| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI9540GPBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -7.6A Gate charge: 61nC On-state resistance: 0.2Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 48W Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFI9630GPBF | VISHAY |
IRFI9630GPBF THT P channel transistors |
на замовлення 341 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFI9634GPBF | VISHAY |
IRFI9634GPBF THT P channel transistors |
на замовлення 391 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFI9640GPBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP Kind of package: tube Case: TO220FP Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.9A Gate charge: 44nC On-state resistance: 0.5Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 590 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFI9Z34GPBF | VISHAY |
IRFI9Z34GPBF THT P channel transistors |
на замовлення 850 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFIB6N60APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Gate charge: 49nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 60W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFIBC30GPBF | VISHAY |
IRFIBC30GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 434 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFIBE30GPBF | VISHAY |
IRFIBE30GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 111 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFIBF20GPBF | VISHAY |
IRFIBF20GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | VISHAY |
IRFIZ48GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 423 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFL014TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL110TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.96A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 695 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL210TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 7.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 262 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5089 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL9110TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.69A Pulsed drain current: -8.8A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP048RPBF | VISHAY |
IRFP048RPBF THT N channel transistors |
на замовлення 437 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP054PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP064PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 227 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP150PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 523 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP22N50APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 277W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP244PBF | VISHAY |
IRFP244PBF THT N channel transistors |
на замовлення 629 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP250PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 284 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP254PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 23A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 391 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 414 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP340PBF | VISHAY |
IRFP340PBF THT N channel transistors |
на замовлення 61 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP350PBF | VISHAY |
IRFP350PBF THT N channel transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP440PBF | VISHAY |
IRFP440PBF THT N channel transistors |
на замовлення 52 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP450APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 519 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP450LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.6A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 360 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP450PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 962 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP460APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 667 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP460LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 435 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP460PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 913 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP9140PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 223 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP9240PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 44nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 558 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFPC40PBF | VISHAY |
IRFPC40PBF THT N channel transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPC50APBF | VISHAY | IRFPC50APBF THT N channel transistors |
на замовлення 121 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPC50PBF | VISHAY | IRFPC50PBF THT N channel transistors |
