Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357895) > Сторінка 1287 з 5965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 596 1192 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1290 1291 1292 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5960 5965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY si2309cd.pdf SI2309CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 11335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.40 грн
80+14.87 грн
220+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+45.14 грн
10+34.41 грн
11+29.24 грн
100+18.76 грн
500+13.67 грн
1000+11.98 грн
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.99 грн
10+35.55 грн
25+26.15 грн
100+22.85 грн
250+22.35 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.26 грн
10+48.09 грн
25+40.42 грн
50+36.23 грн
100+32.43 грн
250+28.14 грн
500+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 VISHAY si2318ds.pdf SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.21 грн
58+20.76 грн
158+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cd.pdf SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.47 грн
50+23.75 грн
138+22.45 грн
1000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.97 грн
96+12.37 грн
264+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.52 грн
34+35.41 грн
92+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.86 грн
38+31.53 грн
104+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.21 грн
10+34.20 грн
100+26.84 грн
500+23.35 грн
1000+22.05 грн
3000+20.16 грн
6000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.88 грн
10+40.00 грн
50+28.64 грн
100+25.15 грн
250+21.06 грн
500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.24 грн
12+25.35 грн
50+22.45 грн
100+21.26 грн
500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.80 грн
58+20.56 грн
159+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+64.27 грн
44+27.44 грн
119+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.71 грн
10+41.25 грн
50+33.13 грн
100+30.64 грн
250+27.54 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.23 грн
10+51.71 грн
100+33.33 грн
500+25.95 грн
1000+23.65 грн
3000+20.76 грн
6000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.06 грн
9+35.24 грн
10+30.14 грн
100+19.36 грн
500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.72 грн
111+10.68 грн
304+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.27 грн
31+38.72 грн
85+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+53.09 грн
67+17.76 грн
184+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.11 грн
68+17.56 грн
186+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.28 грн
61+19.66 грн
166+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+35.25 грн
108+10.98 грн
297+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.73 грн
114+10.38 грн
313+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.94 грн
19+17.00 грн
50+11.38 грн
100+9.78 грн
500+7.28 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.15 грн
88+13.57 грн
240+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.15 грн
69+17.16 грн
190+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.63 грн
96+12.37 грн
263+11.78 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+52.23 грн
69+17.16 грн
190+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.89 грн
66+18.16 грн
180+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.32 грн
13+24.98 грн
25+22.05 грн
50+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.31 грн
61+19.46 грн
168+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 VISHAY si3440dv.pdf SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.01 грн
36+32.93 грн
99+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.41 грн
67+17.85 грн
183+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.11 грн
10+42.80 грн
50+30.84 грн
100+27.04 грн
500+20.16 грн
1000+17.76 грн
3000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.84 грн
40+29.84 грн
110+28.24 грн
6000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+53.09 грн
60+19.96 грн
163+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+39.12 грн
112+10.58 грн
307+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.93 грн
50+24.05 грн
136+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.30 грн
47+25.65 грн
127+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.44 грн
36+33.73 грн
97+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY si3585cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.33 грн
10+43.42 грн
50+28.44 грн
100+24.25 грн
500+17.46 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.47 грн
45+26.65 грн
123+25.15 грн
500+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.89 грн
59+20.06 грн
163+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.78 грн
44+27.44 грн
119+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.05 грн
34+35.83 грн
91+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 VISHAY si4178dy.pdf SI4178DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.50 грн
53+22.65 грн
144+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.10 грн
17+73.85 грн
45+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.52 грн
5+111.92 грн
25+94.80 грн
100+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.75 грн
10+57.72 грн
100+37.52 грн
500+26.65 грн
1000+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.68 грн
5+67.36 грн
10+58.28 грн
100+37.92 грн
500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.26 грн
7+48.40 грн
10+43.01 грн
25+41.31 грн
100+36.92 грн
250+36.03 грн
500+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.21 грн
10+31.30 грн
100+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY si4425ddy.pdf SI4425DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.18 грн
40+30.24 грн
108+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf SI4431BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.52 грн
22+54.49 грн
60+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.93 грн
10+57.41 грн
20+51.19 грн
50+45.71 грн
100+41.51 грн
200+37.32 грн
500+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.61 грн
11+28.71 грн
100+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.01 грн
10+53.79 грн
50+37.92 грн
100+33.23 грн
500+25.25 грн
1000+22.95 грн
2500+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.69 грн
11+30.05 грн
50+21.36 грн
100+18.46 грн
