Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357914) > Сторінка 1288 з 5966

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 596 1192 1283 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1290 1291 1292 1293 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5960 5966  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -7.2A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 4.2W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.33 грн
10+46.12 грн
100+28.04 грн
200+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY Si4459ADY.PDF SI4459ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.76 грн
17+69.86 грн
47+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.65 грн
10+61.45 грн
100+43.41 грн
250+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY si4483ad.pdf SI4483ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.11 грн
15+80.83 грн
41+76.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 VISHAY si4497dy.pdf SI4497DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.57 грн
11+115.76 грн
29+108.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.75 грн
10+57.21 грн
50+37.52 грн
100+31.93 грн
500+23.35 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+94.57 грн
10+88.09 грн
50+74.85 грн
100+70.85 грн
125+69.86 грн
250+66.86 грн
500+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.13 грн
10+63.22 грн
50+46.50 грн
100+40.92 грн
500+29.44 грн
1000+24.95 грн
2500+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 VISHAY SI4686DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.86 грн
10+51.51 грн
100+40.52 грн
500+36.13 грн
1000+34.53 грн
2500+32.93 грн
5000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 VISHAY si4800bd.pdf description SI4800BDY-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.29 грн
47+25.65 грн
127+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.85 грн
26+46.60 грн
70+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+84.15 грн
30+40.52 грн
81+38.32 грн
2500+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 VISHAY si4840bdy.pdf SI4840BDY-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.76 грн
23+51.89 грн
63+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.23 грн
17+70.85 грн
46+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf SI4850EY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.31 грн
26+45.91 грн
72+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY SI4925DDY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.14 грн
5+81.25 грн
10+70.65 грн
50+55.29 грн
100+49.30 грн
500+36.13 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY si4936cdy.pdf SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.23 грн
40+30.24 грн
108+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY si4948be.pdf SI4948BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.09 грн
35+34.13 грн
96+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf SI7113DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.46 грн
16+77.84 грн
43+72.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+239.66 грн
15+83.83 грн
40+78.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.66 грн
44+27.44 грн
119+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY si7149adp.pdf SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+80.50 грн
33+36.42 грн
90+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.41 грн
47+25.55 грн
128+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.01 грн
18+69.86 грн
47+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf SI7461DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+259.00 грн
11+112.77 грн
29+106.78 грн
3000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+106.40 грн
10+83.94 грн
25+73.85 грн
100+62.87 грн
250+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.41 грн
34+35.63 грн
92+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.83 грн
25+49.10 грн
67+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf SI7655ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.35 грн
30+40.72 грн
80+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.27 грн
5+160.63 грн
10+139.71 грн
50+107.78 грн
100+95.80 грн
500+71.85 грн
1000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.21 грн
14+85.82 грн
38+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.27 грн
54+21.95 грн
149+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.90 грн
34+35.53 грн
92+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.30 грн
41+29.24 грн
112+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.90 грн
34+35.63 грн
92+33.63 грн
10000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.11 грн
5+100.52 грн
10+84.92 грн
50+62.07 грн
100+54.69 грн
500+42.51 грн
1000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+104.03 грн
25+47.60 грн
69+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.43 грн
50+24.15 грн
135+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.92 грн
72+16.47 грн
198+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.34 грн
64+18.66 грн
175+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.86 грн
10+49.02 грн
20+40.62 грн
50+32.83 грн
100+28.04 грн
500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.10 грн
5+224.88 грн
10+190.61 грн
25+159.67 грн
50+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA24N80AE-GE3 VISHAY siha24n80ae.pdf SIHA24N80AE-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.13 грн
6+211.56 грн
16+199.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.31 грн
5+128.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.44 грн
5+105.70 грн
25+89.81 грн
75+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+404.09 грн
5+315.04 грн
10+270.44 грн
25+230.52 грн
50+217.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.37 грн
17+72.85 грн
45+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.86 грн
6+56.38 грн
25+47.90 грн
100+43.11 грн
500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 VISHAY sihfr1n6.pdf SIHFR1N60A-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.28 грн
34+34.93 грн
93+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.71 грн
7+45.81 грн
25+39.72 грн
100+35.03 грн
500+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.31 грн
5+272.55 грн
10+234.52 грн
25+205.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+727.58 грн
10+667.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY SIHG73N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1026.34 грн
5+860.15 грн
10+736.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+521.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+455.68 грн
4+305.37 грн
11+289.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.49 грн
5+106.74 грн
10+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.37 грн
5+140.94 грн
10+114.76 грн
50+90.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+405.16 грн
5+352.35 грн
25+299.38 грн
100+268.45 грн
500+254.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.62 грн
5+246.64 грн
10+215.56 грн
25+203.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.02 грн
3+254.94 грн
10+206.57 грн