на замовлення 264 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | VISHAY |
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors |
на замовлення 81 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPC60PBF | VISHAY |
IRFPC60PBF THT N channel transistors |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFPE40PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.4A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFPE50PBF | VISHAY |
IRFPE50PBF THT N channel transistors |
на замовлення 106 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPF50PBF | VISHAY |
IRFPF50PBF THT N channel transistors |
на замовлення 155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPG30PBF | VISHAY |
IRFPG30PBF THT N channel transistors |
на замовлення 462 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPG40PBF | VISHAY |
IRFPG40PBF THT N channel transistors |
на замовлення 289 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPG50PBF | VISHAY |
IRFPG50PBF THT N channel transistors |
на замовлення 615 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFR014PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 471 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR024PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 279 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR110PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC On-state resistance: 0.54Ω Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 25W Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4842 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Kind of package: tube Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 16nC On-state resistance: 0.27Ω Drain current: 4.9A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 42W Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 433 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR210PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 238 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 254 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR224PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR310PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 374 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 714 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR420APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR420PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 349 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR420TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR430APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1176 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IRFI9540GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 48W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 48W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.57 грн |
| 5+ | 219.73 грн |
| 10+ | 184.90 грн |
| 50+ | 142.38 грн |
| 100+ | 132.49 грн |
| 250+ | 120.63 грн |
| 1000+ | 112.72 грн |
| IRFI9630GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFI9630GPBF THT P channel transistors
IRFI9630GPBF THT P channel transistors
на замовлення 341 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.81 грн |
| 19+ | 62.29 грн |
| 52+ | 58.34 грн |
| IRFI9634GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFI9634GPBF THT P channel transistors
IRFI9634GPBF THT P channel transistors
на замовлення 391 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.40 грн |
| 19+ | 64.27 грн |
| 51+ | 60.31 грн |
| IRFI9640GPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 0.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 0.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.39 грн |
| 50+ | 106.79 грн |
| 500+ | 96.90 грн |
| 2000+ | 91.96 грн |
| IRFI9Z34GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFI9Z34GPBF THT P channel transistors
IRFI9Z34GPBF THT P channel transistors
на замовлення 850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.35 грн |
| 22+ | 55.37 грн |
| 58+ | 52.40 грн |
| IRFIB6N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.43 грн |
| 10+ | 186.88 грн |
| 50+ | 153.26 грн |
| 100+ | 141.39 грн |
| 250+ | 126.56 грн |
| 500+ | 114.70 грн |
| 750+ | 107.78 грн |
| IRFIBC30GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIBC30GPBF THT N channel transistors
IRFIBC30GPBF THT N channel transistors
на замовлення 434 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.52 грн |
| 16+ | 78.11 грн |
| 42+ | 73.17 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIBE30GPBF THT N channel transistors
IRFIBE30GPBF THT N channel transistors
на замовлення 111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.80 грн |
| 13+ | 94.92 грн |
| 34+ | 89.98 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIBF20GPBF THT N channel transistors
IRFIBF20GPBF THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.28 грн |
| 13+ | 92.94 грн |
| 35+ | 88.00 грн |
