Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIP32401ADNP-T1GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32409DNP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4 Output current: 3.5A Supply voltage: 1.1...5.5V DC Mounting: SMD On-state resistance: 44mΩ Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Case: TDFN4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIP32411DR-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32419DN-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10 Supply voltage: 6...28V DC On-state resistance: 56mΩ Output current: 3.5A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: DFN10 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32429DN-T1-GE4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32431DNP3-T1GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4 Output current: 1.4A Supply voltage: 1.5...5.5V DC Mounting: SMD On-state resistance: 0.105Ω Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Case: TDFN4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SIP32431DR3-T1GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70 Supply voltage: 1.5...5.5V DC On-state resistance: 147mΩ Output current: 1.4A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: SC70 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SIP32458DB-T2-GE1 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6 On-state resistance: 20mΩ Output current: 3A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: WCSP6 Supply voltage: 1.5...5.5V DC кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIP32461DB-T2-GE1 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SIP32509DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.1...5.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIP32510DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.2...5.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3472 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SIR104ADP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR104DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR106ADP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR108DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR112DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 133A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 2.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR124DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR140DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 3.97mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 123nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -120A Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 138nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR166DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR172ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR178DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR180ADP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 137A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 5957 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIR188DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR188LDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR402DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR403EDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR410DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR414DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR418DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR438DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR440DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A On-state resistance: 22.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SIR4608DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SIP32401ADNP-T1GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32401ADNP-T1GE4 Power switches - integrated circuits
SIP32401ADNP-T1GE4 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 3.5A
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 44mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 3.5A
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 44mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.52 грн |
11+ | 26.67 грн |
25+ | 22.75 грн |
61+ | 17.71 грн |
167+ | 16.79 грн |
3000+ | 16.70 грн |
SIP32411DR-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32411DR-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
SIP32411DR-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32419DN-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Supply voltage: 6...28V DC
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DFN10
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Supply voltage: 6...28V DC
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DFN10
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32429DN-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32429DN-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
SIP32429DN-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 1.4A
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 1.4A
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
10+ | 32.01 грн |
25+ | 27.80 грн |
48+ | 22.75 грн |
130+ | 21.47 грн |
500+ | 21.38 грн |
1000+ | 20.64 грн |
SIP32431DR3-T1GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
On-state resistance: 147mΩ
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
On-state resistance: 147mΩ
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SC70
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
10+ | 32.10 грн |
25+ | 27.52 грн |
48+ | 22.48 грн |
132+ | 21.28 грн |
2500+ | 20.64 грн |
SIP32458DB-T2-GE1 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: WCSP6
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: WCSP6
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32461DB-T2-GE1 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIP32461DB-T2-GE1 Power switches - integrated circuits
SIP32461DB-T2-GE1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIP32509DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.60 грн |
13+ | 22.01 грн |
25+ | 18.99 грн |
68+ | 15.87 грн |
187+ | 14.95 грн |
500+ | 14.40 грн |
3000+ | 14.31 грн |
SIP32510DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.63 грн |
14+ | 20.86 грн |
25+ | 17.80 грн |
81+ | 13.39 грн |
221+ | 12.66 грн |
SIR104ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR104DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR104LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR106ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR106DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR108DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR112DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR120DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR122DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR122DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR122DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR122LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR124DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR1309DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR140DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR150DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR158DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR158DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR164DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR165DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR166DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR167DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR170DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR172ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR178DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR180ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR180DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR182DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR182LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR184DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR186DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR186LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.18 грн |
28+ | 38.71 грн |
77+ | 36.60 грн |
SIR188DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR188LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR401DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR402DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR403EDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR403EDP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIR403EDP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR404DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR410DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR414DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR416DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR418DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR422DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.81 грн |
19+ | 59.63 грн |
50+ | 55.96 грн |
SIR424DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR426DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR426DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR426DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR438DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR440DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR4602LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR4604LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR4604LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR4606DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR4608DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.