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.40 грн |
| 16+ | 73.60 грн |
| 42+ | 69.83 грн |
| IMBD4148-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.15A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.15A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 9.45 грн |
| 49+ | 6.11 грн |
| 100+ | 4.03 грн |
| 250+ | 3.15 грн |
| 500+ | 2.58 грн |
| 610+ | 1.82 грн |
| 1500+ | 1.77 грн |
| IMBD4148-HE3-08 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.15A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.15A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 4.98 грн |
| 100+ | 4.31 грн |
| 335+ | 3.32 грн |
| 920+ | 3.14 грн |
| 12000+ | 3.08 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.07 грн |
| 10+ | 42.43 грн |
| 50+ | 38.22 грн |
| 500+ | 34.44 грн |
| 1250+ | 33.03 грн |
| 4000+ | 31.89 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.25 грн |
| 10+ | 57.72 грн |
| 50+ | 45.20 грн |
| 100+ | 41.33 грн |
| 250+ | 36.90 грн |
| 500+ | 33.88 грн |
| 1000+ | 33.03 грн |
| IRF520PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.04 грн |
| 6+ | 54.29 грн |
| 10+ | 46.14 грн |
| 50+ | 34.25 грн |
| 100+ | 31.80 грн |
| 500+ | 29.91 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.89 грн |
| 7+ | 43.70 грн |
| 10+ | 38.78 грн |
| 50+ | 33.40 грн |
| 100+ | 32.08 грн |
| 500+ | 30.29 грн |
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.28 грн |
| 50+ | 69.57 грн |
| 100+ | 63.22 грн |
| 250+ | 58.50 грн |
| 500+ | 55.67 грн |
| 750+ | 53.79 грн |
| 1000+ | 51.90 грн |
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.94 грн |
| 50+ | 23.13 грн |
| 137+ | 21.04 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.46 грн |
| 10+ | 61.44 грн |
| 50+ | 51.33 грн |
| 100+ | 44.35 грн |
| 250+ | 39.82 грн |
| 500+ | 37.46 грн |
| 1000+ | 34.44 грн |
| IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.13 грн |
| 50+ | 41.74 грн |
| 500+ | 36.99 грн |
| 5000+ | 33.78 грн |
| IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.28 грн |
| 50+ | 56.25 грн |
| 100+ | 51.62 грн |
| 250+ | 48.50 грн |
| 500+ | 46.24 грн |
| 1000+ | 44.35 грн |
| IRF634PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.25 грн |
| 10+ | 60.56 грн |
| 27+ | 41.52 грн |
| 74+ | 39.25 грн |
| IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.29 грн |
| 10+ | 122.49 грн |
| 50+ | 89.64 грн |
| 100+ | 79.26 грн |
| 250+ | 71.72 грн |
| 500+ | 68.88 грн |
| IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.25 грн |
| 10+ | 96.03 грн |
| 25+ | 85.87 грн |
| 50+ | 81.15 грн |
| 100+ | 77.38 грн |
| 250+ | 71.72 грн |
| 500+ | 67.00 грн |
| IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 154.46 грн |
| 50+ | 83.29 грн |
| IRF644PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.85 грн |
| 10+ | 90.15 грн |
| 50+ | 73.60 грн |
| 100+ | 68.88 грн |
| 250+ | 63.22 грн |
| 500+ | 58.50 грн |
| 1000+ | 55.67 грн |
| IRF644SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.97 грн |
| 50+ | 115.63 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.78 грн |
| 50+ | 34.69 грн |
| 1000+ | 27.36 грн |
| IRF710STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.69 грн |
| 10+ | 64.97 грн |
| 100+ | 49.54 грн |
| 800+ | 42.93 грн |
| 1600+ | 41.42 грн |
| 2400+ | 40.58 грн |
| 4000+ | 39.82 грн |
| IRF720PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Gate charge: 20nC
Power dissipation: 50W
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Gate charge: 20nC
Power dissipation: 50W
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.33 грн |
| 10+ | 64.87 грн |
| 50+ | 54.64 грн |
| 100+ | 51.52 грн |
| 500+ | 44.73 грн |
| 1000+ | 41.99 грн |
| 2000+ | 39.35 грн |
| IRF730PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.96 грн |
| 50+ | 49.19 грн |
| 1000+ | 44.16 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.25 грн |
| 10+ | 122.49 грн |
| 50+ | 103.80 грн |
| 250+ | 94.36 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.85 грн |
| 10+ | 129.35 грн |
| 50+ | 92.47 грн |