25+194.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -7.2A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 4.2W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.33 грн
10+46.12 грн
100+28.04 грн
200+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
Виробник: VISHAY
SI4459ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.76 грн
17+69.86 грн
47+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.65 грн
10+61.45 грн
100+43.41 грн
250+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 si4483ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4483ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.11 грн
15+80.83 грн
41+76.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 si4497dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4497DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.57 грн
11+115.76 грн
29+108.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.75 грн
10+57.21 грн
50+37.52 грн
100+31.93 грн
500+23.35 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.57 грн
10+88.09 грн
50+74.85 грн
100+70.85 грн
125+69.86 грн
250+66.86 грн
500+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.13 грн
10+63.22 грн
50+46.50 грн
100+40.92 грн
500+29.44 грн
1000+24.95 грн
2500+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY.pdf
SI4686DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+51.51 грн
100+40.52 грн
500+36.13 грн
1000+34.53 грн
2500+32.93 грн
5000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 description si4800bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4800BDY-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.29 грн
47+25.65 грн
127+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.85 грн
26+46.60 грн
70+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.15 грн
30+40.52 грн
81+38.32 грн
2500+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 si4840bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4840BDY-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.76 грн
23+51.89 грн
63+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.23 грн
17+70.85 грн
46+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
Виробник: VISHAY
SI4850EY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.31 грн
26+45.91 грн
72+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.14 грн
5+81.25 грн
10+70.65 грн
50+55.29 грн
100+49.30 грн
500+36.13 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 si4936cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.23 грн
40+30.24 грн
108+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
Виробник: VISHAY
SI4948BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.09 грн
35+34.13 грн
96+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7113DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.46 грн
16+77.84 грн
43+72.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.66 грн
15+83.83 грн
40+78.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.66 грн
44+27.44 грн
119+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.50 грн
33+36.42 грн
90+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.41 грн
47+25.55 грн
128+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.01 грн
18+69.86 грн
47+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7461DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.00 грн
11+112.77 грн
29+106.78 грн
3000+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
SI7465DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.40 грн
10+83.94 грн
25+73.85 грн
100+62.87 грн
250+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.41 грн
34+35.63 грн
92+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.83 грн
25+49.10 грн
67+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7655ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.35 грн
30+40.72 грн
80+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.27 грн
5+160.63 грн
10+139.71 грн
50+107.78 грн
100+95.80 грн
500+71.85 грн
1000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.21 грн
14+85.82 грн
38+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.27 грн
54+21.95 грн
149+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.90 грн
34+35.53 грн
92+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.30 грн
41+29.24 грн
112+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.90 грн
34+35.63 грн
92+33.63 грн
10000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.11 грн
5+100.52 грн
10+84.92 грн
50+62.07 грн
100+54.69 грн
500+42.51 грн
1000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.03 грн
25+47.60 грн
69+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.43 грн
50+24.15 грн
135+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.92 грн
72+16.47 грн
198+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.34 грн
64+18.66 грн
175+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+49.02 грн
20+40.62 грн
50+32.83 грн
100+28.04 грн
500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.10 грн
5+224.88 грн
10+190.61 грн
25+159.67 грн
50+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA24N80AE-GE3 siha24n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
SIHA24N80AE-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.13 грн
6+211.56 грн
16+199.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.31 грн
5+128.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 sihd2n80ae.pdf
SIHD2N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.44 грн
5+105.70 грн
25+89.81 грн
75+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.09 грн
5+315.04 грн
10+270.44 грн
25+230.52 грн
50+217.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.37 грн
17+72.85 грн
45+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
6+56.38 грн
25+47.90 грн
100+43.11 грн
500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR1N60A-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.28 грн
34+34.93 грн
93+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.71 грн
7+45.81 грн
25+39.72 грн
100+35.03 грн
500+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.31 грн
5+272.55 грн
10+234.52 грн
25+205.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+727.58 грн
10+667.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E.pdf
SIHG73N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1026.34 грн
5+860.15 грн
10+736.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.68 грн
4+305.37 грн
11+289.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.49 грн
5+106.74 грн
10+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.37 грн
5+140.94 грн
10+114.76 грн
50+90.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.16 грн
5+352.35 грн
25+299.38 грн
100+268.45 грн
500+254.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.62 грн
5+246.64 грн
10+215.56 грн
25+203.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.02 грн
3+254.94 грн
10+206.57 грн
25+194.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 596 1192 1283 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1290 1291 1292 1293 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5960 5966  [ Наступна Сторінка >> ]