Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (358220) > Сторінка 1289 з 5971

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1290 1291 1292 1293 1294 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+169.31 грн
10+96.52 грн
25+86.02 грн
50+81.08 грн
100+76.13 грн
250+69.21 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+184.21 грн
10+109.87 грн
25+96.90 грн
50+90.97 грн
100+85.03 грн
500+72.18 грн
750+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY IRF644PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+128.84 грн
10+112.95 грн
50+93.14 грн
100+85.23 грн
250+73.96 грн
500+65.26 грн
750+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY IRF644S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+294.96 грн
50+126.30 грн
1000+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY IRF710PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+51.11 грн
50+36.35 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF VISHAY sihf710s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+110.74 грн
10+68.08 грн
100+51.91 грн
800+44.99 грн
1600+43.41 грн
2400+42.52 грн
4000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF VISHAY 91043.pdf IRF720PBF THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+109.36 грн
32+37.47 грн
86+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+74.54 грн
50+50.11 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 973 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+148.01 грн
10+128.35 грн
50+108.76 грн
250+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+231.07 грн
10+121.16 грн
25+106.79 грн
50+99.87 грн
100+93.93 грн
250+83.06 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+151.20 грн
10+71.88 грн
30+67.24 грн
40+65.26 грн
50+64.27 грн
100+62.29 грн
150+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 551 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+123.52 грн
10+100.63 грн
25+90.97 грн
50+87.01 грн
100+82.07 грн
500+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+222.55 грн
10+139.64 грн
25+122.61 грн
50+113.71 грн
100+105.80 грн
250+95.91 грн
500+87.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY IRF820A.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+105.42 грн
10+69.82 грн
50+56.36 грн
100+54.38 грн
1000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF IRF820ASPBF VISHAY sihf820a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+141.62 грн
10+88.10 грн
50+72.58 грн
100+67.73 грн
250+61.40 грн
500+56.95 грн
1000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF IRF820PBF VISHAY IRF820PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+61.76 грн
10+52.37 грн
50+41.23 грн
100+38.07 грн
250+35.10 грн
500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+132.04 грн
5+115.00 грн
10+105.80 грн
50+93.93 грн
100+88.99 грн
250+83.06 грн
500+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+123.52 грн
10+88.00 грн
50+72.48 грн
100+67.53 грн
250+61.30 грн
500+56.76 грн
1000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+102.22 грн
10+60.58 грн
50+49.64 грн
100+47.86 грн
500+44.40 грн
10000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+186.34 грн
5+115.00 грн
10+104.81 грн
50+91.96 грн
100+88.00 грн
250+82.07 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 702 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+191.67 грн
10+106.79 грн
25+93.93 грн
50+88.99 грн
100+83.06 грн
250+77.12 грн
500+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+124.24 грн
5+104.81 грн
10+80.09 грн
50+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.25 грн
10+72.90 грн
50+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY IRF9510PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.24 грн
10+42.92 грн
50+36.68 грн
100+34.80 грн
250+32.43 грн
500+30.75 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY IRF9510S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+136.30 грн
10+88.30 грн
50+73.27 грн
100+68.32 грн
250+62.00 грн
500+57.05 грн
1000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+129.91 грн
10+67.77 грн
25+56.56 грн
50+54.78 грн
100+51.32 грн
250+49.64 грн
500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -72A
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+150.14 грн
10+100.32 грн
30+82.66 грн
50+77.42 грн
100+69.61 грн
250+60.91 грн
500+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY IRF9610PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.26 грн
10+68.18 грн
50+62.00 грн
100+59.82 грн
250+56.16 грн
500+53.69 грн
1000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY IRF9620PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 663 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.32 грн
50+77.73 грн
100+70.50 грн
200+66.15 грн
250+64.37 грн
500+59.13 грн
750+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY IRF9630PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+153.33 грн
10+93.44 грн
50+74.16 грн
100+68.22 грн
250+59.33 грн
500+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY IRF9630S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+187.41 грн
5+137.59 грн
50+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF VISHAY tf-irf9z24pbf.pdf IRF9Z24PBF THT P channel transistors
на замовлення 403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+173.57 грн
31+38.56 грн
85+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF VISHAY sihf9z24.pdf IRF9Z24SPBF SMD P channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+95.83 грн
27+43.51 грн
74+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY irf9z34.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+112.87 грн
2000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+221.48 грн
10+155.05 грн
50+99.87 грн
100+88.99 грн
1000+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF VISHAY irfb17n50l.pdf IRFB17N50LPBF THT N channel transistors
на замовлення 184 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+371.62 грн
9+141.39 грн
23+133.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 170W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+187.41 грн
10+107.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+91.57 грн
50+69.31 грн
100+59.72 грн
250+55.17 грн
500+47.36 грн
1000+43.41 грн
2000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.11 грн
10+101.84 грн
50+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY IRFBC40LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+166.11 грн
10+117.05 грн
25+96.90 грн
50+90.97 грн
