Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357027) > Сторінка 1176 з 5951

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1190 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2314EDS-T1-GE3 VISHAY si2314ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C568D3977E469&compId=SI2315BDS-T1-E3.pdf?ci_sign=4b39bd91ea787a3c282726a69c776976d3dda3b0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Power dissipation: 1.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.48 грн
10+35.25 грн
25+25.87 грн
52+20.92 грн
142+19.82 грн
500+19.63 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Power dissipation: 1.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.27 грн
10+40.96 грн
50+31.65 грн
61+17.89 грн
166+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3 VISHAY si2316bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY si2316bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFEACF7E42B3D7&compId=si2316ds.pdf?ci_sign=64f19be8f1f1d21953ac2b194d8b787a604a84f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 16A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.24 грн
9+33.92 грн
25+28.71 грн
43+25.32 грн
118+23.94 грн
500+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3 VISHAY si2316ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 16A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.52 грн
12+24.77 грн
50+17.80 грн
90+12.02 грн
247+11.38 грн
1000+11.01 грн
3000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; 0.48W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.95 грн
25+25.15 грн
58+18.81 грн
158+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.28 грн
10+40.20 грн
50+21.47 грн
138+20.37 грн
500+19.63 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.47 грн
10+31.82 грн
66+16.42 грн
180+15.50 грн
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.94 грн
6+48.97 грн
25+42.57 грн
33+32.55 грн
91+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.25 грн
10+49.73 грн
25+37.43 грн
38+28.62 грн
103+27.06 грн
1000+26.70 грн
3000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 VISHAY si2323cds.pdf SI2323CDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf SI2323CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.13 грн
78+13.85 грн
214+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
50+32.87 грн
51+21.06 грн
140+19.91 грн
500+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 68mΩ
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.28 грн
25+28.68 грн
46+23.94 грн
125+22.66 грн
3000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.02 грн
10+60.30 грн
25+51.92 грн
36+30.00 грн
100+28.35 грн
1000+27.98 грн
3000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY si2324ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.33 грн
8+36.96 грн
50+28.90 грн
53+20.55 грн
144+19.45 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3 VISHAY 73238.pdf SI2325DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3 VISHAY 73238.pdf SI2325DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3 VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A922C213A143&compId=si2328ds.pdf?ci_sign=1b2500bf5a8886329b2790797e0f04da5f221035 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+92.67 грн
50+54.30 грн
58+18.90 грн
157+17.89 грн
3000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 VISHAY SI2329DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.41 грн
10+37.63 грн
43+25.23 грн
100+24.86 грн
117+23.85 грн
250+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.20 грн
10+42.20 грн
43+25.60 грн
116+24.22 грн
500+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.23 грн
10+44.11 грн
78+13.94 грн
214+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.90 грн
10+34.01 грн
72+15.14 грн
197+14.31 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.14 грн
10+58.78 грн
25+49.72 грн
32+34.68 грн
86+32.75 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
24+12.84 грн
109+10.19 грн
299+9.36 грн
18000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 VISHAY SI2337DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.80 грн
10+66.12 грн
31+34.95 грн
85+33.03 грн
3000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-BE3 VISHAY SI2338DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 28mΩ
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.43 грн
50+36.77 грн
67+16.15 грн
185+15.32 грн
1500+14.77 грн
2000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.45 грн
10+31.63 грн
50+25.14 грн
67+16.15 грн
185+15.23 грн
1500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+49.40 грн
10+35.53 грн
50+29.45 грн
68+15.78 грн
187+14.95 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 VISHAY si2343ds.pdf SI2343DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 VISHAY si2343ds.pdf SI2343DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.59 грн
12+25.34 грн
25+17.34 грн
50+14.86 грн
100+12.84 грн
106+10.09 грн
291+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.08 грн
114+9.45 грн
313+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3 VISHAY si2365eds.pdf SI2365EDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.98 грн
50+13.15 грн
100+10.55 грн
149+7.16 грн
408+6.79 грн
2500+6.70 грн
3000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 VISHAY si2366ds.pdf SI2366DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3 VISHAY si2367ds.pdf SI2367DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY si2369bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
11+28.39 грн
50+22.02 грн
69+15.78 грн
188+14.86 грн
500+14.68 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3 VISHAY si2371eds.pdf SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.94 грн
96+11.28 грн
263+10.64 грн
1500+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY SI2377EDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.34 грн
10+34.30 грн
68+15.78 грн
187+14.95 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3 VISHAY si2387ds.pdf SI2387DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3 VISHAY Si2392DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.46 грн
11+27.72 грн
50+20.00 грн
80+13.58 грн
219+12.84 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 VISHAY si2399ds.pdf SI2399DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3127DV-T1-GE3 VISHAY si3127dv.pdf SI3127DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-GE3 si2314ed.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C568D3977E469&compId=SI2315BDS-T1-E3.pdf?ci_sign=4b39bd91ea787a3c282726a69c776976d3dda3b0