| IRFIZ48GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIZ48GPBF THT N channel transistors
IRFIZ48GPBF THT N channel transistors
на замовлення 423 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.54 грн |
| 14+ | 87.01 грн |
| 38+ | 82.07 грн |
| IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.64 грн |
| 10+ | 45.18 грн |
| 20+ | 40.44 грн |
| 100+ | 34.51 грн |
| 200+ | 32.53 грн |
| 500+ | 29.76 грн |
| 1000+ | 28.08 грн |
| IRFL110TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.73 грн |
| 10+ | 50.21 грн |
| 50+ | 40.44 грн |
| 100+ | 38.86 грн |
| 500+ | 33.91 грн |
| 1000+ | 29.27 грн |
| 2500+ | 23.43 грн |
| IRFL210TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.59 грн |
| 100+ | 34.71 грн |
| 250+ | 30.45 грн |
| IRFL9014TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 10+ | 53.60 грн |
| 50+ | 44.59 грн |
| 100+ | 41.53 грн |
| 500+ | 34.61 грн |
| 1000+ | 31.64 грн |
| 2500+ | 27.78 грн |
| IRFL9110TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.05 грн |
| 500+ | 36.25 грн |
| 1000+ | 29.07 грн |
| 2500+ | 21.65 грн |
| 5000+ | 21.06 грн |
| IRFP048RPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFP048RPBF THT N channel transistors
IRFP048RPBF THT N channel transistors
на замовлення 437 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 323.71 грн |
| 11+ | 109.75 грн |
| 30+ | 103.82 грн |
| IRFP054PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.26 грн |
| 10+ | 275.18 грн |
| 25+ | 240.27 грн |
| 50+ | 223.46 грн |
| 100+ | 209.62 грн |
| 125+ | 205.66 грн |
| 250+ | 194.79 грн |
| IRFP064PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.85 грн |
| 2+ | 311.12 грн |
| 10+ | 259.06 грн |
| 25+ | 245.21 грн |
| 100+ | 221.48 грн |
| 200+ | 207.64 грн |
| 500+ | 193.80 грн |
| IRFP150PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 523 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 291.76 грн |
| 5+ | 240.27 грн |
| 10+ | 211.60 грн |
| 25+ | 186.88 грн |
| 50+ | 172.05 грн |
| 100+ | 161.17 грн |
| 125+ | 158.20 грн |
| IRFP22N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.22 грн |
| 100+ | 240.27 грн |
| 500+ | 192.81 грн |
| IRFP244PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFP244PBF THT N channel transistors
IRFP244PBF THT N channel transistors
на замовлення 629 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.54 грн |
| 12+ | 98.88 грн |
| 33+ | 93.93 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 320.51 грн |
| 5+ | 248.48 грн |
| 10+ | 165.12 грн |
| 25+ | 133.48 грн |
| 5000+ | 123.60 грн |
| IRFP254PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 391 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.34 грн |
| 10+ | 214.60 грн |
| 25+ | 190.83 грн |
| 50+ | 177.98 грн |
| 100+ | 166.11 грн |
| 125+ | 162.16 грн |
| 250+ | 149.30 грн |
| IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.49 грн |
| 10+ | 254.64 грн |
| 25+ | 213.57 грн |
| IRFP340PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFP340PBF THT N channel transistors
IRFP340PBF THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.52 грн |
| 10+ | 126.56 грн |
| 26+ | 119.64 грн |
| IRFP350PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFP350PBF THT N channel transistors
IRFP350PBF THT N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 388.66 грн |
| 9+ | 142.38 грн |
| 23+ | 134.47 грн |
| IRFP440PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFP440PBF THT N channel transistors
IRFP440PBF THT N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 396.11 грн |
| 9+ | 135.46 грн |
| 24+ | 128.54 грн |
| IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.86 грн |
| 10+ | 247.46 грн |
| 25+ | 209.62 грн |
| 50+ | 190.83 грн |
| 100+ | 177.98 грн |
| 500+ | 162.16 грн |
| IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.80 грн |
| 5+ | 187.90 грн |
| 10+ | 157.21 грн |
| 25+ | 144.36 грн |
| 50+ | 139.42 грн |
| 100+ | 134.47 грн |
| 250+ | 127.55 грн |
| IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.65 грн |
| 5+ | 192.01 грн |
| 10+ | 153.26 грн |
| 25+ | 111.73 грн |
| 100+ | 105.80 грн |
| IRFP460APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 667 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.98 грн |
| 5+ | 329.60 грн |
| 10+ | 300.58 грн |
| 25+ | 279.82 грн |
| 50+ | 265.98 грн |
| 100+ | 245.21 грн |
| 375+ | 187.87 грн |
| IRFP460LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 464.26 грн |
| 5+ | 406.61 грн |
| 10+ | 369.80 грн |
| 25+ | 340.14 грн |
| 100+ | 295.64 грн |
| 250+ | 264.99 грн |
| 500+ | 241.26 грн |
| IRFP460PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 913 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.00 грн |
| 5+ | 287.50 грн |
| 10+ | 239.28 грн |
| 25+ | 199.73 грн |
| 100+ | 188.85 грн |
| IRFP9140PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.27 грн |
| 10+ | 212.55 грн |
| 25+ | 183.91 грн |
| 50+ | 168.09 грн |
| 100+ | 151.28 грн |
| 250+ | 130.52 грн |
| 375+ | 120.63 грн |
