| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIP32409DNP-T1-GE4 | VISHAY |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4 Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...5.5V DC Case: TDFN4 Kind of integrated circuit: high-side Type of integrated circuit: power switch Kind of package: reel; tape Kind of output: N-Channel On-state resistance: 44mΩ Number of channels: 1 Output current: 3.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
SIP32431DNP3-T1GE4 | VISHAY |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4 Mounting: SMD Supply voltage: 1.5...5.5V DC Case: TDFN4 Kind of integrated circuit: high-side Type of integrated circuit: power switch Kind of package: reel; tape Kind of output: P-Channel On-state resistance: 0.105Ω Number of channels: 1 Output current: 1.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
SIP32431DR3-T1GE3 | VISHAY |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.4A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SC70 On-state resistance: 147mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.5...5.5V DC Kind of output: P-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIP32509DT-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23-6 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.1...5.5V DC Operating temperature: -40...125°C Integrated circuit features: output discharge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIP32510DT-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 3A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: TSOT23-6 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 1.2...5.5V DC Integrated circuit features: output discharge Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY |
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY |
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIR622DP-T1-RE3 | VISHAY |
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIR626LDP-T1-RE3 | VISHAY |
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SIRA06DP-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 40W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIRA10DP-T1-GE3 | VISHAY |
SIRA10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIRA14DP-T1-GE3 | VISHAY |
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIRA18ADP-T1-GE3 | VISHAY |
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2777 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIRA28BDP-T1-GE3 | VISHAY |
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SIRA52ADP-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 30.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIRA90DP-T1-GE3 | VISHAY |
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIRA99DP-T1-GE3 | VISHAY |
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SiRC16DP-T1-GE3 | VISHAY |
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SiS406DN-T1-GE3 | VISHAY |
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | VISHAY |
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | VISHAY |
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | VISHAY |
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2842 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SISH625DN-T1-GE3 | VISHAY |
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 5096 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SISS05DN-T1-GE3 | VISHAY |
SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SISS23DN-T1-GE3 | VISHAY |
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 8437 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SISS61DN-T1-GE3 | VISHAY |
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 5708 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SISS80DN-T1-GE3 | VISHAY |
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 5944 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIUD401ED-T1-GE3 | VISHAY |
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SL02-GS08 | VISHAY |
SL02-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SL03-GS08 | VISHAY |
SL03-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 21279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SL04-E3-08 | VISHAY |
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SL12-E3/61T | VISHAY |
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SL22-E3/52T | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.4mA Max. forward voltage: 0.44V Load current: 2A Max. off-state voltage: 20V Max. forward impulse current: 100A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SL23-E3/52T | VISHAY |
SL23-E3/52T SMD Schottky diodes |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SL42-E3/57T | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 8A Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 20V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.42V Leakage current: 0.5mA Max. forward impulse current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SL43-E3/57T | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs. Type of diode: Schottky rectifying Case: SMC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.47V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 850pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SL44-E3/57T | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs. Type of diode: Schottky rectifying Case: SMC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.44V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 850pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SL44-E3/57T | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs. Type of diode: Schottky rectifying Case: SMC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.44V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 850pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SM15T33CA-E3/57T | VISHAY |
SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 3708 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SM6T100A-E3/52 | VISHAY |
SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SM6T12A-E3/52 | VISHAY |
SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SM6T15A-E3/52 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12.8V Breakdown voltage: 15V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: 7 inch reel; tape Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: SM6T кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SM6T15CA-E3/52 | VISHAY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12.8V Breakdown voltage: 15V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: 7 inch reel; tape Technology: TransZorb® Manufacturer series: SM6T Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SM6T18A-E3/52 | VISHAY |
SM6T18A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SM6T33A-E3/52 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28.2V Breakdown voltage: 33V Max. forward impulse current: 13.1A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: 7 inch reel; tape Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: SM6T кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2357 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SM6T36A-E3/52 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 30.8V Breakdown voltage: 36V Max. forward impulse current: 12A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: 7 inch reel; tape Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: SM6T кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SM6T36CA-E3/52 | VISHAY |
SM6T36CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SM6T39A-E3/52 | VISHAY |
SM6T39A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2154 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SM6T6V8A-E3/52 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 5.8V Breakdown voltage: 6.8V Max. forward impulse current: 57A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1mA Kind of package: 7 inch reel; tape Technology: TransZorb® Manufacturer series: SM6T Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SM6T6V8CA-E3/52 | VISHAY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 5.8V Breakdown voltage: 6.8V Max. forward impulse current: 57A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1mA Kind of package: 7 inch reel; tape Technology: TransZorb® Manufacturer series: SM6T Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SM8S33AHE3_A/I | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5.2kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: 13 inch reel; tape Technology: PAR® Application: automotive industry Manufacturer series: SM8S кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 807 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SM8S36ATHE3/I | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5.2kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40V Max. forward impulse current: 114A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: 13 inch reel; tape Technology: PAR® Application: automotive industry Manufacturer series: SM8S кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMA6J18A-E3/61 | VISHAY |
SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SMAJ10A-E3/61 | VISHAY |
SMAJ10A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SMAJ10CA-E3/61 | VISHAY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1...12.3V Max. forward impulse current: 23.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMAJ Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMAJ12A-E3/61 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; unidirectional; SMA; SMAJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 13.3...14.7V Max. forward impulse current: 20.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMAJ Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMAJ12CA-E3/61 | VISHAY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; bidirectional; SMA; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 13.3...14.7V Max. forward impulse current: 20.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMAJ Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1716 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMAJ13A-E3/61 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 300W; 14.4V; 18.6A; unidirectional; SMA; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.3kW Max. off-state voltage: 13V Breakdown voltage: 14.4V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMAJ Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: 7 inch reel; tape Technology: TransZorb® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMAJ15A-E3/61 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 16.7÷18.5V; 16.4A; unidirectional; SMA; SMAJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 15V Breakdown voltage: 16.7...18.5V Max. forward impulse current: 16.4A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMAJ Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: 7 inch reel; tape Technology: TransZorb® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMAJ15CA-E3/61 | VISHAY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 16.7÷18.5V; 16.4A; bidirectional; SMA; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 15V Breakdown voltage: 16.7...18.5V Max. forward impulse current: 16.4A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: 7 inch reel; tape Manufacturer series: SMAJ Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| SIP32409DNP-T1-GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 44mΩ