| 100+ | 83.98 грн |
| 500+ | 75.49 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 212.39 грн |
| 10+ | 132.29 грн |
| 50+ | 91.53 грн |
| 100+ | 81.15 грн |
| 500+ | 76.43 грн |
| IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.31 грн |
| 10+ | 172.46 грн |
| 25+ | 134.94 грн |
| 100+ | 100.97 грн |
| 250+ | 91.53 грн |
| 500+ | 84.93 грн |
| 800+ | 80.21 грн |
| IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 152.43 грн |
| 10+ | 126.41 грн |
| 25+ | 102.85 грн |
| 50+ | 85.87 грн |
| 100+ | 72.66 грн |
| 500+ | 67.94 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.72 грн |
| 10+ | 91.13 грн |
| 40+ | 79.26 грн |
| 50+ | 78.32 грн |
| 100+ | 72.66 грн |
| 150+ | 70.77 грн |
| 200+ | 68.88 грн |
| IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.54 грн |
| 10+ | 86.23 грн |
| 25+ | 79.26 грн |
| 50+ | 75.49 грн |
| 100+ | 73.60 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.30 грн |
| 10+ | 115.63 грн |
| 50+ | 102.85 грн |
| 250+ | 95.31 грн |
| 1000+ | 89.64 грн |
| 2000+ | 86.81 грн |
| IRF820APBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.60 грн |
| 10+ | 66.63 грн |
| 50+ | 53.79 грн |
| 100+ | 51.90 грн |
| 1000+ | 48.12 грн |
| IRF820ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.16 грн |
| 10+ | 84.08 грн |
| 50+ | 69.26 грн |
| 100+ | 64.64 грн |
| 250+ | 58.60 грн |
| 500+ | 54.35 грн |
| 1000+ | 50.01 грн |
| IRF820PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.94 грн |
| 10+ | 49.98 грн |
| 50+ | 39.35 грн |
| 100+ | 36.33 грн |
| 250+ | 33.50 грн |
| 500+ | 32.74 грн |
| IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.01 грн |
| 5+ | 109.75 грн |
| 10+ | 100.97 грн |
| 50+ | 89.64 грн |
| 100+ | 84.93 грн |
| 250+ | 79.26 грн |
| 500+ | 73.60 грн |
| IRF830APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.88 грн |
| 10+ | 83.98 грн |
| 50+ | 69.17 грн |
| 100+ | 64.45 грн |
| 250+ | 58.50 грн |
| 500+ | 54.16 грн |
| 1000+ | 49.82 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.59 грн |
| 50+ | 92.11 грн |
| 100+ | 75.49 грн |
| 500+ | 71.72 грн |
| IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.70 грн |
| 50+ | 94.07 грн |
| 100+ | 86.81 грн |
| 250+ | 80.21 грн |
| 500+ | 75.49 грн |
| 750+ | 72.66 грн |
| 1000+ | 70.77 грн |
| IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Pulsed drain current: 28A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Pulsed drain current: 28A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.67 грн |
| 10+ | 105.83 грн |
| 25+ | 90.59 грн |
| 50+ | 83.98 грн |
| 100+ | 78.32 грн |
| 250+ | 72.66 грн |
| 500+ | 70.77 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.69 грн |
| 4+ | 94.07 грн |
| 5+ | 86.81 грн |
| 10+ | 82.10 грн |
| 50+ | 72.66 грн |
| 100+ | 68.88 грн |
| 150+ | 67.00 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.83 грн |
| 5+ | 96.03 грн |
| 10+ | 84.93 грн |
| 50+ | 69.83 грн |
| 100+ | 66.05 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 50.81 грн |
| 10+ | 40.96 грн |
| 50+ | 35.01 грн |
| 100+ | 33.22 грн |
| 250+ | 30.95 грн |
| 500+ | 29.35 грн |
| 1000+ | 27.74 грн |
| IRF9510SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.07 грн |
| 10+ | 84.27 грн |
| 50+ | 69.92 грн |
| 100+ | 65.20 грн |
| 250+ | 59.17 грн |
| 500+ | 54.45 грн |
| 1000+ | 49.82 грн |
| IRF9520SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.64 грн |
| 10+ | 109.75 грн |
| 50+ | 91.53 грн |
| 100+ | 85.87 грн |
| 250+ | 79.26 грн |
| 500+ | 72.66 грн |
| 1000+ | 67.00 грн |
| IRF9530PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.01 грн |
| 5+ | 96.03 грн |
| 10+ | 80.21 грн |
| 50+ | 61.34 грн |
| 100+ | 57.56 грн |
| 200+ | 53.79 грн |
| 500+ | 51.90 грн |
| IRF9530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.98 грн |
| 10+ | 64.67 грн |
| 25+ | 53.98 грн |
| 50+ | 52.28 грн |
| 100+ | 48.97 грн |
| 250+ | 47.37 грн |
| 500+ | 45.67 грн |
| IRF9540PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.94 грн |
| 10+ | 83.29 грн |
| 50+ | 54.73 грн |


