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Power dissipation: 1.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.48 грн
10+35.25 грн
25+25.87 грн
52+20.92 грн
142+19.82 грн
500+19.63 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Power dissipation: 1.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.27 грн
10+40.96 грн
50+31.65 грн
61+17.89 грн
166+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3 si2316bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFEACF7E42B3D7&compId=si2316ds.pdf?ci_sign=64f19be8f1f1d21953ac2b194d8b787a604a84f6
SI2316DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 16A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.24 грн
9+33.92 грн
25+28.71 грн
43+25.32 грн
118+23.94 грн
500+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3 si2316ds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 16A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.52 грн
12+24.77 грн
50+17.80 грн
90+12.02 грн
247+11.38 грн
1000+11.01 грн
3000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS.pdf
SI2318DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS.pdf
SI2318DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; 0.48W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.95 грн
25+25.15 грн
58+18.81 грн
158+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.28 грн
10+40.20 грн
50+21.47 грн
138+20.37 грн
500+19.63 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.47 грн
10+31.82 грн
66+16.42 грн
180+15.50 грн
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.94 грн
6+48.97 грн
25+42.57 грн
33+32.55 грн
91+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.25 грн
10+49.73 грн
25+37.43 грн
38+28.62 грн
103+27.06 грн
1000+26.70 грн
3000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-BE3 si2323cds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2323CDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2323CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.13 грн
78+13.85 грн
214+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
50+32.87 грн
51+21.06 грн
140+19.91 грн
500+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 68mΩ
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.28 грн
25+28.68 грн
46+23.94 грн
125+22.66 грн
3000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.02 грн
10+60.30 грн
25+51.92 грн
36+30.00 грн
100+28.35 грн
1000+27.98 грн
3000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.33 грн
8+36.96 грн
50+28.90 грн
53+20.55 грн
144+19.45 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3 73238.pdf
Виробник: VISHAY
SI2325DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3 73238.pdf
Виробник: VISHAY
SI2325DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-E3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A922C213A143&compId=si2328ds.pdf?ci_sign=1b2500bf5a8886329b2790797e0f04da5f221035
SI2328DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.67 грн
50+54.30 грн
58+18.90 грн
157+17.89 грн
3000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS.pdf
SI2329DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.41 грн
10+37.63 грн
43+25.23 грн
100+24.86 грн
117+23.85 грн
250+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.20 грн
10+42.20 грн
43+25.60 грн
116+24.22 грн
500+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.23 грн
10+44.11 грн
78+13.94 грн
214+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.90 грн
10+34.01 грн
72+15.14 грн
197+14.31 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-E3 si2333ds.pdf
SI2333DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.14 грн
10+58.78 грн
25+49.72 грн
32+34.68 грн
86+32.75 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 si2333ds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+12.84 грн
109+10.19 грн
299+9.36 грн
18000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-E3 si2337ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2337DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS.pdf
SI2337DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+98.80 грн
10+66.12 грн
31+34.95 грн
85+33.03 грн
3000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
SI2338DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 28mΩ
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.43 грн
50+36.77 грн
67+16.15 грн
185+15.32 грн
1500+14.77 грн
2000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.45 грн
10+31.63 грн
50+25.14 грн
67+16.15 грн
185+15.23 грн
1500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.40 грн
10+35.53 грн
50+29.45 грн
68+15.78 грн
187+14.95 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-E3 si2343ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2343DS-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2343DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.59 грн
12+25.34 грн
25+17.34 грн
50+14.86 грн
100+12.84 грн
106+10.09 грн
291+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-BE3 si2356ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2356DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.08 грн
114+9.45 грн
313+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3 si2365eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2365EDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.98 грн
50+13.15 грн
100+10.55 грн
149+7.16 грн
408+6.79 грн
2500+6.70 грн
3000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3 si2366ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2366DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3 si2367ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2367DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 si2369bds.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
11+28.39 грн
50+22.02 грн
69+15.78 грн
188+14.86 грн
500+14.68 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3 si2371eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.94 грн
96+11.28 грн
263+10.64 грн
1500+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS.pdf
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.34 грн
10+34.30 грн
68+15.78 грн
187+14.95 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3 si2387ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2387DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3 Si2392DS.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.46 грн
11+27.72 грн
50+20.00 грн
80+13.58 грн
219+12.84 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2399DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3127DV-T1-GE3 si3127dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3127DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1190 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]