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 44mΩ
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIP32431DNP3-T1GE4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIP32431DR3-T1GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.99 грн |
| 11+ | 29.22 грн |
| 25+ | 25.25 грн |
| 100+ | 22.25 грн |
| SIP32509DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.94 грн |
| 17+ | 18.34 грн |
| 25+ | 15.87 грн |
| 100+ | 13.87 грн |
| SIP32510DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Integrated circuit features: output discharge
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Integrated circuit features: output discharge
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.60 грн |
| 5+ | 62.18 грн |
| 10+ | 29.94 грн |
| 25+ | 15.97 грн |
| 100+ | 13.27 грн |
| SIR186LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.58 грн |
| 30+ | 39.82 грн |
| 82+ | 37.72 грн |
| SIR422DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.17 грн |
| 19+ | 64.87 грн |
| 25+ | 62.18 грн |
| 51+ | 60.87 грн |
| SIR622DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.16 грн |
| 16+ | 74.85 грн |
| 44+ | 70.85 грн |
| SIR626LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.03 грн |
| 14+ | 87.82 грн |
| 38+ | 82.83 грн |
| SIRA06DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.68 грн |
| 10+ | 63.01 грн |
| 100+ | 49.00 грн |
| 500+ | 41.02 грн |
| 1000+ | 40.22 грн |
| SIRA10DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.89 грн |
| 26+ | 47.30 грн |
| 69+ | 44.71 грн |
| SIRA14DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.12 грн |
| 49+ | 24.35 грн |
| 135+ | 22.95 грн |
| SIRA18ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.25 грн |
| 64+ | 18.56 грн |
| 176+ | 17.56 грн |
| SIRA28BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.05 грн |
| 53+ | 22.65 грн |
| 144+ | 21.46 грн |
| SIRA52ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.37 грн |
| 5+ | 100.52 грн |
| 10+ | 88.82 грн |
| 25+ | 77.84 грн |
| 100+ | 72.85 грн |
| SIRA90DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.58 грн |
| 18+ | 65.86 грн |
| 50+ | 61.87 грн |
| SIRA99DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 303.07 грн |
| 9+ | 138.71 грн |
| 24+ | 130.73 грн |
| SiRC16DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.71 грн |
| 17+ | 73.85 грн |
| 45+ | 69.86 грн |
| SiS406DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.00 грн |
| 25+ | 45.49 грн |
| 70+ | 44.61 грн |
| SIS412DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.07 грн |
| 36+ | 32.93 грн |
| 99+ | 31.14 грн |
| SIS443DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.61 грн |
| 18+ | 65.86 грн |
| 50+ | 61.87 грн |
| SIS892ADN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.22 грн |
| 25+ | 48.00 грн |
| 68+ | 45.41 грн |
| 1000+ | 45.39 грн |
| SISH625DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.67 грн |
| 35+ | 33.93 грн |
| 97+ | 32.03 грн |
| SISS05DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.59 грн |
| 15+ | 79.84 грн |
| 41+ | 75.84 грн |
| SISS23DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.87 грн |
| 38+ | 31.53 грн |
| 104+ | 29.84 грн |
| SISS61DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.36 грн |
| 29+ | 41.61 грн |
| 79+ | 39.42 грн |
| SISS80DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.26 грн |
| 15+ | 79.84 грн |
| 42+ | 74.85 грн |
| SIUD401ED-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.58 грн |
| 128+ | 9.28 грн |
| 350+ | 8.78 грн |
| SL02-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.52 грн |
| 169+ | 7.09 грн |
| 463+ | 6.69 грн |
| 30000+ | 6.63 грн |
| SL03-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SL03-GS08 SMD Schottky diodes
SL03-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 21279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.79 грн |
| 177+ | 6.69 грн |
| 486+ | 6.39 грн |
| SL04-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.79 грн |
| 163+ | 7.28 грн |
| 449+ | 6.89 грн |
| SL12-E3/61T |
![]() |
Виробник: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.84 грн |
| 17+ | 18.55 грн |
| 71+ | 16.87 грн |
| 194+ | 15.97 грн |
| SL22-E3/52T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.44V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.44V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.05 грн |
| 24+ | 13.26 грн |
| 100+ | 11.88 грн |
| 250+ | 11.37 грн |
| 500+ | 10.18 грн |
| 750+ | 9.98 грн |
| SL23-E3/52T |
![]() |
Виробник: VISHAY
SL23-E3/52T SMD Schottky diodes
SL23-E3/52T SMD Schottky diodes
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.41 грн |
| 108+ | 10.98 грн |
| 297+ | 10.38 грн |
