Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356958) > Сторінка 1195 з 5950

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIP32401ADNP-T1GE4 VISHAY sip32401a.pdf SIP32401ADNP-T1GE4 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB86D3EE162620C7&compId=sip32408_9.pdf?ci_sign=d89e91060b7dfe6e9dd43e8fd11157dc79a92128 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 3.5A
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 44mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.52 грн
11+26.67 грн
25+22.75 грн
61+17.71 грн
167+16.79 грн
3000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32411DR-T1-GE3 VISHAY sip32411.pdf SIP32411DR-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 VISHAY sip32429.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Supply voltage: 6...28V DC
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DFN10
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32429DN-T1-GE4 VISHAY sip32429.pdf SIP32429DN-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 1.4A
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
10+32.01 грн
25+27.80 грн
48+22.75 грн
130+21.47 грн
500+21.38 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
On-state resistance: 147mΩ
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
10+32.10 грн
25+27.52 грн
48+22.48 грн
132+21.28 грн
2500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32458DB-T2-GE1 VISHAY sip32458_9.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: WCSP6
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32461DB-T2-GE1 VISHAY sip32461.pdf SIP32461DB-T2-GE1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.60 грн
13+22.01 грн
25+18.99 грн
68+15.87 грн
187+14.95 грн
500+14.40 грн
3000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.63 грн
14+20.86 грн
25+17.80 грн
81+13.39 грн
221+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3 VISHAY sir104adp.pdf SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 VISHAY sir104dp.pdf SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3 VISHAY sir104ldp.pdf SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106ADP-T1-RE3 VISHAY sir106adp.pdf SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 VISHAY sir106dp.pdf SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3 VISHAY sir108dp.pdf SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3 VISHAY sir112dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 VISHAY sir120dp.pdf SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 VISHAY sir122dp.pdf SIR122DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY sir122ldp.pdf SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 VISHAY sir124dp.pdf SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 VISHAY sir1309dp.pdf SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 VISHAY sir140dp.pdf SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3 VISHAY sir150dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 VISHAY sir158dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 VISHAY sir158dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 VISHAY sir164dp-new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 VISHAY sir165dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 VISHAY sir166dp.pdf SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 VISHAY sir167dp.pdf SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR170DP-T1-RE3 VISHAY sir170dp.pdf SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 VISHAY sir172adp.pdf SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR178DP-T1-RE3 VISHAY sir178dp.pdf SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 VISHAY sir180adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180DP-T1-RE3 VISHAY sir180dp.pdf SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 VISHAY sir182dp.pdf SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182LDP-T1-RE3 VISHAY sir182ldp.pdf SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 VISHAY sir184dp.pdf SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 VISHAY sir186dp.pdf SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.18 грн
28+38.71 грн
77+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 VISHAY sir188dp.pdf SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3 VISHAY sir188ldp.pdf SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 VISHAY sir402dp.pdf SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 VISHAY sir403edp.pdf SIR403EDP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 VISHAY sir404dp.pdf SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 VISHAY sir410d.pdf SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 VISHAY sir414dp.pdf SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 VISHAY sir418dp.pdf SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.81 грн
19+59.63 грн
50+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 VISHAY sir424dp.pdf SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 VISHAY sir426dp.pdf SIR426DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 VISHAY sir438dp.pdf SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR440DP-T1-GE3 VISHAY sir440dp.pdf SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 VISHAY sir4602ldp.pdf SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY sir4604ldp.pdf SIR4604LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 VISHAY sir4606dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4608DP-T1-GE3 VISHAY sir4608dp.pdf SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32401ADNP-T1GE4 sip32401a.pdf
Виробник: VISHAY
SIP32401ADNP-T1GE4 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB86D3EE162620C7&compId=sip32408_9.pdf?ci_sign=d89e91060b7dfe6e9dd43e8fd11157dc79a92128
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 3.5A
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 44mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.52 грн
11+26.67 грн
25+22.75 грн
61+17.71 грн
167+16.79 грн
3000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32411DR-T1-GE3 sip32411.pdf
Виробник: VISHAY
SIP32411DR-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 sip32429.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Supply voltage: 6...28V DC
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DFN10
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32429DN-T1-GE4 sip32429.pdf
Виробник: VISHAY
SIP32429DN-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 1.4A
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
10+32.01 грн
25+27.80 грн
48+22.75 грн
130+21.47 грн
500+21.38 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
On-state resistance: 147mΩ
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
10+32.10 грн
25+27.52 грн
48+22.48 грн
132+21.28 грн
2500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32458DB-T2-GE1 sip32458_9.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: WCSP6
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32461DB-T2-GE1 sip32461.pdf
Виробник: VISHAY
SIP32461DB-T2-GE1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.60 грн
13+22.01 грн
25+18.99 грн
68+15.87 грн
187+14.95 грн
500+14.40 грн
3000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.63 грн
14+20.86 грн
25+17.80 грн
81+13.39 грн
221+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3 sir104adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 sir104dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3 sir104ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106ADP-T1-RE3 sir106adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 sir106dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3 sir108dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3 sir112dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 sir120dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 sir122dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR122DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 sir122ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 sir124dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 sir1309dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3 sir150dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 sir158dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 sir158dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 sir164dp-new.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 sir165dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 sir167dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR170DP-T1-RE3 sir170dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 sir172adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR178DP-T1-RE3 sir178dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 sir180adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180DP-T1-RE3 sir180dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182DP-T1-RE3 sir182dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR182LDP-T1-RE3 sir182ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186DP-T1-RE3 sir186dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.18 грн
28+38.71 грн
77+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 sir188dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188LDP-T1-RE3 sir188ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 sir402dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 sir403edp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR403EDP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 sir404dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 sir410d.pdf
Виробник: VISHAY
SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 sir414dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 sir418dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.81 грн
19+59.63 грн
50+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 sir424dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR426DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 sir438dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR440DP-T1-GE3 sir440dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 sir4602ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 sir4604ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR4604LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 sir4606dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4608DP-T1-GE3 sir4608dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950  Наступна Сторінка >> ]