100+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY IRFBC40PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+105.42 грн
50+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF VISHAY 91117.pdf IRFBE20PBF THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+176.76 грн
19+62.29 грн
52+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF VISHAY 91118.pdf IRFBE30PBF THT N channel transistors
на замовлення 612 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+134.17 грн
17+72.18 грн
45+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF VISHAY sihfbe30.pdf IRFBE30SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+341.81 грн
11+106.79 грн
31+101.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.32 грн
18+67.24 грн
49+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF VISHAY 91122.pdf IRFBF30 THT N channel transistors
на замовлення 739 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+310.93 грн
17+72.18 грн
45+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF VISHAY sihbg20.pdf IRFBG20PBF THT N channel transistors
на замовлення 356 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+138.43 грн
19+62.29 грн
52+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf IRFD9020PBF THT P channel transistors
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+171.44 грн
28+43.51 грн
75+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+89.45 грн
10+70.95 грн
100+58.44 грн
200+55.57 грн
500+51.81 грн
1000+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF VISHAY sihfd921.pdf IRFD9210PBF THT P channel transistors
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+116.49 грн
35+33.91 грн
95+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF VISHAY sihfd922.pdf IRFD9220PBF THT P channel transistors
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+223.61 грн
24+49.44 грн
66+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf IRFI510GPBF THT N channel transistors
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+230.75 грн
28+42.02 грн
77+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF VISHAY 91144.pdf IRFI540GPBF THT N channel transistors
на замовлення 788 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+120.33 грн
19+62.29 грн
52+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF VISHAY 91148.pdf IRFI630GPBF THT N channel transistors
на замовлення 499 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+172.50 грн
23+52.40 грн
62+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF VISHAY 91151.pdf IRFI644GPBF THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+199.12 грн
12+97.89 грн
33+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF VISHAY sihfi740.pdf IRFI740GPBF THT N channel transistors
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+217.22 грн
22+53.39 грн
61+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF VISHAY tf-irfi830gpbf.pdf IRFI830GPBF THT N channel transistors
на замовлення 119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+178.89 грн
18+66.25 грн
49+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY IRFI840GPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+255.56 грн
10+132.46 грн
50+104.81 грн
500+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.31 грн
10+96.52 грн
25+86.02 грн
50+81.08 грн
100+76.13 грн
250+69.21 грн
500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.21 грн
10+109.87 грн
25+96.90 грн
50+90.97 грн
100+85.03 грн
500+72.18 грн
750+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF IRF644PBF.pdf
IRF644PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.84 грн
10+112.95 грн
50+93.14 грн
100+85.23 грн
250+73.96 грн
500+65.26 грн
750+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBF IRF644S.pdf
IRF644SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.96 грн
50+126.30 грн
1000+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF.pdf
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.11 грн
50+36.35 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF sihf710s.pdf
IRF710STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.74 грн
10+68.08 грн
100+51.91 грн
800+44.99 грн
1600+43.41 грн
2400+42.52 грн
4000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF 91043.pdf
Виробник: VISHAY
IRF720PBF THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.36 грн
32+37.47 грн
86+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.54 грн
50+50.11 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 973 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.01 грн
10+128.35 грн
50+108.76 грн
250+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.07 грн
10+121.16 грн
25+106.79 грн
50+99.87 грн
100+93.93 грн
250+83.06 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.20 грн
10+71.88 грн
30+67.24 грн
40+65.26 грн
50+64.27 грн
100+62.29 грн
150+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 551 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.52 грн
10+100.63 грн
25+90.97 грн
50+87.01 грн
100+82.07 грн
500+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.55 грн
10+139.64 грн
25+122.61 грн
50+113.71 грн
100+105.80 грн
250+95.91 грн
500+87.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description IRF820A.pdf
IRF820APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.42 грн
10+69.82 грн
50+56.36 грн
100+54.38 грн
1000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF sihf820a.pdf
IRF820ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.62 грн
10+88.10 грн
50+72.58 грн
100+67.73 грн
250+61.40 грн
500+56.95 грн
1000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF IRF820PBF.pdf
IRF820PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.76 грн
10+52.37 грн
50+41.23 грн
100+38.07 грн
250+35.10 грн
500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.04 грн
5+115.00 грн
10+105.80 грн
50+93.93 грн
100+88.99 грн
250+83.06 грн
500+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.52 грн
10+88.00 грн
50+72.48 грн
100+67.53 грн
250+61.30 грн
500+56.76 грн
1000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.22 грн
10+60.58 грн
50+49.64 грн
100+47.86 грн
500+44.40 грн
10000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.34 грн
5+115.00 грн
10+104.81 грн
50+91.96 грн
100+88.00 грн
250+82.07 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 702 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.67 грн
10+106.79 грн
25+93.93 грн
50+88.99 грн
100+83.06 грн
250+77.12 грн
500+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.24 грн
5+104.81 грн
10+80.09 грн