500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2309CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 11335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.40 грн
80+14.87 грн
220+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.14 грн
10+34.41 грн
11+29.24 грн
100+18.76 грн
500+13.67 грн
1000+11.98 грн
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.99 грн
10+35.55 грн
25+26.15 грн
100+22.85 грн
250+22.35 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.26 грн
10+48.09 грн
25+40.42 грн
50+36.23 грн
100+32.43 грн
250+28.14 грн
500+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 si2318ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.21 грн
58+20.76 грн
158+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.47 грн
50+23.75 грн
138+22.45 грн
1000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.97 грн
96+12.37 грн
264+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.52 грн
34+35.41 грн
92+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
38+31.53 грн
104+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.21 грн
10+34.20 грн
100+26.84 грн
500+23.35 грн
1000+22.05 грн
3000+20.16 грн
6000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.88 грн
10+40.00 грн
50+28.64 грн
100+25.15 грн
250+21.06 грн
500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.24 грн
12+25.35 грн
50+22.45 грн
100+21.26 грн
500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.80 грн
58+20.56 грн
159+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.27 грн
44+27.44 грн
119+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.71 грн
10+41.25 грн
50+33.13 грн
100+30.64 грн
250+27.54 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.23 грн
10+51.71 грн
100+33.33 грн
500+25.95 грн
1000+23.65 грн
3000+20.76 грн
6000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.06 грн
9+35.24 грн
10+30.14 грн
100+19.36 грн
500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.72 грн
111+10.68 грн
304+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 si2337ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.27 грн
31+38.72 грн
85+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.09 грн
67+17.76 грн
184+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.11 грн
68+17.56 грн
186+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.28 грн
61+19.66 грн
166+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.25 грн
108+10.98 грн
297+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.73 грн
114+10.38 грн
313+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.94 грн
19+17.00 грн
50+11.38 грн
100+9.78 грн
500+7.28 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.15 грн
88+13.57 грн
240+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
Виробник: VISHAY
SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.15 грн
69+17.16 грн
190+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.63 грн
96+12.37 грн
263+11.78 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.23 грн
69+17.16 грн
190+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
Виробник: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.89 грн
66+18.16 грн
180+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.32 грн
13+24.98 грн
25+22.05 грн
50+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.31 грн
61+19.46 грн
168+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 si3440dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.01 грн
36+32.93 грн
99+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.41 грн
67+17.85 грн
183+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.11 грн
10+42.80 грн
50+30.84 грн
100+27.04 грн
500+20.16 грн
1000+17.76 грн
3000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.84 грн
40+29.84 грн
110+28.24 грн
6000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.09 грн
60+19.96 грн
163+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.12 грн
112+10.58 грн
307+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.93 грн
50+24.05 грн
136+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.30 грн
47+25.65 грн
127+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.44 грн
36+33.73 грн
97+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 si3585cd.pdf
SI3585CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.33 грн
10+43.42 грн
50+28.44 грн
100+24.25 грн
500+17.46 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
Виробник: VISHAY
SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.47 грн
45+26.65 грн
123+25.15 грн
500+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.89 грн
59+20.06 грн
163+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.78 грн
44+27.44 грн
119+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.05 грн
34+35.83 грн
91+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 si4178dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4178DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.50 грн
53+22.65 грн
144+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.10 грн
17+73.85 грн
45+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.52 грн
5+111.92 грн
25+94.80 грн
100+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.75 грн
10+57.72 грн
100+37.52 грн
500+26.65 грн
1000+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.68 грн
5+67.36 грн
10+58.28 грн
100+37.92 грн
500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.26 грн
7+48.40 грн
10+43.01 грн
25+41.31 грн
100+36.92 грн
250+36.03 грн
500+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.21 грн
10+31.30 грн
100+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 si4425ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4425DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.18 грн
40+30.24 грн
108+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4431BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.52 грн
22+54.49 грн
60+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.93 грн
10+57.41 грн
20+51.19 грн
50+45.71 грн
100+41.51 грн
200+37.32 грн
500+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.61 грн
11+28.71 грн
100+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.01 грн
10+53.79 грн
50+37.92 грн
100+33.23 грн
500+25.25 грн
1000+22.95 грн
2500+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.69 грн
11+30.05 грн
50+21.36 грн
100+18.46 грн
500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 596 1192 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1290 1291 1292 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5960 5965  [ Наступна Сторінка >> ]