| SL42-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 8A
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 8A
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.51 грн |
| 10+ | 43.53 грн |
| 100+ | 38.92 грн |
| 250+ | 36.92 грн |
| 500+ | 33.93 грн |
| SL43-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.05 грн |
| 10+ | 77.72 грн |
| SL44-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.68 грн |
| 7+ | 45.18 грн |
| 25+ | 38.72 грн |
| 100+ | 35.03 грн |
| SL44-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.68 грн |
| 7+ | 45.18 грн |
| 25+ | 38.72 грн |
| 100+ | 35.03 грн |
| SM15T33CA-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.20 грн |
| 67+ | 17.66 грн |
| 185+ | 16.77 грн |
| SM6T100A-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.68 грн |
| 157+ | 7.58 грн |
| 431+ | 7.19 грн |
| SM6T12A-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.81 грн |
| 216+ | 5.49 грн |
| 594+ | 5.19 грн |
| SM6T15A-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.02 грн |
| 14+ | 23.42 грн |
| 15+ | 20.26 грн |
| 100+ | 12.27 грн |
| 500+ | 6.89 грн |
| SM6T15CA-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.64 грн |
| 15+ | 20.93 грн |
| 17+ | 18.36 грн |
| 100+ | 11.45 грн |
| 500+ | 7.63 грн |
| 750+ | 6.96 грн |
| 1500+ | 5.77 грн |
| SM6T18A-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SM6T18A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
SM6T18A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.17 грн |
| 157+ | 7.58 грн |
| 431+ | 7.19 грн |
| SM6T33A-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.94 грн |
| 16+ | 20.21 грн |
| 25+ | 16.77 грн |
| 50+ | 14.67 грн |
| 100+ | 12.87 грн |
| 250+ | 10.58 грн |
| 500+ | 9.18 грн |
| SM6T36A-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 20.96 грн |
| 100+ | 9.28 грн |
| 250+ | 8.48 грн |
| 500+ | 7.88 грн |
| 750+ | 7.58 грн |
| SM6T36CA-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SM6T36CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes
SM6T36CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.76 грн |
| 175+ | 6.79 грн |
| 482+ | 6.39 грн |
| SM6T39A-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SM6T39A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
SM6T39A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.14 грн |
| 197+ | 6.04 грн |
| 540+ | 5.71 грн |
| 3750+ | 5.70 грн |
| SM6T6V8A-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.82 грн |
| 30+ | 10.57 грн |
| 31+ | 9.88 грн |
| 50+ | 8.88 грн |
| 100+ | 8.38 грн |
| 250+ | 7.88 грн |
| 500+ | 7.48 грн |
| SM6T6V8CA-E3/52 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.42 грн |
| 100+ | 15.44 грн |
| 250+ | 12.67 грн |
| 500+ | 10.88 грн |
| 750+ | 9.78 грн |
| 1500+ | 7.78 грн |
| 2250+ | 6.59 грн |
| SM8S33AHE3_A/I |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.85 грн |
| 50+ | 207.26 грн |
| 100+ | 179.63 грн |
| 250+ | 152.68 грн |
| 500+ | 137.72 грн |
| SM8S36ATHE3/I |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 114A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 114A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 293.39 грн |
| 5+ | 254.94 грн |
| 25+ | 217.55 грн |
| 100+ | 195.60 грн |
| SMA6J18A-E3/61 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.12 грн |
| 87+ | 13.57 грн |
| 240+ | 12.87 грн |
| SMAJ10A-E3/61 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SMAJ10A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
SMAJ10A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.80 грн |
| 180+ | 6.59 грн |
| 495+ | 6.19 грн |
| SMAJ10CA-E3/61 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.64 грн |
| 18+ | 18.24 грн |
| 20+ | 15.67 грн |
| 22+ | 13.97 грн |
| 50+ | 11.68 грн |
| 100+ | 10.18 грн |
| 200+ | 8.88 грн |
| SMAJ12A-E3/61 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.42 грн |
| 20+ | 15.54 грн |
| 24+ | 12.97 грн |
| 29+ | 10.54 грн |
| 100+ | 7.53 грн |
| 250+ | 6.04 грн |
| 500+ | 5.37 грн |
| SMAJ12CA-E3/61 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.42 грн |
| 20+ | 15.75 грн |
| 24+ | 12.77 грн |
| 31+ | 9.78 грн |
| 100+ | 7.09 грн |
| 250+ | 6.19 грн |
| 500+ | 5.89 грн |
| SMAJ13A-E3/61 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 14.4V; 18.6A; unidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 14.4V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 14.4V; 18.6A; unidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 14.4V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.64 грн |
| 27+ | 11.81 грн |
| 100+ | 8.18 грн |
| 500+ | 6.69 грн |
| 1000+ | 6.39 грн |
| 1800+ | 5.89 грн |
| 3600+ | 5.79 грн |
| SMAJ15A-E3/61 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 16.7÷18.5V; 16.4A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 16.7÷18.5V; 16.4A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.20 грн |
| 25+ | 12.64 грн |
| 100+ | 9.58 грн |
| 250+ | 7.88 грн |
| 500+ | 6.45 грн |
| 1000+ | 5.09 грн |
| 1800+ | 4.62 грн |
| SMAJ15CA-E3/61 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 16.7÷18.5V; 16.4A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 16.7÷18.5V; 16.4A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.42 грн |
| 21+ | 15.03 грн |
| 23+ | 13.57 грн |
| 25+ | 12.47 грн |
| 100+ | 9.88 грн |
| 500+ | 7.68 грн |
| 1000+ | 7.09 грн |