50+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.25 грн
10+72.90 грн
50+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF IRF9510PBF.pdf
IRF9510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.24 грн
10+42.92 грн
50+36.68 грн
100+34.80 грн
250+32.43 грн
500+30.75 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description IRF9510S.pdf
IRF9510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.30 грн
10+88.30 грн
50+73.27 грн
100+68.32 грн
250+62.00 грн
500+57.05 грн
1000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.91 грн
10+67.77 грн
25+56.56 грн
50+54.78 грн
100+51.32 грн
250+49.64 грн
500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -72A
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.14 грн
10+100.32 грн
30+82.66 грн
50+77.42 грн
100+69.61 грн
250+60.91 грн
500+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF IRF9610PBF.pdf
IRF9610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.26 грн
10+68.18 грн
50+62.00 грн
100+59.82 грн
250+56.16 грн
500+53.69 грн
1000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF IRF9620PBF.pdf
IRF9620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 663 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.32 грн
50+77.73 грн
100+70.50 грн
200+66.15 грн
250+64.37 грн
500+59.13 грн
750+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF IRF9630PBF.pdf
IRF9630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.33 грн
10+93.44 грн
50+74.16 грн
100+68.22 грн
250+59.33 грн
500+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.41 грн
5+137.59 грн
50+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF tf-irf9z24pbf.pdf
Виробник: VISHAY
IRF9Z24PBF THT P channel transistors
на замовлення 403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.57 грн
31+38.56 грн
85+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
Виробник: VISHAY
IRF9Z24SPBF SMD P channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.83 грн
27+43.51 грн
74+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF irf9z34.pdf
IRF9Z34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.87 грн
2000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF.pdf
IRFB11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.48 грн
10+155.05 грн
50+99.87 грн
100+88.99 грн
1000+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF irfb17n50l.pdf
Виробник: VISHAY
IRFB17N50LPBF THT N channel transistors
на замовлення 184 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.62 грн
9+141.39 грн
23+133.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 170W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.41 грн
10+107.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.57 грн
50+69.31 грн
100+59.72 грн
250+55.17 грн
500+47.36 грн
1000+43.41 грн
2000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.11 грн
10+101.84 грн
50+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.11 грн
10+117.05 грн
25+96.90 грн
50+90.97 грн
100+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.42 грн
50+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBE20PBF THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.76 грн
19+62.29 грн
52+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBE30PBF THT N channel transistors
на замовлення 612 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.17 грн
17+72.18 грн
45+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBE30SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.81 грн
11+106.79 грн
31+101.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF20SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.32 грн
18+67.24 грн
49+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF 91122.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF30 THT N channel transistors
на замовлення 739 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.93 грн
17+72.18 грн
45+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBG20PBF THT N channel transistors
на замовлення 356 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.43 грн
19+62.29 грн
52+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9020PBF THT P channel transistors
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.44 грн
28+43.51 грн
75+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF irfd9110.pdf
IRFD9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.45 грн
10+70.95 грн
100+58.44 грн
200+55.57 грн
500+51.81 грн
1000+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF sihfd921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9210PBF THT P channel transistors
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.49 грн
35+33.91 грн
95+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF sihfd922.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9220PBF THT P channel transistors
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.61 грн
24+49.44 грн
66+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI510GPBF THT N channel transistors
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.75 грн
28+42.02 грн
77+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF 91144.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI540GPBF THT N channel transistors
на замовлення 788 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.33 грн
19+62.29 грн
52+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF 91148.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI630GPBF THT N channel transistors
на замовлення 499 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.50 грн
23+52.40 грн
62+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF 91151.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI644GPBF THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.12 грн
12+97.89 грн
33+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF sihfi740.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI740GPBF THT N channel transistors
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.22 грн
22+53.39 грн
61+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF tf-irfi830gpbf.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI830GPBF THT N channel transistors
на замовлення 119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.89 грн
18+66.25 грн
49+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF IRFI840GPBF.pdf
IRFI840GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.56 грн
10+132.46 грн
50+104.81 грн
500+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1290 1291 1292 1293 1294 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]