| IRFP9240PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.89 грн |
| 5+ | 154.02 грн |
| 10+ | 131.51 грн |
| 25+ | 107.78 грн |
| 50+ | 96.90 грн |
| 100+ | 92.94 грн |
| IRFPC40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPC40PBF THT N channel transistors
IRFPC40PBF THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.22 грн |
| 10+ | 127.55 грн |
| 26+ | 120.63 грн |
| IRFPC50APBF |
Виробник: VISHAY
IRFPC50APBF THT N channel transistors
IRFPC50APBF THT N channel transistors
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.40 грн |
| 8+ | 163.15 грн |
| 20+ | 154.25 грн |
| IRFPC50PBF |
Виробник: VISHAY
IRFPC50PBF THT N channel transistors
IRFPC50PBF THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 505.79 грн |
| 8+ | 162.16 грн |
| 20+ | 153.26 грн |
| IRFPC60LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 551.58 грн |
| 5+ | 240.27 грн |
| 14+ | 227.42 грн |
| IRFPC60PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPC60PBF THT N channel transistors
IRFPC60PBF THT N channel transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 554.77 грн |
| 6+ | 226.43 грн |
| 15+ | 214.56 грн |
| IRFPE40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.39 грн |
| 10+ | 241.30 грн |
| 25+ | 204.67 грн |
| 100+ | 171.06 грн |
| 200+ | 155.24 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPE50PBF THT N channel transistors
IRFPE50PBF THT N channel transistors
на замовлення 106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.91 грн |
| 7+ | 180.94 грн |
| 18+ | 171.06 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPF50PBF THT N channel transistors
IRFPF50PBF THT N channel transistors
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 456.81 грн |
| 6+ | 210.61 грн |
| 16+ | 198.74 грн |
| IRFPG30PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPG30PBF THT N channel transistors
IRFPG30PBF THT N channel transistors
на замовлення 462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.59 грн |
| 10+ | 119.64 грн |
| 27+ | 112.72 грн |
| IRFPG40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPG40PBF THT N channel transistors
IRFPG40PBF THT N channel transistors
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 457.87 грн |
| 7+ | 170.07 грн |
| 19+ | 160.18 грн |
| IRFPG50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPG50PBF THT N channel transistors
IRFPG50PBF THT N channel transistors
на замовлення 615 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 359.91 грн |
| 8+ | 157.21 грн |
| 21+ | 149.30 грн |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 471 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.35 грн |
| 10+ | 86.87 грн |
| 25+ | 67.83 грн |
| 50+ | 52.31 грн |
| 75+ | 44.20 грн |
| 150+ | 36.19 грн |
| 225+ | 34.80 грн |
| IRFR024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.82 грн |
| 10+ | 53.70 грн |
| 75+ | 40.24 грн |
| 150+ | 36.78 грн |
| 300+ | 35.20 грн |
| IRFR110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.57 грн |
| 525+ | 28.96 грн |
| 1050+ | 26.50 грн |
| 1500+ | 25.61 грн |
| 2025+ | 24.72 грн |
| 3000+ | 24.52 грн |
| IRFR120PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.72 грн |
| 20+ | 40.15 грн |
| 75+ | 36.68 грн |
| 525+ | 33.72 грн |
| 1050+ | 32.63 грн |
| 3000+ | 30.95 грн |
| 6000+ | 29.96 грн |
| IRFR210PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.72 грн |
| 10+ | 40.35 грн |
| 75+ | 35.89 грн |
| 525+ | 33.62 грн |
| 6000+ | 31.34 грн |
| IRFR220PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.57 грн |
| 10+ | 50.31 грн |
| 75+ | 35.69 грн |
| 150+ | 32.04 грн |
| 300+ | 29.47 грн |
| 525+ | 27.98 грн |
| 1050+ | 27.69 грн |
| IRFR224PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.47 грн |
| 7+ | 44.36 грн |
| 25+ | 37.38 грн |
| 75+ | 34.80 грн |
| 300+ | 32.13 грн |
| IRFR310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.19 грн |
| 75+ | 40.35 грн |
| 1050+ | 35.89 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.99 грн |
| 10+ | 50.00 грн |
| 75+ | 37.38 грн |
| IRFR320TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.02 грн |
| 10+ | 48.67 грн |
| 100+ | 39.75 грн |
| 500+ | 35.79 грн |
| 1000+ | 34.21 грн |
| 3000+ | 32.83 грн |
| IRFR420APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.82 грн |
| 5+ | 104.12 грн |
| 10+ | 84.24 грн |
| 25+ | 67.83 грн |
| 50+ | 59.72 грн |
| 75+ | 56.26 грн |
| 150+ | 52.11 грн |
| IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.54 грн |
| 10+ | 47.13 грн |
| 75+ | 39.16 грн |
| 150+ | 37.57 грн |
| 525+ | 35.10 грн |
| 1500+ | 34.11 грн |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.15 грн |
| 10+ | 60.48 грн |
| 100+ | 47.56 грн |
| 500+ | 39.25 грн |
| 1000+ | 35.60 грн |
| 2000+ | 31.94 грн |
| 4000+ | 28.97 грн |
| IRFR430APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.16 грн |
| 10+ | 63.46 грн |
| 75+ | 55.57 грн |
| 300+ | 52.01 грн |
| 750+ | 49.64 грн |
| 2025+ | 47.07 грн |
| 3000+ | 46.08 грн |








